半导体装置制造方法及图纸

技术编号：41403317 阅读：7 留言：0更新日期：2024-05-20 19:28

得到能够在具有分裂栅构造的RC‑IGBT中使RRSOA提高的半导体装置。IGBT区域(3)及二极管区域(4)设置于半导体基板(1)。IGBT区域具有：多个有源沟槽(11)，它们是从第一主面(1a)将基极层(8)及发射极层(9)贯通而设置的；栅极电极(12)，其隔着栅极绝缘膜(14)而设置于有源沟槽的内部；以及埋入电极(13)，其隔着栅极绝缘膜而设置于有源沟槽的内部，配置于栅极电极的第二主面(1b)侧。二极管区域具有：第二导电型的阳极层(17)，其设置于漂移层(2)的第一主面侧；多个二极管沟槽(19)，它们从第一主面设置于阳极层；以及二极管电极(20)，其隔着二极管绝缘膜(21)而设置于二极管沟槽的内部。阳极层的深度比二极管沟槽的深度深。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

1、提出了具有分裂栅构造的rc-igbt(例如，参照专利文献1)。

2、专利文献1：日本特开2017-147431号公报

3、在现有技术中，在二极管区域形成有载流子积蓄层，并且二极管区域的沟槽底部与漂移层接触。因此，容易在沟槽底部发生电场集中，所以存在rrsoa(reverse recoverysafe operation area)变窄，在恢复动作时容易破坏这一问题。

技术实现思路

1、本专利技术就是为了解决上述这样的课题而提出的，其目的在于得到能够在具有分裂栅构造的rc-igbt中使rrsoa提高的半导体装置。

2、本专利技术涉及的半导体装置的特征在于，具有：半导体基板，其在彼此相对的第一主面与第二主面之间具有第一导电型的漂移层；igbt区域及二极管区域，它们设置于所述半导体基板；以及发射极电极，其设置于所述半导体基板的所述第一主面，所述igbt区域具有：第一导电型的载流子积蓄层，其设置于所述漂移层的第一主面侧；第二导电型的基极层，其设置于所述载流子积蓄层的第一主面侧；第一导电型的发射极层及第二导电型的接触层，它们设置于所述基极层的第一主面侧；多个有源沟槽，它们是从所述第一主面将所述基极层及所述发射极层贯通而设置的；栅极电极，其隔着栅极绝缘膜而设置于所述有源沟槽的内部；埋入电极，其隔着所述栅极绝缘膜而设置于所述有源沟槽的内部，配置于所述栅极电极的第二主面侧；以及第二导电型的集电极层，其设置于所述漂移层的第

3、专利技术的效果

4、在本专利技术中，在二极管区域，阳极层的深度比二极管沟槽的深度深。通过阳极层将二极管沟槽的底部覆盖而进行保护，从而能够缓和二极管沟槽的底部的电场。其结果，能够在具有分裂栅构造的rc-igbt中使rrsoa提高。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

15.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

【技术特征摘要】