可轻易滚压裂片的晶片结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种可轻易滚压裂片的晶片结构，包括一硅基板，含有一硼及一磷的掺质区，以形成一晶片基材，并在晶片基材的正面形成若干条切割道，所述切割道以蚀刻方式定义有若干个晶粒区，其中，在所述晶片基材的背面相对应各切割道处以蚀刻方式分别形成一沟槽，并沿着所述沟槽利用滚压装置以垂直及平行方向对所述晶片基材进行滚压裂片，以形成若干个晶粒结构。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种可轻易滚压裂片的晶片结构；特别是一种能滚压裂片而不用刀具切割裂片的晶片结构。
技术介绍
随着时代的进步，对于积体电路的产品需求量及品质的日益提升，推动了电子产业的蓬勃发展。而电子制造技术的不断发展演进，在积体电路(IC)晶片“轻、薄、短、小、高功能”的要求下，亦使得电子产业的构装技术不断推陈出新，其中晶圆切割分离技术随着材料的不同及薄化，为得到高良率和维持应有的生产效益，因而切割裂片机制的控制能力实为品质的成功关键因素之一。一般二极体的制作是先从单晶片作为成长用的基板，再利用各种的磊晶成长法做成磊晶片，并把这些磊晶片进行平台蚀刻后切割磊晶片，最后再将磊晶片切割成单颗晶粒，而晶粒的切割劈裂一直是半导体或光电业界非常重要的制程，晶粒历经繁复的制程后，如果在晶粒切割的阶段无法维持高良率或因晶粒分离方法影响晶粒原有的特性，将对整个晶粒的生产会造成相当严重的影响。然而，现今在晶粒切割制程中，一般会利用晶片切割刀具进行劈裂，以分离晶粒，但是，由于在晶片施以玻璃披覆时因无法很精准的控制量，所以造成有部份光阻玻璃会拉落至切割道底部，如进行刀具切割时，会因为切到拉落至切割道底部的光阻玻璃，而非常容易造成刀具的损坏，与晶粒边缘崩裂，或产生断裂不连续、毛边或是剥落情况等问题，尤其是当刀具的刀刃钝化时，将有可能造成晶片的被切割面产生破裂而毁损(如图5所示)，甚至于生产线必须全部停摆来更换切割刀具，而造成不小生产成本损失。因此，如何有效改善上述缺陷，乃为业者欲解决的问题所在。
技术实现思路
本技术所述的可轻易滚压裂片的晶片结构，包括：一硅基板，含有一硼掺质区及一磷掺质区，以形成一晶片基材，并在晶片基材的正面形成若干条切割道，所述切割道以蚀刻方式定义有若干个晶粒区，其中，在所述晶片基材的背面相对应各切割道处以蚀刻方式分别形成一沟槽，并沿着所述沟槽利用滚压装置以垂直及平行方向对所述晶片基材进行滚压裂片，以形成若干个晶粒结构。本技术所提出的一种可轻易滚压裂片的晶片结构，其中，该蚀刻方式为一湿蚀刻或一电浆蚀刻。本技术所提出的一种可轻易滚压裂片的晶片结构，其中，该硼掺质区形成于该晶片基材正面。本技术所提出的一种可轻易滚压裂片的晶片结构，其中，该磷掺质区形成于该晶片基材背面。本技术所提出的一种可轻易滚压裂片的晶片结构，其中，该滚压装置为一手动滚压装置、一半自动滚压装置或一全自动滚压装置。本技术所提出的一种可轻易滚压裂片的晶片结构，其中，该晶片基材背面的沟槽呈一井字形。因此，本技术所提供的一种可轻易滚压裂片的晶片结构，是利用晶片基材的背面相对应各切割道处以蚀刻方式分别形成一沟槽，再沿着所述沟槽以垂直及平行滚压方式裂片所述晶片基材，以形成若干个晶粒结构，即可达到分离晶粒的目的，而且本技术采用滚压的方式分裂晶粒，并非利用刀具切割晶粒，所以不会发生有刀具损坏等问题。此外，本技术因为在晶片基材的背面相对应各切割道处再以蚀刻方式分别形成一沟槽后，晶片基材结构仅剩下比原本少1/2左右的厚度，此时利用滚压裂片，因材质特性关系，晶粒即会随着晶片基材最薄处沟槽开始断裂，而这种滚压断裂仅会造成晶粒边缘些微的损坏，并不影响良率，因此可有效改善已知用刀具切割时造成晶粒边缘崩裂，或产生断裂不连续、毛边或是剥落情况等问题，故可有效提升晶粒良率。附图说明图1为本技术的晶片基材的剖面示意图；图2为本技术的垂直及水平切割道示意图；图3为本技术手动滚压装置对晶片基材进行裂片的示意图；图4为本技术于晶片基材背面形成若干条的水平及垂直沟槽示意图；图5为现有的刀具切割晶粒边缘崩裂示意图。附图标记说明：晶片基材1硅基板11 硼掺质区12磷掺质区13切割道14沟槽15光阻玻璃16晶粒2。具体实施方式由于本技术公开一种二极体晶片结构，其二极体磊晶片的制作相关原理已为相关
技术人员所能明了，故以下文中的说明，不再作完整描述。同时，以下文中所对照的图式，是表达与本技术特征有关的结构示意，并未亦不需要依据实际尺寸完整绘制。烦请参考图1及图2所示，为根据本技术的一较佳实施例，该晶片结构包括：一硅基板11，以磊晶成长法形成正面含有一硼(P) 的掺质区12，及背面含有一磷(N+)的掺质区13，以形成一晶片基材1，并在晶片基材1的正面形成若干条本质上相互平行的水平切割道14与若干条本质上彼此平行的垂直切割道14(如图2所示），接着以蚀刻方式，例如湿蚀刻（wet etch)或电浆蚀刻（plasma etch) 方式，使切割道14定义有若干个晶粒区2，而本技术的改进在于：在所述晶片基材1的背面相对应各切割道14处再以蚀刻方式例如湿蚀刻（wet etch)或电浆蚀刻（plasma etch) 方式分别形成一沟槽15，等晶片基材1施以光阻玻璃16披覆以保护PN接点后，然后沿着所述沟槽15利用手动滚压装置3以垂直及平行方向对所述晶片基材1进行裂片，以形成若干个晶粒2结构，如图3所示。在本实施例中，滚压装置并不以手动滚压装置3为限，其也可依实际制程所需而有所不同，例如以半自动滚压装置或全自动滚压装置进行裂片，在此，仅以一最佳实施例表现。值得一提的事，所述沟槽15以对应晶片基材1正面各水平及垂直切割道14处而形成，因此，所述沟槽15亦于晶片基材1背面形成若干条本质上相互平行的水平沟槽15与若干条本质上彼此平行的垂直沟槽15 ，而呈一井字形(如图4所示）。由于本技术采用滚压的方式分裂晶粒2，并非利用刀具切割晶粒，所以不会发生有刀具损坏等问题。此外，本技术因为在晶片基材1的背面相对应各切割道14处再以蚀刻方式分别形成一沟槽15后，晶片基材1结构仅剩下比原本少1/2左右的厚度，此时利用滚压裂片，因材质特性关系，晶粒2即会随着晶片基材1最薄处沟槽15开始断裂，而这种滚压断裂仅会造成晶粒边缘些微的损坏，并不影响良率，因此可有效改善已知用刀具切割时造成晶粒边缘崩裂，或产生断裂不连续、毛边或是剥落情况等问题，故可有效提升晶粒2良率。以上所述实施例仅是为充分说明本技术而所举的较佳的实施例，本技术的保护范围不限于此。本
的技术人员在本技术基础上所作的等同替代或变换，均在本技术的保护范围之内。本技术的保护范围以权利要求书为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可轻易滚压裂片的晶片结构，包括：一硅基板，含有一硼掺质区及一磷掺质区，以形成一晶片基材，并在晶片基材的正面形成若干条切割道，该切割道有若干个以蚀刻方式定义的晶粒区，其特征在于：在该晶片基材的背面相对应各该切割道处分别具有一以蚀刻方式形成的沟槽，并沿着该沟槽，形成若干个利用一滚压装置以垂直及平行方向对该晶片基材进行滚压裂片成形的晶粒结构。

【技术特征摘要】
1.一种可轻易滚压裂片的晶片结构，包括：一硅基板，含有一硼掺质区及一磷掺质区，以形成一晶片基材，并在晶片基材的正面形成若干条切割道，该切割道有若干个以蚀刻方式定义的晶粒区，其特征在于：在该晶片基材的背面相对应各该切割道处分别具有一以蚀刻方式形成的沟槽，并沿着该沟槽，形成若干个利用一滚压装置以垂直及平行方向对该晶片基材进行滚压裂片成形的晶粒结构。2.如权利要求1所述的可轻易滚压裂...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭工及，萧上智，张靖奇，
申请(专利权)人：亚昕科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71