【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置，特别涉及如下半导体装置，该半导体装置具有第1电路区域、第2电路区域、以及将所述第1电路区域和所述第2电路区域彼此分离的分离区域，该半导体装置设置有用于从所述第1电路区域向所述第2电路区域传输信号的信号传输元件。
技术介绍
1、日本专利第6843799号公报公开了如hvic(high voltageintegrated circuit)那样的具有伴随着绝缘及电平移位的信号传送功能的半导体装置。在该半导体装置中，第1信号输出电路连接于第1电源节点及第1接地节点。第2信号输出电路与第2电源节点及第2接地节点连接，该第2电源节点与第1电源节点电断开，该第2接地节点与第1接地节点电断开。pn结部由与第1接地节点电连接的p型部位、与第2电源节点电连接的n型部位形成。磁耦合元件具有彼此磁耦合的第1及第2导体线圈。第1导体线圈与第1信号输出电路的输出侧电连接。第2导体线圈与第2信号输出电路的输入侧电连接。通过该结构，由磁耦合元件执行伴随着绝缘的电平移位，而并未伴随着晶体管的高速通断。由此，根据该公报的主张，能够确保稳定的信号传送功能，并且对高频驱动时的功率损耗及噪声的产生进行抑制。
2、专利文献1：日本专利第6843799号公报
3、在上述公报的公开中，磁耦合元件(信号传输元件)配置于低电压区域(低电位侧电路区域)。低电位侧电路区域中的配置有信号传输元件的部分难以用于其它目的，从信号传输之外的观点出发，其实质上是无效区域。因此，在上述公报所记载的半导体装置中，由于需要确保配置有信号传输元件的区域
技术实现思路
1、本专利技术就是为了解决上述那样的课题而提出的，其目的在于提供能够对由设置信号传输元件引起的芯片尺寸增大进行抑制的半导体装置。
2、本专利技术涉及的一个半导体装置具有第1电路区域、第2电路区域、以及将所述第1电路区域和所述第2电路区域彼此分离的分离区域，该半导体装置设置有用于从所述第1电路区域向所述第2电路区域传输信号的信号传输元件。半导体装置具有：第1驱动电路，其配置于所述第1电路区域，具有第1基准电位；第2驱动电路，其配置于所述第2电路区域，具有作为与所述第1基准电位电分离的浮置电位的第2基准电位；高耐压末端构造，为了确保所述第1电路区域和所述第2电路区域之间的耐压，该高耐压末端构造配置于所述分离区域；至少1个初级线圈，其具有与所述第1电路区域电连接的两端部，该至少1个初级线圈在所述第2电路区域或所述分离区域内具有线圈轴，该至少1个初级线圈配置于所述分离区域；绝缘膜，其将所述至少1个初级线圈覆盖；以及两个次级线圈，它们具有与所述第2电路区域电连接的两端部，在所述第2电路区域或所述分离区域内具有线圈轴，所述两个次级线圈通过所述绝缘膜与所述至少1个初级线圈隔开，以与所述至少1个初级线圈磁耦合的方式配置于所述分离区域，与所述至少1个初级线圈一起包含于所述信号传输元件。
3、本专利技术涉及的另一个半导体装置具有第1电路区域、第2电路区域、以及将所述第1电路区域和所述第2电路区域彼此分离的分离区域，该半导体装置设置有用于从所述第1电路区域向所述第2电路区域传输信号的信号传输元件。半导体装置具有：第1驱动电路，其配置于所述第1电路区域，具有第1基准电位；第2驱动电路，其配置于所述第2电路区域，具有作为与所述第1基准电位电分离的浮置电位的第2基准电位；高耐压末端构造，为了确保所述第1电路区域和所述第2电路区域之间的耐压，该高耐压末端构造配置于所述分离区域；两个第1电极板，它们与所述第1电路区域电连接，配置于所述分离区域；绝缘膜，其将所述两个第1电极板覆盖；以及两个第2电极板，其与所述第2电路区域电连接，所述两个第2电极板通过所述绝缘膜与所述两个第1电极板隔开，以与所述两个第1电极板各自进行电容耦合的方式配置于所述分离区域，与所述两个第1电极板一起包含于所述信号传输元件。
4、专利技术的效果
5、根据本专利技术的半导体装置，能够对由设置信号传输元件引起的芯片尺寸增大进行抑制。
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1.一种半导体装置，其具有第1电路区域、第2电路区域、以及将所述第1电路区域和所述第2电路区域彼此分离的分离区域，该半导体装置设置有用于从所述第1电路区域向所述第2电路区域传输信号的信号传输元件，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，
8.一种半导体装置，其具有第1电路区域、第2电路区域、以及将所述第1电路区域和所述第2电路区域彼此分离的分离区域，该半导体装置设置有用于从所述第1电路区域向所述第2电路区域传输信号的信号传输元件，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具有第1电路区域、第2电路区域、以及将所述第1电路区域和所述第2电路区域彼此分离的分离区域，该半导体装置设置有用于从所述第1电路区域向所述第2电路区域传输信号的信号传输元件，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，
【专利技术属性】
技术研发人员：吉野学，今西元纪，山口靖雄，今坂俊博，鸟井阳平，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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