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本发明公开了一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法，具体步骤包括：将石英粉均匀地涂在石墨件腐蚀层上，将涂覆过石英粉的各个石墨件，按照生长单晶硅时各个石墨件的结构顺序安装于单晶炉内；抽真空，将石墨件逐步加热到1650℃-1700℃，缓慢降温，...该专利属于宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司授权不得商用。