【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片的加工方法。
技术介绍
1、随着近年来的器件芯片的低高度化、高集成化，不断开发三维层叠的半导体晶片。例如tsv(through-silicon via：硅通孔)晶片能够通过贯通电极将两个芯片彼此贴合而得的两芯片的电极连接。
2、这样的晶片在贴合于作为基台的支承晶片(硅、玻璃、陶瓷等)的状态下被磨削而薄化。通常晶片的外周缘被倒角，因此当磨削得极薄时，外周缘成为所谓的刀刃，在磨削中容易产生边缘的缺损。由此，存在缺损延长至器件而导致器件的破损的可能性。
3、作为刀刃的对策，开发了将晶片的正面侧的外周缘呈环状进行切削的所谓边缘修剪技术(参照专利文献1)。另外，还考虑了如下的边缘修剪方法：在将晶片贴合之后，沿着器件区域的外周缘照射激光束而形成环状的改质层，由此抑制该磨削中产生的晶片的边缘缺损伸展至器件(参照专利文献2)。
4、专利文献1：日本特许第4895594号公报
5、专利文献2：日本特开2020-057709号公报
6、但是，关于专利文献1的方法，存在切削时产生到达器件的崩边而使器件破损的可能性，另外，会产生大量的切削屑因此存在器件容易被污染物污染的课题。另外，关于专利文献2的方法，在改质层形成于比接合区域靠内侧的位置的情况下，存在磨削时想要去除的外周剩余区域的边角料未剥离而残留的可能性。
技术实现思路
1、由此，本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法，在贴合晶片的磨削工序中，能够抑制器件的破损并且能够将外周
2、根据本专利技术，提供晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：贴合晶片形成步骤，将在一个面上具有形成有多个器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域且外周缘进行了倒角的第一晶片的该一个面与第二晶片的一个面贴合，形成贴合晶片；改质层形成步骤，将对于该第一晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于第一晶片的该器件区域与该外周剩余区域的边界而从该一个面的相反侧的另一个面照射该激光束，沿着该边界而形成环状的改质层；磨削步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，将该贴合晶片的该第一晶片从该另一个面进行磨削而薄化至完工厚度；以及外力赋予步骤，在实施该磨削步骤的期间或实施了该磨削步骤之后，对于比通过该改质层形成步骤而形成有该改质层的区域靠外周缘侧的该外周剩余区域赋予外力，由此促进该外周剩余区域的脱离。
3、优选在该改质层形成步骤中，按照将该激光束的聚光点定位于越靠近该外周缘则越靠近该第一晶片的该一个面的位置的方式照射该激光束，由此形成沿着圆锥台的侧面的形状的改质层，该圆锥台从该第一晶片的该一个面侧朝向该另一个面侧具有倾斜。
4、优选在该改质层形成步骤中，按照从该改质层伸展的裂纹不露出于该第一晶片的该一个面侧的方式照射激光束，由此在实施该磨削步骤的期间抑制该外周剩余区域的脱离，并且在该外力赋予步骤中使该外周剩余区域脱离。
5、优选在该外力赋予步骤中，对于该外周剩余区域赋予超声波，由此促进该外周剩余区域的脱离。
6、优选在该外力赋予步骤中，对该外周剩余区域吹送流体和固体中的至少任意一方，由此促进该外周剩余区域的脱离。
7、优选在该外力赋予步骤中，由能够在与该一个面垂直的方向上移动的按压部件对该外周剩余区域施加载荷，由此促进该外周剩余区域的脱离。
8、根据本申请专利技术，在贴合晶片的磨削工序中，能够抑制器件的破损并且能够将外周剩余区域去除。
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1.一种晶片的加工方法，其中，
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
4.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
5.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
6.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种晶片的加工方法，其中，
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
4.根...
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