【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及制造集成电路，并且更具体地，涉及制造包括电容器的集成电路，例如，rc滤波器(包括电阻器和电容器)、lc滤波器(包括电感器和电容器)或rlc滤波器(包括电阻器、电感器和电容器)。
技术介绍
1、已提供众多制造包括电容器的集成电路的方法。这些方法有各种缺点。因此，需要改进制造包括电容器的集成电路的方法，以解决已知方法的全部或一些缺点。
技术实现思路
1、一个实施例提供了一种制造电容器的方法，所述方法包括以下顺序步骤：
2、a)形成包括底面和上面的堆叠件，所述堆叠件从所述堆叠件的底面起依次包括第一导电层、第一电极、第一电介质层、第二电极和第二导电层；
3、b)通过从所述堆叠件的所述上面起局部蚀刻来蚀刻在所述堆叠件的周边部分内的所述第二导电层、所述第二电极和所述第一电介质层的部分厚度；
4、c)在所述堆叠件的所述上面的侧部，在所述堆叠件的整个表面上方形成第二电介质层；以及
5、d)通过非局部垂直各向异性蚀刻，蚀刻所述第二电介质层、所述...
【技术保护点】
1.一种制造电容器的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述非局部垂直各向异性蚀刻结束时，所述第二电介质层的一部分保留在所述堆叠件的所述中间部分的侧壁上。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述局部蚀刻是化学等离子体蚀刻。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述化学等离子体是基于氯的等离子体。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非局部垂直各向异性蚀刻在整个晶片上执行。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非局部垂直各向异性蚀刻是化学等离子体蚀刻。
7.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种制造电容器的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述非局部垂直各向异性蚀刻结束时，所述第二电介质层的一部分保留在所述堆叠件的所述中间部分的侧壁上。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述局部蚀刻是化学等离子体蚀刻。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述化学等离子体是基于氯的等离子体。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非局部垂直各向异性蚀刻在整个晶片上执行。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非局部垂直各向异性蚀刻是化学等离子体蚀刻。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述化学等离子体是基于氟的等离子体。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二电介质层包括在所述堆叠件的上面上的所述堆叠件的整个表面上方共形地形成所述第二电介质层。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电层和所述第二导电层是基于铝的层。
11....
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