晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，将在SiC基板的第一面上通过相互交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件的晶片分割成一个个的器件芯片，具有：分割起点形成步骤，沿着形成于第一面的多条分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的分割起点；保护部件配设步骤，在第一面上配设保护部件；分离起点形成步骤，从第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在分割起点的附近，一边使聚光点和SiC基板相对地移动一边对第二面照射激光束，形成与第一面平行的改质层和从改质层沿着c面延伸的裂痕而作为分离起点；和晶片分离步骤，施加外力而从分离起点将具有第二面的晶片从具有形成有多个器件的第一面的晶片分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片的加工方法，将在SiC基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成一个个的器件芯片。
技术介绍
在将硅基板作为原材料的晶片的正面上层叠功能层，在该功能层上在由多条分割预定线划分出的区域中形成IC、LSI等各种器件。并且，在通过磨削装置对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化到规定的厚度之后，通过切削装置、激光加工装置等加工装置对晶片的分割预定线实施加工，将晶片分割成一个个的器件芯片，分割得到的器件芯片广泛应用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。并且，在将SiC基板作为原材料的晶片的正面上层叠功能层，在该功能层上在由多条分割预定线划分出的区域中形成功率器件或者LED、LD等光器件。并且，与上述的硅晶片同样，在通过磨削装置对晶片的背面进行磨削而薄化到规定的厚度之后，通过切削装置、激光加工装置等对晶片的分割预定线实施加工，将晶片分割成一个个的器件芯片，分割得到的器件芯片广泛应用于各种电子设备。专利文献1：日本特开2002-373870号公报但是，SiC基板与硅基板相比莫氏硬度非常高，当通过具有磨削磨具的磨削轮对由SiC基板构成的晶片的背面进行磨削时，磨削磨具会磨损磨削量的4～5倍左右而存在经济性非常差的问题。例如，当将硅基板磨削100μm时磨削磨具会磨损0.1μm，与此相对当将SiC基板磨削100μm时磨削磨具会磨损400～500μm，与磨削硅基板的情况相比磨损4000～5000倍。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的点而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，将由在正面上具有多个器件的SiC基板构成的晶片薄化至规定的厚度并且分割成一个个的器件芯片。根据本专利技术，提供一种晶片的加工方法，将晶片分割成一个个的器件芯片，该晶片在SiC基板的第一面上由相互交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件，该SiC基板具有：第一面；位于该第一面的相反侧的第二面；从该第一面至该第二面的c轴；以及与该c轴垂直的c面，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：分割起点形成步骤，沿着形成于该第一面的该多条分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的分割起点；保护部件配设步骤，在实施了该分割起点形成步骤之后，在该第一面上配设保护部件；分离起点形成步骤，在实施了该保护部件配设步骤之后，从该第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在该分割起点的附近，并且一边使该聚光点和SiC基板相对地移动一边对该第二面照射激光束，形成与该第一面平行的改质层和从该改质层沿着c面延伸的裂痕而作为分离起点；以及晶片分离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，施加外力而从该分离起点将具有该第二面的晶片从具有形成有多个器件的该第一面的晶片分离，该分离起点形成步骤包含如下的步骤：改质层形成步骤，该c轴相对于该第二面的垂线倾斜偏离角，使激光束的聚光点沿着与在该第二面和该c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层；以及转位步骤，在形成该偏离角的方向上使该聚光点相对地移动而转位规定的量。优选在晶片分离步骤中，通过将具有第二面的晶片分离而将具有第一面的晶片分割成一个个的器件芯片。优选在实施了晶片分离步骤之后，对具有形成有多个器件的第一面的晶片的背面进行磨削而进行平坦化并且将晶片分割成一个个的器件芯片。根据本专利技术的晶片的加工方法，在实施了分割起点形成步骤之后，实施分离起点形成步骤，在晶片内部的整个面上形成由改质层和从该改质层沿着c面延伸的裂痕构成的分离起点，然后对晶片施加外力而以改质层和裂痕为分离起点将晶片分离成两部分，因此能够在不利用磨削磨具对SiC基板的第二面进行磨削的情况下将其薄化而分割成一个个的器件芯片，能够解决因磨削磨具磨损而经济性差的问题。并且，在对薄化后的晶片的背面进行磨削而使其平坦化的情况下，只要将晶片的背面磨削1～5μm左右即可，能够将此时的磨削磨具的磨损量抑制为4～25μm左右。此外，由于能够将具有分离后的第二面的晶片作为SiC基板进行再利用，因此是经济的。附图说明图1是适合实施本专利技术的晶片的加工方法的激光加工装置的立体图。图2是激光束产生单元的框图。图3的(A)是SiC锭的立体图，图3的(B)是其主视图。图4是SiC晶片的正面侧立体图。图5是示出分割起点形成步骤的第一实施方式的立体图。图6是示出分割起点形成步骤的第二实施方式的立体图。图7是示出在沿着分割预定线形成有分割起点的SiC晶片的正面上粘贴保护带的情形的立体图。图8的(A)是示出将SiC晶片隔着粘贴于正面的保护带而载置在卡盘工作台上的情形的立体图，图8的(B)是由卡盘工作台吸引保持的SiC晶片的立体图。图9是说明分离起点形成步骤的立体图。图10是SiC晶片的俯视图。图11是说明改质层形成步骤的示意性剖视图。图12是说明改质层形成步骤的示意性俯视图。图13的(A)、(B)是说明晶片分离步骤的立体图(其一)。图14是说明晶片分离步骤的立体图(其二)。图15是示出对晶片的背面进行磨削而将其平坦化的磨削步骤的立体图。图16是借助分割起点而被分割成一个个的器件芯片的SiC晶片的背面侧立体图。标号说明2：激光加工装置；11：SiC锭；13、37：第一定向平面；15、39：第二定向平面；19：c轴；21：c面；30：激光束照射单元；31：SiC晶片；36：聚光器(激光头)；41：槽；43：改质层；45：裂痕；47：保护带；49：分离面；64：切削刀具；76：磨削轮；82：磨削磨具。具体实施方式以下，参照附图详细地说明本专利技术的实施方式。参照图1，示出了适合实施本专利技术的晶片的加工方法的激光加工装置2的立体图。激光加工装置2包含以能够在X轴方向上移动的方式搭载在静止基台4上的第一滑动块6。第一滑动块6借助由滚珠丝杠8和脉冲电动机10构成的加工进给机构12而沿着一对导轨14在加工进给方向、即X轴方向上移动。第二滑动块16以能够在Y轴方向上移动的方式搭载在第一滑动块6上。即，第二滑动块16借助由滚珠丝杠18和脉冲电动机20构成的分度进给机构22而沿着一对导轨24在分度进给方向、即Y轴方向上移动。在第二滑动块16上搭载有具有吸引保持部26a的卡盘工作台26。卡盘工作台26能够借助加工进给机构12和分度进给机构22在X轴方向和Y轴方向上移动，并且借助收纳在第二滑动块16中的电动机而旋转。柱28竖立设置于静止基台4，在该柱28上安装有激光束照射机构(激光束照射构件)30。激光束照射机构30由收纳在外壳32中的图2所示的激光束产生单元34和安装于外壳32的前端的聚光器(激光头)36构成。在外壳32的前端安装有具有显微镜和照相机的拍摄单元38，该拍摄单元38与聚光器36在X轴方向上排列。如图2所示，激光束产生单元34包含：振荡出YAG激光或者YVO4激光的激光振荡器40、重复频率设定构件42、脉冲宽度调整构件44、以及功率调整构件46。虽然未特别进行图示，但激光振荡器40具有布鲁斯特窗，从激光振荡器40射出的激光束是直线偏光的激光束。被激光束产生单元34的功率调整构件46调整成规定的功率的脉冲激光束被聚光器36的反射镜48反射，进而通过聚光透镜50将聚光点定位在卡盘工作台26所保持的作为被加工物的SiC晶片31的内部而进行照射。参照图3的(A)，示出了SiC锭(以下，有时简称为锭)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，将晶片分割成一个个的器件芯片，该晶片在SiC基板的第一面上由相互交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件，该SiC基板具有：第一面；位于该第一面的相反侧的第二面；从该第一面至该第二面的c轴；以及与该c轴垂直的c面，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：分割起点形成步骤，沿着形成于该第一面的该多条分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的分割起点；保护部件配设步骤，在实施了该分割起点形成步骤之后，在该第一面上配设保护部件；分离起点形成步骤，在实施了该保护部件配设步骤之后，从该第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在该分割起点的附近，并且一边使该聚光点和SiC基板相对地移动一边对该第二面照射激光束，形成与该第一面平行的改质层和从该改质层沿着c面延伸的裂痕而作为分离起点；以及晶片分离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，施加外力而从该分离起点将具有该第二面的晶片从具有形成有多个器件的该第一面的晶片分离，该分离起点形成步骤包含如下的步骤：改质层形成步骤，该c轴相对于该第二面的垂线倾斜偏离角，使激光束的聚光点沿着与在该第二面和该c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层；以及转位步骤，在形成该偏离角的方向上使该聚光点相对地移动而转位规定的量。...

【技术特征摘要】
2015.08.18 JP 2015-1608481.一种晶片的加工方法，将晶片分割成一个个的器件芯片，该晶片在SiC基板的第一面上由相互交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件，该SiC基板具有：第一面；位于该第一面的相反侧的第二面；从该第一面至该第二面的c轴；以及与该c轴垂直的c面，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：分割起点形成步骤，沿着形成于该第一面的该多条分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的分割起点；保护部件配设步骤，在实施了该分割起点形成步骤之后，在该第一面上配设保护部件；分离起点形成步骤，在实施了该保护部件配设步骤之后，从该第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在该分割起点的附近，并且一边使该聚光点和SiC基板相对地移动一边对该第二面照射激光束，形成与该第一面平行的改质层和从该改质层沿着c面延伸的裂痕而作为分离起点...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田和也，西野曜子，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP