晶片的加工方法技术

技术编号:14744738 阅读:91 留言:0更新日期:2017-03-01 20:43
提供晶片的加工方法,对于采用先划片的情况下的半导体器件的背面,不使生产性恶化而对各个器件敷设固晶用树脂。一种晶片的加工方法,在该晶片中,在正面上由交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件,该方法具有如下的工序:保护部件配设工序,在被分割成各个器件芯片的晶片的正面上配设对该正面进行保护的保护部件;树脂敷设工序,将液状的固晶用树脂涂布在晶片的背面上并使其固化,从而将固晶用的树脂敷设在各个器件芯片的背面上;以及分离工序,将背面上敷设有该树脂的该器件芯片从晶片分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片的加工方法,在晶片的背面所具有的多个器件芯片上形成固晶(diebond)用树脂。
技术介绍
在IC、LSI等中使用的半导体器件的制造工艺中,将在正面上借助分割预定线划分而形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,从而形成半导体器件芯片。并且,通过对该半导体器件芯片进行封装而将其应用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。分割得到的半导体器件芯片被胶接(粘结)在引线框架(金属制基板)等上,作为对该半导体器件芯片的背面敷设用于与引线框架粘结的胶接材料的方法,公知如下的方法:在被分割成各个器件芯片之前的晶片的背面上粘接与该晶片大致相同大小的DAF(die-attachfilm:粘片膜),从晶片的正面侧通过划片将晶片分割成各个器件芯片,并且与各个器件芯片对应地将胶接材料切断,将分割得到的各个器件芯片从该晶片分离而取出各个器件芯片,从而得到在背面上敷设有胶接材料的半导体器件芯片(例如,参照专利文献1)。在采用上述的胶接材料的敷设方法的情况下,以如下操作作为前提:从背面侧进行磨削(薄化)以使晶片达到希望的厚度,并在将该DAF粘接于磨削后的背面上之后从正面侧进行划片,将晶片分割成各个器件芯片。然而,在采用通过使用切削刀具从正面侧进行划片以设置出深度相当于完工厚度的分离槽然后对背面进行磨削而分割成各个器件芯片的所谓的被称为先划片的技术的情况下,由于与完成背面磨削同时地,晶片被分割成各个器件芯片,所以难以采用上述的方法。因此,当对采用了先划片的情况下的器件芯片的背面敷设作为胶接材料的例如固晶用树脂的情况下,尝试了如下的方式:在分割成各个半导体器件芯片之后,在将各个半导体器件芯片从晶片取出之前,将固晶用的树脂膜粘接于晶片的背面整体,从晶片的正面的分离槽侧采取照射激光光线等方式而与该半导体器件芯片对应地对该膜进行分割(例如,参照专利文献2)。另外,作为沿着分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的分离槽的方法,并不仅限于借助上述切削刀具,也能够通过蚀刻等来形成上述分离槽(例如,参照专利文献3)。专利文献1:日本特开2000-182995号公报专利文献2:日本特开2002-118081号公报专利文献3:日本特开2006-294913号公报在采用了上述的先划片的情况下的敷设固晶用树脂的方法中,产生了如下问题:需要区别于半导体器件的分割而对粘接在背面上的固晶用的树脂膜进行切断,会成为比较复杂的工序。进一步说,对于结束了划片后所执行的背面磨削而被分割成各个半导体器件芯片后的晶片的分割预定线而言,存在因背面磨削时的从磨削磨具所施加的负荷而导致与分割前的分割预定线相比其宽度和位置发生变化且直线性受损等可能性,也存在很难通过物理的加工构件沿着该分割预定线进行分割的担心等,存在生产性恶化的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述事实而完成的。其主要的技术的课题在于提供晶片的加工方法,对于采用先划片的情况下的半导体器件的背面,不使生产性恶化而对各个器件敷设固晶用树脂。为了解决上述主要的技术课题,根据本专利技术,提供一种晶片的加工方法,在该晶片中,在正面上由交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件,该晶片的加工方法具有如下的工序:保护部件配设工序,在被分割成各个器件芯片的晶片的正面上配设对该正面进行保护的保护部件;树脂敷设工序,将液状的固晶用树脂涂布在晶片的背面上并使其固化,从而将固晶用的树脂敷设在各个器件芯片的背面上;以及分离工序,将背面上敷设有该树脂的该器件芯片从晶片分离。优选该保护部件配设工序包含如下的步骤:分离槽形成步骤,在配设该保护部件之前,形成深度相当于该器件芯片的完工厚度的分离槽;保护部件粘接步骤,将保护部件粘接在形成有该分离槽的该晶片的正面上;以及分割步骤,对该晶片进行薄化而使该分离槽在该晶片的背面露出,将该晶片分割成各个器件芯片。在该分离槽形成步骤中,能够通过沿着分割预定线使切削刀具切入、湿蚀刻或干蚀刻、沿着分割预定线照射激光光线中的任一种方式,形成具有相当于器件芯片的完工厚度的深度的分离槽。在该分割步骤中,优选对晶片的背面进行磨削而将其薄化,使分离槽在晶片的背面露出。优选在该树脂敷设工序之后,实施如下的移换工序:在敷设有该树脂的晶片的背面上粘接粘合带,并且利用具有对该晶片进行收纳的开口的框架隔着该粘合带对晶片进行支承,并从该晶片的正面将保护部件去除,在实施该移换工序之后,从该粘合带拾取器件芯片而实施该分离工序。优选该树脂敷设工序包含如下的步骤:保持步骤,使该晶片的背面露出而将该晶片保持在能够旋转的工作台上;涂布步骤,使该工作台旋转并使该液状树脂成为雾状而涂布在晶片的背面上;以及敷设步骤,对涂布在该晶片的背面上的液状树脂施加外界刺激而使其固化,从而将该树脂敷设在晶片的背面上。该涂布步骤优选包含如下的操作:使该液状树脂成为雾状而涂布在晶片的背面上从而在各个器件芯片的背面上形成薄膜层,之后,进一步与该薄膜层重叠地层积薄膜层而完成希望的厚度,而且,优选一次性涂敷的该薄膜层以3~7μm的厚度形成。根据本专利技术的晶片的加工方法,能够在分割得到的各个器件芯片的背面上以液态的形式涂布固晶用的树脂,与各个器件芯片对应地敷设固晶用的树脂。因此,即使在如以往技术那样通过先划片而得到了各个器件芯片的情况下,也不需要另行照射激光光线而对DAF与器件芯片对应地进行分割等的工序,不需要复杂的工序而提高了生产性。附图说明图1的(a)、(b)是示出用于执行分离槽形成步骤的切削装置的一部分的立体图和晶片的A-A剖视图。图2的(a)、(b)是示出安装保护部件的工序的立体图。图3的(a)、(b)是示出对晶片的背面进行磨削而对器件进行分割的分割工序的立体图。图4是示出在树脂敷设工序中涂布液状的固晶用树脂的工序的立体图。图5是示出在树脂敷设工序中对液状的固晶用树脂照射紫外线的工序的立体图。图6是示出在移换工序中剥离保护部件的工序的立体图。图7是示出将器件芯片从晶片分离的分离工序的剖视图。标号说明10:主轴单元;11:主轴外壳;12:旋转主轴;13:切削刀具;21:器件;22:分离槽;23:保护带(保护部件);30:卡盘工作台;33:磨削磨轮;50:涂布单元;51:涂布喷嘴;52:混合单元;53:摇动单元;54:高压空气容器;55:液体树脂容器;60:固晶用树脂层;70:分离装置;71:框架保持部件;72:夹具;73:扩张滚筒;720:支承构件。具体实施方式以下,参照附图对本专利技术的晶片的加工方法的优选的实施方式进行详细地说明。(保护部件配设工序)在图1中示出了执行分离槽形成步骤的状态,沿着形成在半导体晶片W的正面侧的分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的分离槽。如图1的(a)所示,通过具有主轴单元10的切削装置(省略了装置整体的图示)来执行上述分离槽形成步骤。该主轴单元10具有对固定在主轴12的前端部的切削刀具13进行保持的主轴外壳11。以规定的厚度(例如,700μm)形成的加工前的该半导体晶片W其正面20a侧被分割预定线划分成多个区域,在该被划分的各区域内形成有器件21。使与主轴12一起高速旋转的切削刀具13相对于背面侧20b侧被吸引保持在切削装置的保持工作台(省略图示)上的半导体晶片W下降而使其切入半导体晶片W,并使该保持工作台与切削刀具13本文档来自技高网
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晶片的加工方法

【技术保护点】
一种晶片的加工方法,在该晶片中,在正面上由交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件,该晶片的加工方法的特征在于,具有如下的工序:保护部件配设工序,在被分割成各个器件芯片的晶片的正面上配设对该正面进行保护的保护部件;树脂敷设工序,将液状的固晶用树脂涂布在晶片的背面上并使其固化,从而将固晶用的树脂敷设在各个器件芯片的背面上;以及分离工序,将背面上敷设有该树脂的该器件芯片从晶片分离。

【技术特征摘要】
2015.08.21 JP 2015-1633651.一种晶片的加工方法,在该晶片中,在正面上由交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件,该晶片的加工方法的特征在于,具有如下的工序:保护部件配设工序,在被分割成各个器件芯片的晶片的正面上配设对该正面进行保护的保护部件;树脂敷设工序,将液状的固晶用树脂涂布在晶片的背面上并使其固化,从而将固晶用的树脂敷设在各个器件芯片的背面上;以及分离工序,将背面上敷设有该树脂的该器件芯片从晶片分离。2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,该保护部件配设工序包含如下的步骤:分离槽形成步骤,在将该保护部件配设在晶片的正面上之前,沿着该分割预定线形成深度相当于该器件芯片的完工厚度的分离槽;保护部件粘接步骤,将保护部件粘接在形成有该分离槽的该晶片的正面上;以及分割步骤,对该晶片进行薄化而使该分离槽在该晶片的背面露出,将该晶片分割成各个器件芯片。3.根据权利要求2所述的晶片的加工方法,其中,在该分离槽形成步骤中,使切削刀具沿着分割预定线切入,形成具有相当于器件芯片的完工厚度的深度的分离槽。4.根据权利要求2所述的晶片的加工方法,其中,在该分离槽形成步骤中,通过湿蚀刻或干蚀刻而按照分割预定线形成深度相当于该器件芯片的完工厚度的分离槽。5.根据权利要求2所述的晶片的加工方法,...

【专利技术属性】
技术研发人员:灰本隆志小清水秀辉荒谷侑里香杉谷哲一
申请(专利权)人:株式会社迪思科
类型:发明
国别省市:日本;JP

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