本公开涉及用于控制晶体管的电路和方法。一种用于控制MOS晶体管的方法将MOS晶体管的漏极和源极之间的第一电压与第二可控阈值电压进行比较。当第一电压小于第三电压时，向MOS晶体管施加比MOS晶体管的第五阈值电压大的第四控制电压。当第一电压...

本公开涉及晶体管控制电路。用于控制第一晶体管的控制电路包括用于抑制瞬态电压的二极管。二极管的阴极耦接到第一晶体管的第一传导端子，并且二极管的阳极耦接到第一节点。第一电阻器耦接在第一节点与第一晶体管的控制端子之间。第二晶体管具有耦接到第一...

本公开涉及电子ESD保护器件。本说明书涉及一种用于制造针对过电压的保护器件的方法，该方法包括以下连续步骤：a)在半导体衬底上外延形成半导体层；b)对所述半导体层的上表面进行氟化等离子体处理；以及c)在所述半导体层的上表面上方形成电绝缘层...

本公开的实施例涉及电子器件。本实用新型涉及器件，所述器件包括：至少一个芯片，在封装件中，封装件包括支撑件，支撑件上具有搁置在其上的至少一个芯片；以及保护层，覆盖至少一个芯片，支撑件包括由绝缘材料制成的堆叠层，变压器由第一导电轨道和第二导...

本公开涉及一种制造电子组件的方法和所获得的包括衬底的组件，包括连续步骤：在包括至少一个电触点的衬底的第一表面上和至少部分地在所述衬底的侧向侧面上沉积第一树脂的第一层，所述第一树脂通过研磨而被激活以变得导电；在所述衬底的侧面上部分地研磨所...

本公开涉及腔体形成方法。本说明书涉及一种在衬底中形成腔体的方法，包括：形成蚀刻掩模，蚀刻掩模包括与腔体的位置相对的多组开口，每组的开口和掩模之间的比率根据与其中刻有该组的掩模的表面相对的腔体的期望轮廓来选择；以及通过所述开口湿蚀刻衬底。...

本公开的实施例涉及电子器件，其特征在于，包括：第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；第一树脂，在所述第一侧处，所述第一树脂包括侧翼；第二树脂，在所述第二侧处；集成电路，包封在所述第一树脂和所述第二树脂内；以及金属接触件，在所述第二侧处，所述...

本公开的实施例涉及电感部件及制造方法。一种集成电路器件包括至少一个电感部件，该电感部件具有至少一个集成金属绕组，该金属绕组至少部分地嵌入涂层中。涂层包括至少一种铁磁材料。涂层可选地包括非磁性材料，例如电介质。例如电介质。例如电介质。

本描述涉及电子设备。电子设备包括半导体衬底；半导体衬底包括：第一层；在第一层上的第二层，第二层包括多个空穴；以及在第二层上的第三层，第三层包括多个电荷载流子陷阱。本实用新型的技术提供了改进性能的射频组件。用新型的技术提供了改进性能的射频...

本公开的各实施例涉及过电压保护设备。提供了过电压保护电路。在一些实施例中，过电压保护电路包括：第一二极管，该第一二极管由具有大于硅的带隙宽度的带隙宽度的第一半导体材料制成。第二二极管被包括，并且第二二极管与第一二极管电交叉耦合。第二二极...

本公开的实施例涉及封装件衬底中的变压器。本发明涉及器件，所述器件包括：至少一个芯片，在封装件中，封装件包括支撑件，支撑件上具有搁置在其上的至少一个芯片；以及保护层，覆盖至少一个芯片，支撑件包括由绝缘材料制成的堆叠层，变压器由第一导电轨道...

本描述涉及射频组件的制造方法。一种制造设备的方法，该设备包括半导体衬底上的至少一个射频组件，该方法包括：a)在衬底的上表面侧对衬底的第一厚度进行激光退火；b)在衬底的上表面上形成绝缘层；和c)在绝缘层上形成所述至少一个射频组件。少一个射...

本公开涉及电压转换器。一种转换器包括耦合在第一节点和第二节点之间的第一晶体管和第二晶体管，以及耦合在第一节点和第二节点之间的第一晶闸管和第二晶闸管。转换器被控制用于操作以：在第一周期中，导通第一晶体管和第二晶闸管并且关断第二晶体管和第一...

本公开涉及一种用于制造电子芯片的方法，该方法按顺序包括：a.在半导体衬底的第一面的一侧上形成金属接触件，在所述半导体衬底中和其上已经预先形成多个集成电路；b.在所述金属接触件和所述半导体衬底的所述第一面上沉积第一保护树脂；c.在所述半导...

本公开涉及瞬态电压抑制器件和电子电路，包括：单晶半导体衬底，掺杂有第一导电类型并且包括第一相对表面和第二相对表面；半导体区，掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型，从第一表面延伸到衬底中；第一导电电极，在第一侧上与半导体区接触；以及第二...

本公开的实施例涉及电子芯片的制造。一种半导体器件，包括：衬底，包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及横向于第一表面和第二表面的侧壁；互连层，在衬底的第一表面上，互连层包括导电焊盘；绝缘层，在衬底的侧壁的第一部分上并且覆盖第一部分；导...

本发明涉及一种电子管芯制造方法，包括：a)在半导体衬底的第一表面侧上沉积电绝缘树脂层，电绝缘树脂层的内部和顶部已经预先形成了多个集成电路，半导体衬底在与第一表面相对的第二表面上支撑接触焊盘；以及b)在半导体衬底的第二表面侧上形成第一沟槽...

本公开的各实施例涉及电荷耦合场效应整流二极管及其制造方法。以第一绝缘层内衬半导体衬底中的沟槽。使用沉积在第一绝缘层上的硬掩模层控制蚀刻的执行，该蚀刻从上沟槽部分选择性地去除第一绝缘层的第一部分，同时在下沟槽部分中留下第一绝缘层的第二部分...

本公开的实施例涉及电子芯片的制造。本公开涉及一种电子芯片，所述电子芯片包括携带有至少一个金属接触件的半导体衬底，所述金属接触件在所述衬底的厚度内沿着所述芯片的至少一个侧表面延伸。一个侧表面延伸。一个侧表面延伸。

本公开涉及单向瞬态电压抑制器件，包括：单晶半导体衬底，掺杂有第一导电类型并且包括第一相对表面和第二相对表面；半导体区，掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型，从第一表面延伸到衬底中；第一导电电极，在第一侧上与半导体区接触；以及第二导电电...