硅晶片的激光加工方法技术

本发明专利技术涉及一种硅晶片的激光加工方法，上述硅晶片的激光加工方法包括激光加工的位置由多条第一切割道中位于边缘的一条第一切割道的一端起始，沿第一切割道激光划片；之后重复激光加工的位置移到与刚划片过的第一切割道相邻的一条第一切割道继续划片的步骤，直至加工到硅晶片的垂直于第一切割道延伸方向的中间位置的步骤，以及其他步骤。在第一切割道划片时，先由边缘的第一切割道开始加工，加工到一半后，调整激光加工起始位置再由另一边缘的第一切割道开始加工，直至加工完成另一半。完成第一切割道划片后，再用相同的方法在第二切割道划片，从而完成整个硅晶片的激光切割。通过上述方法可以避免硅晶片自裂，提高产品的良品率和加工效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光加工的
，特别是涉及一种硅晶片的激光加工方法。
技术介绍
在半导体晶圆激光微加工行业中，晶圆由相互交错的切割道将单个小芯粒分离，一般采用激光加工的方式将晶圆片切割分离成单个芯粒，该加工领域涵盖蓝宝石衬底的LED晶圆片加工，玻璃衬底的晶圆级封装芯片加工，硅或碳化硅衬底的集成电路芯片加工。例如在LED晶圆片行业中，单个芯粒的尺寸范围是100um-500um，众多单个芯粒周期性排列在整个晶圆片内，芯粒和芯粒之间由相互垂直交错的切割道分隔，激光在加工过程中首先需要对切割道进行对位，也就是将激光聚焦的焦点对准切割道的中心，在对位确定完成之后再进行激光加工切割。加工过程中，存在激光加工后晶圆片沿着切割道出现自裂现象，随着技术的发展，单个芯粒的尺寸越来越小，自裂现象愈加明显，如果按照原先确定好的步距进行加工，会出现激光加工点偏离晶圆片切割道中心的问题，影响整体的激光加工良品率。为了解决晶圆在切割过程中由于自裂导致切割偏移的问题，需要增加暂停次数，以对位校正，进而导致加工效率低。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述问题，提供一种能够保证加工良品率和加工效率的可应用于加工小尺寸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅晶片的激光加工方法，所述硅晶片包括多个芯粒，所述硅晶片的表面预设多条平行的第一切割道和多条平行的第二切割道，所述第一切割道与所述第二切割道相互交错，以分隔所述多个芯粒；其特征在于，所述硅晶片的激光加工方法包括如下步骤：由多条所述第一切割道中位于边缘的一条所述第一切割道的一端开始划片；之后继续划片相邻的一条所述第一切割道，直至加工到所述硅晶片的垂直于所述第一切割道延伸方向的中间位置；由多条所述第一切割道中位于另一边缘的一条所述第一切割道的一端开始划片；之后继续划片相邻的一条所述第一切割道，直至多条所述第一切割道均完成划片；由多条所述第二切割道中位于边缘的一条所述第二切割道的一端开始划片；之...

【技术特征摘要】
1.一种硅晶片的激光加工方法，所述硅晶片包括多个芯粒，所述硅晶片的表面预设多条平行的第一切割道和多条平行的第二切割道，所述第一切割道与所述第二切割道相互交错，以分隔所述多个芯粒；其特征在于，所述硅晶片的激光加工方法包括如下步骤：由多条所述第一切割道中位于边缘的一条所述第一切割道的一端开始划片；之后继续划片相邻的一条所述第一切割道，直至加工到所述硅晶片的垂直于所述第一切割道延伸方向的中间位置；由多条所述第一切割道中位于另一边缘的一条所述第一切割道的一端开始划片；之后继续划片相邻的一条所述第一切割道，直至多条所述第一切割道均完成划片；由多条所述第二切割道中位于边缘的一条所述第二切割道的一端开始划片；之后继续划片相邻的一条所述第二切割道，直至加工到所述硅晶片的垂直于所述第二切割道延伸方向的中间位置；以及由多条所述第二切割道中位于另一边缘的一条所述第二切割道的一端开始划片；之后继续划片相邻的一条所述第二切割道，直至多条所述第二切割道均完成划片。2.根据权利要求1所述的硅晶片的激光加工方法，其特征在于，多条所述第一切割道和多条所述第二切割道均呈直形，且均延伸至所述硅晶片的边缘处。3.根据权利要求1所述的硅晶片的激光加工方法，其特征在于，在激光划片时，激光焦点固定不动，所述硅晶片匀速移动。4.根据权利要求3所述的硅晶片的激光加工方法，其特征在于，所述硅晶片固定在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王焱华，陈治贤，庄昌辉，马国东，曾威，朱炜，尹建刚，高云峰，
申请(专利权)人：大族激光科技产业集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44