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本公开涉及制造电容器的方法。本公开涉及一种电容器，所述电容器包括：第一导电层，在所述第一导电层上方形成堆叠件，所述堆叠件从所述第一层的上面起包括第一电极、第一电介质层、第二电极和第二导电层，所述堆叠件包括在所述第二导电层、所述第二电极和所述...
该专利属于意法半导体(图尔)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(图尔)公司授权不得商用。

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