可增加晶粒数量及合格率的晶圆结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种可增加晶粒数量及合格率的晶圆结构，包括一N型半导体层和一P型半导体层，P型半导体层贴附于该N型半导体层的一面上，于该N型半导体层的另一面上堆栈一N+型半导体层，其特征在于：所述晶圆结构于该N+型半导体层的表面形成有多个沟槽，该多个沟槽贯穿N+型半导体层和N型半导体层，且该多个沟槽的底部处于P型半导体层中，得以产生较小的沟宽，以缩小晶粒小有效面积，借此在同样面积的晶圆得以增加所生产出晶粒数量，并得以改善蚀刻均匀性及开设沟槽深度控制问题，以有效提升晶粒合格率。

【技术实现步骤摘要】
可增加晶粒数量及合格率的晶圆结构
本技术关于一种晶圆结构；特别指一种可增加晶粒数量及合格率的晶圆结构。
技术介绍
随着时代的进步，对于集成电路的产品需求量及质量的日益提升，推动了电子产业的蓬勃发展。而电子制造技术的不断发展演进，在集成电路(IC)芯片轻、薄、短、小、高功能的要求下，亦使得电子产业的构装技术不断推陈出新，其中晶圆蚀刻技术随着材料的不同及薄化，为得到高合格率和维持应有的生产效益，因而蚀刻机制的控制能力实为质量的成功关键因素之一。一般二极管的制作是先从单芯片作为成长用的基板，再利用各种的磊晶成长法做成磊芯片，并把这些磊芯片进行平台湿式蚀刻后切割磊芯片，最后再将磊芯片切割成单颗晶粒，然而现今湿式蚀刻大都为等向性蚀刻，这种蚀刻线宽会变大而侧壁(sidewall)呈弧形，称额外被蚀刻的部份为切底，会造成蚀刻沟槽外扩侧蚀，如图6所示，并因此会进一步造成沟宽加大，晶粒的有效面积较大，如图7所示，然而因晶粒的有效面积变大，所以使同样面积的晶圆所生产出晶粒数量较少，如图8及图9所示。此外，湿式蚀刻还有蚀刻均匀性问题，因为利用蚀刻所开的沟槽会有局部沟深较深或是沟深较浅问题，使得整体沟槽沟深均匀度较差，进而影响产品合格率，另外，湿式蚀刻还有沟深控制问题，因为利用蚀刻所开的沟槽沟深越深，其控制越显困难，容易发生沟槽沟深过深问题，而影响产品合格率，进而对整个晶粒的生产会造成相当严重的影响，因此，如何有效改善上述缺点，乃为本
亟欲解决的问题所在。
技术实现思路
本技术提供一种可增加晶粒数量及合格率的晶圆结构，包括一N型半导体层和一P型半导体层，P型半导体层贴附于该N型半导体层的一面上，于该N型半导体层的另一面上堆栈一N+型半导体层，其特征在于：所述晶圆结构于该N+型半导体层的表面形成有多个沟槽，该多个沟槽贯穿N+型半导体层和N型半导体层，且该多个沟槽的底部处于P型半导体层中，以形成多个晶粒。因此，本技术所提供一种可增加晶粒数量及合格率的晶圆结构，利用切割刀装置切割沟槽，得以精准控制所切下的沟深，因此得以控制沟槽沟深及沟槽均匀性，并可有效改善现有蚀刻所开设沟槽深度控制及均匀性问题，因此可有效提升晶粒合格率。此外，利用切割刀装置切割沟槽，没有现有蚀刻沟槽外扩侧蚀问题，所以会产生较小的沟宽，而晶粒有效面积较小，因此在同样面积的晶圆所生产出晶粒数量较多。附图说明图1为本技术V型刀具切割晶圆基材的剖面示意图。图2为本技术U型刀具切割晶圆基材的剖面示意图。图3为本技术晶圆所生产出晶粒数量较多示意图。图4为图3的局部A部分放大示意图。图5为本技术晶粒有效面积较小的剖面示意图。图6为现有基板造成蚀刻沟槽外扩侧蚀的剖面示意图。图7为现有晶粒有效面积较大的剖面示意图。图8为现有晶圆所生产出晶粒数量较少示意图。图9为图8的局部A部分放大示意图。图中：1晶粒；11N型半导体层；13P型半导体层；12N+型半导体层；14沟槽；15光阻玻璃；2切割刀装置；10晶圆基材。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本技术的限定。由于本技术揭露一种二极管芯片结构，其二极管芯片的制作相关原理已为相关
具有通常知识者所能明了，故以下文中的说明，不再作完整描述。同时，以下文中所对照的图式为表达与本技术有关的结构示意图，并未亦不需要依据实际尺寸完整绘制，合先叙明。烦请参考图1及图2所示，为根据本技术的一较佳实施例，为一种可增加晶粒数量及合格率的晶圆结构，包括：一N型半导体层11，一P型半导体层13，贴附于该N型半导体层11的一面上，于该N型半导体层11的另一面上堆栈一N+型半导体层12，以形成一晶圆基材10，本技术改进在于：以一切割刀装置2于该N+型半导体层12切割超过N型及P型半导体层交界以形成若干沟槽14，以定义有若干个晶粒1，并产生较小的沟宽，以缩小晶粒1的有效面积，借此在同样面积的晶圆10得以增加所生产出晶粒1数量，此外以切割刀装置2切割沟槽14控制开设沟槽深度与稳定破片率，并得以改善蚀刻均匀性问题。在本实施例中，切割刀装置2为V型刀具，但并不以V型刀具为限，也可依实际制程所需而有所不同，例如以U型刀具(如图2)切割以形成若干沟槽14，在此，仅以一最佳实施例表现。值得一提的事，当该切割刀装置2于该N+型半导体层12切割以形成若干沟槽14，以定义出有若干个晶粒1后，所述该等晶粒1会施以光阻玻璃15披覆以保护PN接点后，然后沿着所述沟槽14进行切片，以完成若干个晶粒1结构，如图5所示。然而，从图5比较图7得知，由于，现有晶粒有效面积较大，因此习知晶圆所生产出晶粒数量较少，如图8及图9所示，而本技术采用切割刀装置2于该N+型半导体层12切割以形成若干沟槽14，以定义有若干个晶粒1，会产生较小的沟宽，所以本技术晶粒1有效面积较小，而在同样面积的晶圆所生产出晶粒1数量较多，如图3及图4所示。此外，本技术因为利用切割刀装置2来切割沟槽14，而得以精准控制所切下的沟深，并因此进一步得以控制沟槽14沟深及沟槽14均匀性，而可有效改善现有蚀刻所开设沟槽深度控制及均匀性问题，因此可有效提升晶粒合格率。以上所述实施例仅是为充分说明本技术而所举的较佳的实施例，本技术的保护范围不限于此。本
的技术人员在本技术基础上所作的等同替代或变换，均在本技术的保护范围之内。本技术的保护范围以权利要求书为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可增加晶粒数量及合格率的晶圆结构，包括一N型半导体层和一P型半导体层，P型半导体层贴附于该N型半导体层的一面上，于该N型半导体层的另一面上堆栈一N+型半导体层，其特征在于：所述晶圆结构于该N+型半导体层的表面形成有多个沟槽，该多个沟槽贯穿N+型半导体层和N型半导体层，且该多个沟槽的底部处于P型半导体层中，以形成多个晶粒。

【技术特征摘要】
1.一种可增加晶粒数量及合格率的晶圆结构，包括一N型半导体层和一P型半导体层，P型半导体层贴附于该N型半导体层的一面上，于该N型半导体层的另一面上堆栈一N+型半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭工及，萧上智，张靖奇，
申请(专利权)人：亚昕科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71