【技术实现步骤摘要】
本公开一般涉及电子器件，并且更具体地，涉及防止过电压(例如防止静电放电或esd)的电子器件。
技术介绍
1、已知防止和保护免于静电放电的不同器件。
技术实现思路
1、存在一种用于改善防止静电放电的当前器件的性能的用途。
2、一个实施例提供了一种用于制造针对过电压的保护器件的方法，该方法按以下顺序包括以下步骤：
3、a)在半导体衬底上外延地形成半导体层；
4、b)使所述半导体层的上表面经受氟化等离子体处理；以及
5、c)在所述半导体层的上表面上方形成电绝缘层，并且点绝缘层接触所述上表面。
6、根据实施例，该方法在步骤a)之前包括在衬底的上部中形成导电类型与衬底的导电类型相对的第一半导体区域的步骤。
7、根据实施例，第一半导体区域和衬底之间的pn结形成保护器件的齐纳二极管。
8、根据实施例，该方法在步骤a)之后并且在步骤b)之前包括在半导体层的上部中形成导电类型与半导体层的导电类型相对的第二半导体区域的步骤。
9、根据实施例，半导体层和第二半导体区域之间的pn结构成保护器件的二极管。
10、根据实施例，半导体层具有与衬底相对的导电类型。
11、根据实施例，半导体层具有在1.1013原子/cm3和1.1015原子/cm3之间的掺杂水平。
12、根据一个实施方案，在步骤b)中施加的等离子体是氟化碳等离子体。
13、根据一个实施例，在步骤b)中施加的
14、根据实施例，电绝缘层是氧化硅层。
15、根据实施例，衬底和半导体层由硅制成。
16、根据实施例，衬底具有n型掺杂，半导体层具有p型掺杂。
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1.一种用于制造器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，包括：在形成所述半导体层之前，在所述衬底的上部中形成与所述衬底的所述第一导电类型相对的第二导电类型的第一半导体区域。
3.根据权利要求2所述的方法，包括：在所述第一半导体区域和所述衬底之间形成第一PN结。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一PN结是齐纳二极管。
5.根据权利要求3所述的方法，包括：在形成所述半导体层之后并且在在所述半导体层的所述上表面中形成所述氟化等离子体之前，在所述半导体层的所述上部中形成所述第一导电类型的第二半导体区域。
6.根据权利要求5所述的方法，包括：在所述半导体层和所述第二半导体区域之间形成PN结，所述PN结构成所述保护器件的二极管。
7.根据权利要求1的方法，其中所述半导体层具有所述第二导电类型。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体层具有在1.1013原子/cm3和1.1015原子/cm3之间的掺杂水平。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述氟化等离子体是氟化碳等离子体。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述氟化等离子体是电感耦合等离子体。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述电绝缘层是氧化硅层。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底和所述半导体层包括硅。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底具有N型掺杂并且所述半导体层具有P型掺杂。
14.一种方法，包括：
15.根据权利要求14所述的方法，包括：在所述半导体层和所述第二半导体区域上形成电绝缘层。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二半导体层相对于所述第一半导体层沿所述第一方向被居中定位。
17.根据权利要求15所述的方法，包括：蚀刻穿过所述电绝缘层以暴露所述第二半导体区域。
18.根据权利要求14所述的方法，其中所述半导体衬底和所述第二半导体区域具有第一导电类型，并且所述第一半导体区域和半导体层具有与所述第一导电类型相对的第二导电类型。
19.一种用于制造器件的方法，包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述间隙的第一侧沿横向于所述第一方向和所述第二方向二者的第三方向延伸。
...【技术特征摘要】
1.一种用于制造器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，包括：在形成所述半导体层之前，在所述衬底的上部中形成与所述衬底的所述第一导电类型相对的第二导电类型的第一半导体区域。
3.根据权利要求2所述的方法，包括：在所述第一半导体区域和所述衬底之间形成第一pn结。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一pn结是齐纳二极管。
5.根据权利要求3所述的方法，包括：在形成所述半导体层之后并且在在所述半导体层的所述上表面中形成所述氟化等离子体之前，在所述半导体层的所述上部中形成所述第一导电类型的第二半导体区域。
6.根据权利要求5所述的方法，包括：在所述半导体层和所述第二半导体区域之间形成pn结，所述pn结构成所述保护器件的二极管。
7.根据权利要求1的方法，其中所述半导体层具有所述第二导电类型。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体层具有在1.1013原子/cm3和1.1015原子/cm3之间的掺杂水平。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述氟化等离子体是氟化碳等离子体。
10.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·阿诺，J·拉德鲁伊，
申请(专利权)人：意法半导体图尔公司，
类型：发明
国别省市：
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