【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片的加工方法，该晶片在背面具有圆形凹部和形成于该圆形凹部的周围的环状加强部。
技术介绍
1、在用于电子设备的ic、lsi等半导体器件的制造工艺中，为了半导体器件的小型化和轻量化，对晶片的背面进行磨削而将该晶片薄化至规定的厚度。特别是近年来，为了应对手机、个人电脑等电子设备的薄型化、小型化等要求，要求薄薄地形成半导体器件。但是，当将晶片的厚度磨削至例如50μm以下时，存在该晶片的抗弯强度降低而容易破损且之后的处理变得困难的问题。
2、因此，例如在专利文献1、专利文献2中提出了如下的磨削方法：仅对晶片的形成有器件的区域的背面侧进行磨削而在中央部形成圆形凹部，在该圆形凹部的外周侧残留与磨削前为相同厚度的环状加强部，由此提高磨削后的晶片的刚性。通过这样的磨削方法，能够利用形成于晶片的背面的环状加强部来防止该晶片的处理时发生破损等。
3、另一方面，当磨削后将晶片分割成各个芯片时，环状加强部会妨碍分割，因此需要在分割前预先去除环状加强部。因此，使用与晶片的圆形凹部及其周围的环状加强部之间的阶梯差对应的凸形状的卡盘工作台在该晶片的外周侧形成圆形的分离槽，以该分离槽为界将环状加强部拆下而去除。在该情况下，当使用凸形状的卡盘工作台时，为了防止分离槽形成时的崩边和裂纹的产生，需要对晶片的圆形凹部和环状加强部双方高精度地进行支承。因此，在专利文献3中提出了如下方法：根据晶片的圆形凹部与环状加强部之间的阶梯差，使用厚度不同的环状的垫片来调整晶片的圆形凹部与环状加强部之间的凸形状的阶梯差。
4、专利文献
5、专利文献2：日本特开2008-042081号公报
6、专利文献3：日本特开2013-098248号公报
7、然而，根据专利文献3中提出的方法，需要根据要从晶片分离环状加强部的晶片的圆形凹部与环状加强部之间的阶梯差而变更间隔件，需要大量的工夫和时间，存在作业效率差的问题。
技术实现思路
1、因此，本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法，能够与晶片的圆形凹部和环状加强部之间的阶梯差无关地在短时间内高效地形成用于将该圆形凹部与该环状加强部分离的分离槽而简单地去除环状加强部。
2、根据本专利技术，提供晶片的加工方法，该晶片在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，该器件区域在由呈格子状形成的多条分割预定线划分的多个区域中分别形成有器件，该晶片在与该器件区域对应的背面侧具有圆形凹部，并且沿着该圆形凹部的外周具有环状加强部，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第一固定步骤，将该晶片的背面固定于第一树脂片从而使该第一树脂片仿照该圆形凹部和该环状加强部；第二固定步骤，在该第一固定步骤之后，将第二树脂片固定于固定在该环状加强部上的该第一树脂片，在固定于该圆形凹部的该第一树脂片与该第二树脂片之间形成空腔；保持步骤，在该第二固定步骤之后，利用卡盘工作台对该晶片的该第二树脂片进行保持；以及槽形成步骤，形成将该圆形凹部与该环状加强部分离的分离槽。
3、根据本专利技术，对于通过第一固定步骤仿照晶片的背面的圆形凹部和环状加强部而固定的第一树脂片的固定在环状加强部上的部分，通过第二固定步骤而固定第二树脂片，在与晶片的圆形凹部对应的第一树脂片与第二树脂片之间形成空腔，因此，在接下来的保持步骤中，如果使晶片的第二树脂片的面保持于卡盘工作台，则通过形成于第一树脂片与第二树脂片之间的空腔而吸收(消除)该晶片的圆形凹部与环状加强部之间的阶梯差。因此，不再需要以往使用的凸型的卡盘工作台，并且也不需要与晶片的圆形凹部和环状加强部之间的阶梯差对应的垫片，能够以简单的结构使晶片保持于卡盘工作台。
4、并且，在接下来的槽形成步骤中，通过在保持于卡盘工作台的晶片的正面上形成分离槽，能够以该分离槽为界将环状加强部从晶片分离去除。因此，根据本专利技术能够得到如下的效果：能够与晶片的圆形凹部与环状加强部之间的阶梯差无关地短时间且高效地形成用于将该圆形凹部与该环状加强部分离的分离槽，从而简单地去除环状加强部。
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1.一种晶片的加工方法，该晶片在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，该器件区域在由呈格子状形成的多条分割预定线划分的多个区域中分别形成有器件，该晶片在与该器件区域对应的背面侧具有圆形凹部，并且沿着该圆形凹部的外周具有环状加强部，其中，
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
3.根据权利要求2所述的晶片的加工方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种晶片的加工方法，该晶片在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，该器件区域在由呈格子状形成的多条分割预定线划分的多个区域中分别形成有器件，该晶片在与该器件区域对应的背...
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