一种宽频带GaN微波功率放大器电路制造技术

本发明专利技术涉及功率放大器电路技术领域，具体为一种宽频带GaN微波功率放大器电路，包括的RC网络、芯片输入输出匹配电路、反馈电路以及供电电路，芯片输入端L型匹配电路为串联电感L3再并联电容C2的L型匹配电路，芯片输出端L型匹配电路为串联电感L4再并联电容C3的L型匹配电路，反馈电路包含一个LRC反馈网络，反馈电路包括反馈电阻R1，反馈电阻R1的一端通过电容C1串联有电感L5，电感L5与电容C2串联，反馈电阻R1的另一端串联有电感L6，电感L6与电容C3串联。本发明专利技术采用L型匹配技术，从而实现对射频的放大技术，在有限的器件内部空间内增加带宽，降低功率放大器的成本，减少器件的空间。减少器件的空间。减少器件的空间。

【技术实现步骤摘要】
一种宽频带GaN微波功率放大器电路


[0001]本专利技术涉及一种放大器电路，特别是涉及一种宽频带GaN微波功率放大器电路，属于功率放大器电路


技术介绍

[0002]GaN微波功率器件有着功率密度高、效率高、工作频率更高等特点，在军品和民品市场方面，相比于其他工艺的产品具有较大的优势，因此得到了广泛应用。目前由于微型化和低成本的要求，器件一般采用通用的封装管壳进行器件封装，器件内部空间有限，这使得器件的带宽有了一定局限性，一般要想增加带宽，都会在管壳外用微带线使用阻抗变换，或者是直接使用集成芯片MMIC，但是这样就增加了器件的成本或者是增加了使用的空间。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种宽频带GaN微波功率放大器电路，采用L型匹配技术，从而实现对射频的放大技术，在有限的器件内部空间内增加带宽，降低功率放大器的成本，减少器件的空间。
[0004]为了达到上述目的，本专利技术采用的主要技术方案包括：一种宽频带GaN微波功率放大器电路，包括集成在封装管壳内部的RC网络、芯片输入输出匹配电路、反馈电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽频带GaN微波功率放大器电路，其特征在于，包括集成在封装管壳内部的RC网络、芯片输入输出匹配电路、反馈电路以及供电电路，所述RC网络和所述芯片输入输出匹配电路均与所述供电电路电性连接，所述反馈电路与所述芯片输入输出匹配电路电性连接；所述芯片输入输出匹配电路包括芯片输入端L型匹配电路和芯片输出端L型匹配电路，所述芯片输入端L型匹配电路为串联电感L3再并联电容C2的L型匹配电路，所述芯片输出端L型匹配电路为串联电感L4再并联电容C3的L型匹配电路；所述反馈电路包含一个LRC反馈网络，所述反馈电路包括反馈电阻R1，所述反馈电阻R1的一端通过电容C1串联有电感L5，所述电感L5与所述电容C2串联，所述反馈电阻R1的另一端串联有电感L6，所述电感L6与所述电容C3串联。2.根据权利要求1所述的一种宽频带GaN微波功率放大器电路，其特征在于：所述RC网络包括电容C0、电感L0以及电阻R0，所述电容C0与所述电阻R0并联，所述电感L0与所述电阻R0串联，所述电容C0与...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱佳浩，李贺，沈美根，陈强，
申请(专利权)人：江苏博普电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：