晶片的加工方法技术

本发明专利技术的课题在于提供晶片的加工方法，当在形成了由脉冲激光光线形成的改质层和裂痕之后执行磨削工序而分割成各个器件的情况下，不会导致器件的品质降低。为了解决上述课题，将在本发明专利技术的晶片的加工方法的改质层形成工序中设定的脉冲激光光线的功率设定为按照如下的方式形成改质层以及裂痕的功率：通过按照在背面磨削工序中设定的规定的磨削条件进行磨削，从而能够在达到完工厚度之前将晶片分割成各个器件芯片，而且在分割成各个器件芯片之后，直到达到完工厚度为止的时间是不存在各个器件芯片彼此磨擦而产生损伤的情况的时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片的加工方法，对在正面呈格子状形成有多条间隔道(分割预定线)并且在由该多条间隔道划分的多个区域内形成有器件的晶片沿着间隔道进行分割。
技术介绍
在半导体器件制造工艺中，通过在大致圆板形状的半导体晶片的正面呈格子状排列的称为间隔道的分割预定线来划分出多个区域，在该划分出的区域内形成IC、LSI等器件。并且，通过沿着间隔道切断晶片从而对形成有器件的区域进行分割而制造出各个器件芯片。作为沿着上述的晶片的间隔道进行分割的方法还尝试了如下的激光加工方法：使用对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，使聚光点对准待分割区域的内部而照射脉冲激光光线。当对使用了该激光加工方法的分割方法的一例进行更具体地说明时，在形成有器件的晶片正面配设保护部件，从晶片的背面将对于晶片具有透过性的波长的激光光线定位在与分割预定线对应的晶片内部而进行照射，在沿着分割预定线形成改质层之后，将配设在晶片的正面的保护部件侧保持在保持单元上，通过磨削单元对晶片的背面进行磨削而加工到目标完工厚度。通过该加工将改质层去除，并且沿着分割预定线将晶片分割成各个器件芯片(例如，参照专利文献1)。根据该分割工序，在形成改质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，将该晶片分割成各个器件芯片，在该晶片中，多个器件由分割预定线划分而形成在正面上，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：保护部件配设工序，在晶片的正面配设保护部件；改质层形成工序，将对于配设有该保护部件的晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在沿着分割预定线的晶片的内部，并且以规定的功率照射该脉冲激光光线，形成改质层和从该改质层朝向正面背面延伸的裂痕；以及背面磨削工序，在实施了该改质层形成工序之后，将该保护部件侧保持在卡盘工作台上，按照规定的磨削条件利用磨削磨轮对晶片的背面进行磨削而分割成各个器件芯片，并且去除该改质层并进行磨削直至达到目标完工厚度，将在该改质层形成工...

【技术特征摘要】
2015.07.06 JP 2015-1355311.一种晶片的加工方法，将该晶片分割成各个器件芯片，在该晶片中，多个器件由分割预定线划分而形成在正面上，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：保护部件配设工序，在晶片的正面配设保护部件；改质层形成工序，将对于配设有该保护部件的晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在沿着分割预定线的晶片的内部，并且以规定的功率照射该脉冲激光光线，形成改质层和从该改质层朝向正面背面延伸的裂痕；以及背面磨削工序，在实施...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村胜，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP