【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种衬底装置，具体地涉及一种用于功率半导体模块装置的衬底装置以及生产这样的衬底装置的方法。
技术介绍
1、功率半导体模块装置通常包括布置在外壳中的至少一个半导体衬底。包括多个可控半导体元件(例如，半桥构造的两个igbt)的半导体装置布置在至少一个衬底中的每个衬底上。每个衬底通常包括衬底层(例如，陶瓷层)、沉积在衬底层的第一侧的第一金属化层和沉积在衬底层的第二侧的第二金属化层。可控半导体元件安装在例如第一金属化层上。第二金属化层可以可选地附接到基底板或散热器。
2、需要一种允许以简单的方式将元件牢固地安装在其上的衬底装置。
技术实现思路
1、一种衬底装置包括：第一金属化层；多条纳米线，该多条纳米线布置在第一金属化层的表面上；以及至少一个部件，该至少一个部件布置在第一金属化层上，使得多条纳米线的第一子集布置在第一金属化层与至少一个部件之间，其中，多条纳米线均匀地分布在第一金属化层的表面区域的一部分之上或整个表面区域之上，多条纳米线中的每条纳米线包括第一端和第二端，其中，多条纳米线中的每条纳米线的第一端不可分离地连接到第一金属化层的表面；第一子集中的每条纳米线的第二端不可分离地连接到至少一个部件中的一个部件的表面，使得纳米线的第一子集在第一金属化层与至少一个部件之间形成永久连接，至少一个部件包括至少一个半导体主体，并且包括在纳米线的第一子集中的纳米线的数量小于包括在多条纳米线中的纳米线的数量。
2、一种方法包括：形成第一金属化层；在第一金属化层的表面上形
3、可以参考以下附图和描述更好地理解本专利技术。图中的部件不一定是按比例的，相反地，重点放在说明本专利技术的原理上。此外，在图中，类似的附图标记在不同视图中始终指代对应的部分。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种衬底装置，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底装置，其中，所述第一金属化层(111)的所述表面区域的被所述多条纳米线(612)覆盖的所述部分处于所述第一金属化层(111)的所述整个表面区域的60％与100％之间或70％与100％之间。
3.根据权利要求1或2所述的衬底装置，还包括电介质绝缘层(11)，其中，所述第一金属化层(111)附接到所述电介质绝缘层(11)的第一侧。
4.根据权利要求3所述的衬底装置，还包括：
5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的衬底装置，其中，所述第一金属化层(111)是结构化的层，所述结构化的层包括两个或更多个单独的部分以及位于所述第一金属化层(111)的不同部分之间的凹陷。
6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的衬底装置，其中，所述多条纳米线(612)中的每条纳米线具有处于500nm与1200nm之间的直径。
7.根据权利要求1至6中的任何一项所述的衬底装置，其中，所有的所述多条纳米线(612)在它们的第一端与它们的第二端之间具有处于10μm与70μm之间的相等长度。
8.根据前述权利要求中的任何一项所述的衬底装置，其中，所述第一金属化层(111)包括铜、铜合金、铝或铝合金，或者由铜、铜合金、铝或铝合金组成。
9.根据前述权利要求中的任何一项所述的衬底装置，其中，所述多条纳米线(612)包括碳、钴、铜、硅或金，或者由碳、钴、铜、硅或金组成。
10.根据前述权利要求中的任何一项所述的衬底装置，还包括包封体(5)，其中，所述包封体(5)与所述多条纳米线(612)的第二子集的所述第二端直接邻接，并且填充位于所述第二子集中的所述纳米线之间的任何间隙和空间。
11.一种方法，包括：
12.根据权利要求11所述的方法，还包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中，
14.根据权利要求12所述的方法，其中，
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种衬底装置，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底装置，其中，所述第一金属化层(111)的所述表面区域的被所述多条纳米线(612)覆盖的所述部分处于所述第一金属化层(111)的所述整个表面区域的60％与100％之间或70％与100％之间。
3.根据权利要求1或2所述的衬底装置，还包括电介质绝缘层(11)，其中，所述第一金属化层(111)附接到所述电介质绝缘层(11)的第一侧。
4.根据权利要求3所述的衬底装置，还包括：
5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的衬底装置，其中，所述第一金属化层(111)是结构化的层，所述结构化的层包括两个或更多个单独的部分以及位于所述第一金属化层(111)的不同部分之间的凹陷。
6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的衬底装置，其中，所述多条纳米线(612)中的每条纳米线具有处于500nm与1200nm之间的直径。
7.根据权利要求1至6中的任何一项所述的衬底装置，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·拜尔，M·菲格尔，F·辛格，T·迈尔，F·克雷斯，A·格拉斯曼，F·奥托，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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