晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供一种晶片的加工方法，包括：晶片支撑工序，在晶片的背面贴附切割带的正面并通过环状框架支撑切割带的外周部；晶片保持工序，在保持台的保持面上保持晶片的正面侧，并且通过框架夹钳固定环状框架；环状改质层形成工序，从切割带的背面侧透过切割带，将激光光线的聚光点定位于器件区域与外周剩余区域之间的边界部的内部并沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部照射激光光线，在晶片的内部沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部形成环状的改质层的环状改质层形成工序；以及改质层形成工序，从切割带的背面侧透过切割带将激光光线的聚光点定位于晶片的内部并沿着分割预定线照射激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在正面由呈格子状排列的分割预定线划分出多个区域，且在该被划分出的多个区域上形成有器件的晶片的加工方法。
技术介绍
在半导体器件制造工艺中，在呈大致圆板形状的半导体晶片的正面被呈格子状排列的分割预定线划分出多个区域，并且在该被划分出的多个区域上形成IC、LSI等的器件。而且，通过沿着分割预定线切断半导体晶片，从而分割形成有器件的区域以制造出各个半导体器件。作为分割上述半导体晶片等的晶片的方法，还可以尝试如下的激光加工方法，使用对晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，并将聚光点定位于待分割区域的内部并照射脉冲激光光线。使用这种激光加工方法的分割方法是如下的技术，从晶片的一个正面侧在内部定位聚光点，并且沿着分割预定线照射对晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线连续形成作为断裂起点的改质层，并沿着由于形成该改质层而强度降低的分割预定线施加外力，从而分割晶片，可期待得到使分割预定线的宽度形成得极小的效果(例如，参照专利文献1)。在上述的在晶片内部沿着分割预定线形成作为断裂起点的改质层，并沿着形成有该改质层的分割预定线分割晶片的方法中，为了在分割预定线的宽度较小的晶片上形成改质层，因而优选从未形成有器件的背面侧照射激光光线，此外，在拾取沿着分割预定线分割晶片而得到的器件的工序中优选使得形成有器件的正面侧露出，因而从晶片的背面侧起沿着分割预定线照射对晶片具有透过性的波长的激光光线，从而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层，并且在形成有该改质层的晶片的背面贴附切割带且通过环状框架支撑切割带的外周部后，对晶片赋予外力，从而将晶片分割为各个器件(例如，参照专利文献2)。如上所述，在晶片的内部沿着分割预定线形成了改质层后，如果将形成有改质层的晶片的背面贴附于切割带上，则晶片可能会破损，因而提出了一种方法，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层之前，在晶片的背面上贴附切割带的正面并将切割带的外周部安装于环状框架，此后，从切割带的背面侧透过切割带而将激光光线的聚光点定位于晶片的内部，并沿着分割预定线照射激光光线(例如，参照专利文献3)。专利文献1日本专利第3408805号公报专利文献2日本特开2006-54246号公报专利文献3日本特开2012-84618号公报然而，在形成于器件上的电极是突起状的凸块电极的晶片之中，如果将背面贴附于切割带上的晶片的正面侧保持于激光加工装置的保持台，并且通过安装于保持台的框架固定单元保持安装有切割带的环状框架，则切割带会压低晶片的外周部，在沿着分割预定线照射激光光线在内部形成改质层时，存在由于向下按压的应力而使得在晶片的外周部相邻的器件发生破损的问题。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种激光加工方法，针对形成于器件上的电极是突起状的凸块电极的晶片，从切割带的背面侧透过切割带而将激光光线的聚光点定位于晶片的内部，并沿着分割预定线照射激光光线，从而能够在不使器件破损的情况下在晶片的内部沿着分割预定线形成期望的改质层。为了解决上述主要技术课题，本专利技术提供一种晶片的加工方法，该晶片具有器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域，该器件区域是在正面的由多条分割预定线划分出的各区域分别形成了具有凸块电极的器件的区域，该方法的特征在于，包括：晶片支撑工序，在晶片的背面贴附切割带的正面，并且通过环状框架支撑切割带的外周部；晶片保持工序，在保持台的保持面上隔着该切割带保持晶片的正面侧，并且通过框架夹钳固定环状框架；环状改质层形成工序，从切割带的背面侧透过切割带将对切割带和晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于器件区域与外周剩余区域之间的边界部的内部，并沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部照射激光光线，在晶片的内部沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部形成环状的改质层；以及改质层形成工序，在实施了该环状改质层形成工序后，从切割带的背面侧透过切割带将对切割带和晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片的内部，并沿着分割预定线照射激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层。专利技术的效果根据本专利技术的激光加工方法，在实施改质层形成工序时，在半导体晶片的内部沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部形成环状的改质层，因此器件区域与外周剩余区域被切断，通过切割带压紧外周剩余区域时产生的应力不会传递至器件区域。因此，可以消除在改质层形成工序中沿着分割预定线在半导体晶片的内部形成改质层时，在外周剩余区域上相邻的器件发生破损的问题。附图说明图1是半导体晶片的立体图。图2是表示将被实施了晶片支撑工序的半导体晶片贴附于在环状框架上安装的切割带的正面的状态的立体图。图3是激光加工装置的立体图。图4是表示晶片保持工序的局部剖面侧视图。图5是表示环状改质层形成工序的局部剖面侧视图。图6是表示改质层形成工序的局部剖面侧视图。标号说明2：半导体晶片，21：分割预定线，22：器件，221：凸块电极，25、26：改质层，3：环状框架，30：切割带，4：激光加工装置，5：保持台机构，56：保持台，6：激光光线照射组件，7：激光光线照射单元，71：聚光器。具体实施方式以下，参照附图详细说明本专利技术的晶片的加工方法的优选实施方式。参照图1，示出了通过本专利技术的晶片的加工方法而加工的半导体晶片2的立体图。图1所示的半导体晶片2由厚度为300μm且直径为200mm的硅晶片构成，在正面2a呈格子状形成有多条分割预定线21，并且在由该多条分割预定线21划分出的多个区域上形成有IC、LSI等的器件22。如上构成的半导体晶片2具有形成有器件22的器件区域23、以及围绕该器件区域23的外周剩余区域24。另外，在上述器件22的正面分别设有多个凸块电极221。该凸块电极221的高度形成为50μm～200μm左右。在上述半导体晶片2的内部沿着分割预定线21形成改质层时，首先实施晶片支撑工序，即在半导体晶片2的背面2b贴附切割带的正面，并且通过环状框架支撑切割带的外周部。即，如图2所示，以覆盖环状框架3的内侧开口部的方式，在安装有外周部的切割带30的正面30a贴附半导体晶片2的背面2b。另外，切割带30例如由聚氯乙烯(PVC)片形成。接着，参照图3说明用于实施在上述半导体晶片2的内部沿着分割预定线21形成改质层的激光加工的激光加工装置。图3所示的激光加工装置4具有：静止基台40；以能够在箭头X本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，该晶片具有器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域，该器件区域是在正面的由多条分割预定线划分出的各区域分别形成了具有凸块电极的器件的区域，该加工方法的特征在于，包括：晶片支撑工序，在晶片的背面贴附切割带的正面，并且通过环状框架支撑切割带的外周部；晶片保持工序，在保持台的保持面隔着该切割带保持晶片的正面侧，并且通过框架夹钳固定环状框架；环状改质层形成工序，从切割带的背面侧透过切割带，将对切割带和晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于器件区域与外周剩余区域之间的边界部的内部而沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部进行照射，在晶片的内部沿着器件区域与外周剩余区域之间的边界部形成环状改质层；以及改质层形成工序，在实施了环状改质层形成工序后，从切割带的背面侧透过切割带，将对切割带和晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片的内部而沿着分割预定线进行照射，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层。

【技术特征摘要】
2014.10.09 JP 2014-2078021.一种晶片的加工方法，该晶片具有器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余
区域，该器件区域是在正面的由多条分割预定线划分出的各区域分别形成了具有凸块
电极的器件的区域，
该加工方法的特征在于，包括：
晶片支撑工序，在晶片的背面贴附切割带的正面，并且通过环状框架支撑切割带
的外周部；
晶片保持工序，在保持台的保持面隔着该切割带保持晶片的正面侧，并且通过框
架夹钳固定环状框架；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下阳平，古田健次，李怡慧，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP