半导体激光元件(100)具备：半导体激光部(1)；过渡部(2)，在第一方向(Y)上与半导体激光部邻接，且入射从半导体激光部出射的光；以及光点尺寸变换部(3)，在第一方向(Y)上与过渡部邻接，且入射从过渡部出射的光。半导体激光部、过渡部以及光点尺寸变换部分别包括：半导体基板(5)，具有沿着第一方向(Y)和第二方向(X)延伸的第一面(5A)；以及在与第一面正交的第三方向(Z)上从第一面侧起依次层叠在第一面上的第一包层(6)、活性层(11)以及第二包层(12、22、32)。过渡部和光点尺寸变换部分别还包括与第二包层的上表面的一部分相接、且具有比活性层及第二包层高的折射率的波导层(23、33)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种半导体激光元件，特别涉及集成有光点尺寸变换部(spot sizeconverter，以下称为ssc)的半导体激光元件。
技术介绍
1、近年，在光通信中，通信量持续增大，要求增大通信容量。因此，对于在光通信用光源中使用的半导体激光元件，要求廉价地提供高频动作且高输出的元件。
2、在日本特开2021-27310号公报(专利文献1)所记载的半导体激光元件中，为了提供高频动作且高输出的元件，使电流注入部变窄，且利用插入了高折射率层的芯层构造将光封闭在狭窄的区域，由此提高了频率响应。
3、日本特开2016-96310号公报(专利文献2)所记载的半导体激光元件具备：半导体激光部，包括量子阱层；以及ssc，包括与该半导体激光部的量子阱层的一端(出射端)单片地对接连接的波导层。根据这样的半导体激光元件，与专利文献1所记载的半导体激光元件相比，抑制了从半导体激光部出射的激光的扩展角的增大，提高了耦合效率。
4、专利文献1：日本特开2021-27310号公报
5、专利文献2：日本特开2016-96310号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、然而，在专利文献2所记载的半导体激光元件的制造方法中，需要依次进行以下工序：将量子阱层形成在半导体基板的整面上的工序；之后将要形成ssc的区域内的量子阱层局部地去除的工序；以及之后在去除了量子阱层的区域形成波导层的工序。在这样的制造方法中，工时比较多，制造成本比较高。
>3、本公开的主要目的在于提供虽然具备ssc、但是与具备ssc的以往的半导体激光元件相比降低了制造成本的半导体激光元件。4、用于解决问题的方案
5、本公开所涉及的半导体激光元件具备：半导体激光部；过渡部，在第一方向上与半导体激光部邻接，且入射从半导体激光部出射的光；以及光点尺寸变换部，在第一方向上与过渡部邻接，且入射从过渡部出射的光。半导体激光部、过渡部以及光点尺寸变换部分别包括：半导体基板，具有沿着第一方向以及与第一方向正交的第二方向延伸的第一面；以及在与第一面正交的第三方向上从第一面侧起依次层叠在第一面上的第一包层、活性层以及第二包层。在半导体激光部中，第二包层与活性层相接。第二包层的折射率比活性层的折射率低。过渡部和光点尺寸变换部分别还包括波导层，该波导层与第二包层的上表面的一部分相接，且具有比活性层及第二包层高的折射率。
6、专利技术的效果
7、根据本公开，能够提供虽然具备ssc、但是与具备ssc的以往的半导体激光元件相比降低了制造成本的半导体激光元件。
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【技术保护点】
1.一种半导体激光元件，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体激光元件，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体激光元件，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体激光元件，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其中，
7.根据权利要求3～6中的任一项所述的半导体激光元件，其中，
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的半导体激光元件，其中，
9.根据权利要求1～7中的任一项所述的半导体激光元件，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体激光元件，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体激光元件，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体激光元件，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体激光元件，其中，
【专利技术属性】
技术研发人员：阿部宪一，秋山浩一，西川智志，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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