具有固定界面电荷场限环的功率器件制造技术
Power device with fixed interface charge field limiting ring
The invention discloses a power device with a fixed interface charge field limiting ring, comprising a field oxygen layer and an active layer, wherein the field oxygen layer is located on the active layer. The field oxygen layer is provided with at least 1 fixed interface charge areas, wherein the fixed interface charge area is located at the lower part of the field oxygen layer and contacts with the lower surface of the field oxygen layer, namely the boundary layer of the field oxygen layer and the active layer. The failure of the breakdown voltage drop and the device of the invention can overcome the impurity diffusion in the FLR area of the existing power devices caused problems, and effectively improve the breakdown voltage of the device and improve the electric field distribution on the surface of the active layer, so that a more uniform electric field distribution.
【技术实现步骤摘要】
具有固定界面电荷场限环的功率器件
本专利技术涉及半导体功率器件
，具体涉及一种具有固定界面电荷场限环的功率器件。
技术介绍
功率集成电路(PowerIntegratedCircuit，PIC)集信号处理、传感保护、功率传输技术于一体，自上世纪八十年代产生以来发展迅速，在武器装备、电力电子、航空航天、平板显示驱动和其它高新技术产业有着极为广泛的应用。PIC是集成电路中的一个重要分支，与分立器件相比，PIC不仅在性能、功耗和稳定性方面有很大优势，而且对于降低成本、减少体积和重量有着非常大的意义。因此，国内外专家和学者对PIC投入了极大的关注和深入的研究。功率半导体器件主要包括功率二极管、晶闸管、功率MOSFET、功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)和宽禁带功率半导体器件等。其中除晶闸管在特大功率领域应用，功率MOS和IGBT是两种主要的功率器件。由于宽禁带材料宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优势，随着碳化硅单晶生长技术和氮化镓异质结外延生长技术的不断成熟，新一代宽禁带功率半导体器件也获得了国内外半导体公司和研究机构的广泛关注和深入研究。功率半导体器件设计...
【技术保护点】
具有固定界面电荷场限环的功率器件，包括场氧层(4)和有源层，场氧层(4)位于有源层之上；其特征在于：场氧层(4)内设有至少1个固定界面电荷区(12)，该固定界面电荷区(12)位于场氧层(4)的下部，并与场氧层(4)的下表面即场氧层(4)和有源层的交界面相接触；固定界面电荷区(12)为浓度大于等于1×10
【技术特征摘要】
1.具有固定界面电荷场限环的功率器件，包括场氧层(4)和有源层，场氧层(4)位于有源层之上；其特征在于：场氧层(4)内设有至少1个固定界面电荷区(12)，该固定界面电荷区(12)位于场氧层(4)的下部，并与场氧层(4)的下表面即场氧层(4)和有源层的交界面相接触；固定界面电荷区(12)为浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定界面电荷区(12)。2.根据权利要求1所述的具有固定界面电荷场限环的功率器件，其特征在于：当固定界面电荷区(12)的个数为2个以上时，这些固定界面电荷区...
【专利技术属性】
技术研发人员：李琦，文艺，李海鸥，首照宇，陈永和，杨年炯，李思敏，张法碧，高喜，傅涛，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，广西科技大学，
类型：发明
国别省市：广西,45
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