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具有测试焊盘的半导体封装件制造技术

技术编号:41272524 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-11 09:26
提供了半导体封装件。所述半导体封装件包括:基底芯片,所述基底芯片具有前表面和与所述前表面相反的后表面,所述基底芯片包括设置在所述前表面上的凸块焊盘、晶片测试焊盘和封装测试焊盘;连接结构,所述连接结构设置在所述基底芯片的所述前表面上并且连接到所述凸块焊盘;以及半导体芯片,所述半导体芯片堆叠在所述基底芯片的所述后表面上,其中,每一个所述晶片测试焊盘在尺寸上小于所述封装测试焊盘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及一种具有测试焊盘的半导体封装件(package)。


技术介绍

1、随着对半导体器件的高性能、高速度和/或多功能的需求增加,半导体器件的集成度也在提高。在制造具有与半导体器件的高集成度趋势相对应的精细图案的半导体器件时,需要实现具有精细宽度或精细分离距离的图案。另外,安装在半导体封装件中的半导体器件的高集成度是必需的。


技术实现思路

1、本专利技术构思的一个方面是提供一种具有小型化测试焊盘的半导体封装件。

2、根据示例实施例,一种半导体封装件可以包括:基底芯片,所述基底芯片具有前表面和与所述前表面相反的后表面,所述基底芯片包括设置在所述基底芯片的所述前表面上的凸块焊盘、晶片测试焊盘和封装测试焊盘;连接结构,所述连接结构设置在所述基底芯片的所述前表面上并且连接到所述凸块焊盘;以及半导体芯片,所述半导体芯片堆叠在所述基底芯片的所述后表面上。每一个所述晶片测试焊盘可以在尺寸上小于所述封装测试焊盘。

3、根据示例实施例,一种半导体封装件可以包括:基底芯片,所述基底芯片具有前表面和与所述前表面相反的后表面,所述基底芯片包括设置在所述基底芯片的所述前表面上的凸块焊盘、晶片测试焊盘和封装测试焊盘;连接结构,所述连接结构设置在所述基底芯片的所述前表面上并且连接到所述凸块焊盘;以及半导体芯片,所述半导体芯片堆叠在所述基底芯片的所述后表面上并且包括测试焊盘。每一个所述晶片测试焊盘在尺寸上小于所述封装测试焊盘并且大于或等于所述测试焊盘。

4、根据示例实施例,一种半导体封装件可以包括:基底芯片,所述基底芯片具有前表面和与所述前表面相反的后表面;半导体芯片,所述半导体芯片堆叠在所述基底芯片的所述后表面上;连接结构,所述连接结构设置在所述基底芯片的所述前表面上;以及模制层,所述模制层覆盖所述基底芯片和所述半导体芯片。所述基底芯片可以包括:基底本体;贯通电极,所述贯通电极穿透所述基底本体;内部电路结构,所述内部电路结构设置在所述基底本体下方并且包括内部互连;以及基底后表面结构,所述基底后表面结构设置在所述基底本体上。所述内部电路结构可以包括:凸块焊盘,所述凸块焊盘设置在所述前表面上;晶片测试焊盘,所述晶片测试焊盘电连接到至少一个所述内部互连;以及封装测试焊盘,所述封装测试焊盘电连接到至少一个所述半导体芯片。每一个所述晶片测试焊盘可以在尺寸上小于所述封装测试焊盘。

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【技术保护点】

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述基底芯片包括:

3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述晶片测试焊盘电连接到至少一个所述内部互连,并且所述封装测试焊盘通过所述贯通电极电连接到至少一个所述半导体芯片。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述晶片测试焊盘被设置为相对于所述基底芯片的所述前表面的中央部分比所述封装测试焊盘更远。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述晶片测试焊盘与和其相邻的所述基底芯片的侧表面之间的距离,小于所述封装测试焊盘与和其相邻的所述基底芯片的侧表面之间的距离。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件,

7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述晶片测试焊盘当中的彼此相邻的晶片测试焊盘之间的距离是10μm至30μm。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,

9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述封装测试焊盘当中的相邻的封装测试焊盘之间的距离是30μm至50μm。>

10.根据权利要求1所述的半导体封装件,

11.根据权利要求10所述的半导体封装件,其中,所述第一晶片测试焊盘沿着所述第一侧表面按行设置,并且所述第一封装测试焊盘沿着所述第一侧表面按行设置。

12.根据权利要求1所述的半导体封装件,

13.根据权利要求12所述的半导体封装件,其中,所述第二晶片测试焊盘和所述第二封装测试焊盘当中相邻的第二晶片测试焊盘和第二封装测试焊盘之间的距离是30μm至50μm。

14.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述封装测试焊盘包括设置在所述凸块焊盘之间的第三封装测试焊盘。

15.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

16.根据权利要求15所述的半导体封装件,其中,所述基底芯片包括:

17.根据权利要求16所述的半导体封装件,其中,所述晶片测试焊盘电连接到至少一个所述内部互连,并且所述封装测试焊盘通过所述贯通电极电连接到至少一个所述半导体芯片。

18.根据权利要求16所述的半导体封装件,

19.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

20.根据权利要求19所述的半导体封装件,其中,所述晶片测试焊盘之间的距离小于所述封装测试焊盘之间的距离。

...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述基底芯片包括:

3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述晶片测试焊盘电连接到至少一个所述内部互连,并且所述封装测试焊盘通过所述贯通电极电连接到至少一个所述半导体芯片。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述晶片测试焊盘被设置为相对于所述基底芯片的所述前表面的中央部分比所述封装测试焊盘更远。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述晶片测试焊盘与和其相邻的所述基底芯片的侧表面之间的距离,小于所述封装测试焊盘与和其相邻的所述基底芯片的侧表面之间的距离。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件,

7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述晶片测试焊盘当中的彼此相邻的晶片测试焊盘之间的距离是10μm至30μm。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,

9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述封装测试焊盘当中的相邻的封装测试焊盘之间的距离是30μm至50μm。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件,

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【专利技术属性】
技术研发人员:慎重垣李钟旼禹盛允李娜拉李瑌真崔智旻
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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