【技术实现步骤摘要】
本说明书所公开的技术涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、在半导体装置的制造方法的工序之中，有将形成有多个元件构造的半导体晶圆按照每个元件构造单片化的工序。在专利文献1中，公开了沿相邻的元件构造的边界切削(切割)半导体晶圆的技术。
2、近年来，开始采用划线分断(scribe and break)这一工法来取代切割工法。该工法首先沿相邻的元件构造的边界将按压部件进行推抵，沿该边界在半导体晶圆上形成裂纹。接下来，沿边界将分割部件推抵，沿边界分割半导体晶圆。在该工法中，通过以裂纹为起点的解理而并非切削来分割半导体晶圆，因此对于相对较硬的材料也是有用的，而且能够使相邻的元件构造之间的宽度比切割工法的情况窄。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2014－13812号公报
技术实现思路
1、在划线分断工法中，将按压部件推抵于半导体晶圆，使半导体晶圆的内部产生应力，从而形成裂纹。该应力在将半导体晶圆单片化之后也作为残余应力存在。因此，通过制造出的半导体装置的反复动作，可能在存在残余应力的区域附近产生碎屑(chipping)、不希望的裂纹等。若产生碎屑等则半导体装置的可靠性降低。在本说明书中，提供利用划线分断工法制造具有高可靠性的半导体装置的技术。
2、根据本公开的一方式，半导体装置的制造方法具备如下工序：在半导体晶圆的第一表面，以将多个元件构造排列成矩阵状的方式形成多个所述元件构造；沿相邻的所述元件构造的边界将
3、在上述的制造方法中，在半导体晶圆的第一表面以矩阵状形成元件构造，从半导体晶圆的第二表面侧将按压部件进行推抵，从而对第二表面侧施加应力。由此，在半导体晶圆的第二表面侧形成裂纹。之后，从半导体晶圆的第一表面侧将分割部件进行推抵，从而分割半导体晶圆。结果，所制造的半导体装置成为不是在单独设有元件构造的第一表面侧而是在其相反侧的第二表面侧存在残余应力的状态。这样，根据上述的制造方法，在形成实现半导体装置的功能的元件构造(例如沟槽、栅极电极等)的第一表面的相反侧的第二表面侧存在残余应力，因此即使因该残余应力而产生碎屑等，也几乎不会给半导体装置的性能带来影响。因而，根据上述的制造方法，能够制造具有高可靠性的半导体装置。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
<...【专利技术属性】
技术研发人员：南云裕司，植茶雅史，奥田胜，长屋正武，北市充，森亮，木山直哉，武田真和，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。