【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及制造集成电路，并且更具体地，涉及制造包括电容器的集成电路，例如，rc滤波器(包括电阻器和电容器)、lc滤波器(包括电感器和电容器)或rlc滤波器(包括电阻器、电感器和电容器)。
技术介绍
1、已提供众多制造包括电容器的集成电路的方法。这些方法有各种缺点。因此，需要改进制造包括电容器的集成电路的方法，以解决已知方法的全部或一些缺点。
技术实现思路
1、一个实施例提供了一种制造电容器的方法，所述方法包括以下顺序步骤：
2、a)形成包括底面和上面的堆叠件，所述堆叠件从所述堆叠件的底面起依次包括第一导电层、第一电极、第一电介质层、第二电极和第二导电层；
3、b)通过从所述堆叠件的所述上面起局部蚀刻来蚀刻在所述堆叠件的周边部分内的所述第二导电层、所述第二电极和所述第一电介质层的部分厚度；
4、c)在所述堆叠件的所述上面的侧部，在所述堆叠件的整个表面上方形成第二电介质层；以及
5、d)通过非局部垂直各向异性蚀刻，蚀刻所述第二电介质层、所述第一电介质层和所述第一电极，直到暴露所述堆叠件的在步骤b)中没有被蚀刻的中间部分中的所述第二导电层的上面以及在所述堆叠件的所述周边部分内的所述第一导电层的上面。
6、根据一个实施例，在步骤d)结束时，所述第二电介质层的一部分保留在所述堆叠件的所述中间部分的侧壁上。
7、根据一个实施例，步骤b)中的蚀刻是化学等离子体蚀刻。
8、根据一个实施例，步骤b)中的蚀刻的等
9、根据一个实施例，步骤d)中的蚀刻是在整个晶片上执行的。
10、根据一个实施例，步骤d)中的蚀刻是化学等离子体蚀刻。
11、根据一个实施例，步骤d)中的蚀刻的等离子体是基于氟的等离子体。
12、根据一个实施例，在步骤c)期间，共形地形成第二电介质层。
13、根据一个实施例，该方法在步骤a)和b)之间包括形成蚀刻掩模的步骤。
14、根据一个实施例，所述第一导电层和所述第二导电层是基于铝的层。
15、根据一个实施例，所述第一电介质层和所述第二电介质层由相同的材料制成。
16、根据一个实施例，所述第一电介质层和所述第二电介质层由氮化硅制成。
17、根据一个实施例，所述第一电极和所述第二电极由氮化钽制成。
18、另一实施例提供了一种电容器，所述电容器包括：第一导电层，在所述第一导电层上方形成堆叠件，所述堆叠件从所述第一层的上面起包括第一电极、第一电介质层、第二电极和第二导电层，所述堆叠件包括所述第二导电层、所述第二电极和所述第一电介质层的部分厚度内的梯级，用第二电介质层填充所述梯级，使得所述第一电极的侧壁相对于所述第二电介质层的侧壁对准。
19、根据一个实施例，根据上述方法形成电容器。
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1.一种制造电容器的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述非局部垂直各向异性蚀刻结束时，所述第二电介质层的一部分保留在所述堆叠件的所述中间部分的侧壁上。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述局部蚀刻是化学等离子体蚀刻。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述化学等离子体是基于氯的等离子体。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非局部垂直各向异性蚀刻在整个晶片上执行。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非局部垂直各向异性蚀刻是化学等离子体蚀刻。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述化学等离子体是基于氟的等离子体。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二电介质层包括在所述堆叠件的上面上的所述堆叠件的整个表面上方共形地形成所述第二电介质层。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电层和所述第二导电层是基于铝的层。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电介
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电介质层和所述第二电介质层由氮化硅制成。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极和所述第二电极由氮化钽制成。
14.一种电容器，包括：
15.根据权利要求14所述的电容器，其中，所述第一导电层和所述第二导电层是基于铝的层。
16.根据权利要求14所述的电容器，其中，所述第一电介质层和所述第二电介质层由相同的材料制成。
17.根据权利要求14所述的电容器，其中，所述第一电介质层和所述第二电介质层由氮化硅制成。
18.根据权利要求14所述的电容器，其中，所述第一电极和所述第二电极由氮化钽制成。
19.一种方法，所述方法包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第二电介质层的上表面与所述第二导电层的上表面相比是凹入的，并且所述第一电极、所述第一电介质层和所述第二电介质层的侧壁彼此对准。
...【技术特征摘要】
1.一种制造电容器的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述非局部垂直各向异性蚀刻结束时，所述第二电介质层的一部分保留在所述堆叠件的所述中间部分的侧壁上。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述局部蚀刻是化学等离子体蚀刻。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述化学等离子体是基于氯的等离子体。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非局部垂直各向异性蚀刻在整个晶片上执行。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非局部垂直各向异性蚀刻是化学等离子体蚀刻。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述化学等离子体是基于氟的等离子体。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二电介质层包括在所述堆叠件的上面上的所述堆叠件的整个表面上方共形地形成所述第二电介质层。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电层和所述第二导电层是基于铝的层。
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