【技术实现步骤摘要】
公开了一种集成电路装置。
技术介绍
1、根据电子工业的快速发展和用户的需求，电子设备已经变得更紧凑而且重量更轻。
技术实现思路
1、集成电路(ic)装置可以包括具有第一栅极沟槽和在水平方向上与所述第一栅极沟槽分开的第二栅极沟槽的基底、覆盖所述第一栅极沟槽的内表面和所述第二栅极沟槽的内表面的栅极介电层、在所述栅极介电层上填充所述第一栅极沟槽的一部分的第一下栅极线、以及在所述栅极介电层上填充所述第二栅极沟槽的一部分的第二下栅极线。该集成电路装置可以包括在所述第一栅极沟槽中位于所述第一下栅极线上并且在所述水平方向上具有第一宽度的第一上栅极线、以及在所述第二栅极沟槽中位于所述第二下栅极线上并且具有小于所述第一宽度的第二宽度的第二上栅极线。所述第一上栅极线的上表面的竖直水平可以高于或基本上等于所述第二上栅极线的上表面的竖直水平。
2、ic装置可以包括：基底，具有第一栅极沟槽和在水平方向上与所述第一栅极沟槽分开的第二栅极沟槽；栅极介电层，覆盖所述第一栅极沟槽的内表面和所述第二栅极沟槽的内表面；第一下栅极线，在所述栅极介电层上填充所述第一栅极沟槽的一部分；第二下栅极线，在所述栅极介电层上填充所述第二栅极沟槽的一部分；第一上栅极线，在所述第一栅极沟槽中位于所述第一下栅极线上；以及第二上栅极线，在所述第二栅极沟槽中位于所述第二下栅极线上。所述第一上栅极线的上表面的竖直水平可以高于或基本等于所述第二上栅极线的上表面的竖直水平，并且所述第一上栅极线的所述上表面和所述第二上栅极线的所述上表面可
3、ic装置可以包括：基底，包括第一栅极沟槽和第二栅极沟槽，所述第一栅极沟槽在第一水平方向上具有第一宽度并且在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上延伸，所述第二栅极沟槽在所述第一水平方向上与所述第一栅极沟槽分开，在竖直方向上具有比所述第一栅极沟槽的深度深的深度，并且在所述第二水平方向上延伸。该ic装置可以包括：栅极介电层，覆盖所述第一栅极沟槽的内表面和所述第二栅极沟槽的内表面；第一下栅极线，在所述栅极介电层上填充所述第一栅极沟槽的一部分；第二下栅极线，在所述栅极介电层上填充所述第二栅极沟槽的一部分；第一上栅极线，在所述第一栅极沟槽中位于所述第一下栅极线上并且在所述水平方向上具有第一宽度；以及第二上栅极线，在所述第二栅极沟槽中位于所述第二下栅极线上并且具有大于所述第一宽度的第二宽度。所述第一上栅极线的上表面的竖直水平和下表面的竖直水平可以分别高于或基本等于所述第二上栅极线的上表面的竖直水平和下表面的竖直水平，所述第一上栅极线和所述第二上栅极线可以包括掺杂多晶硅，所述第一下栅极线和所述第二下栅极线可以包括ti、tin、ta、tan、w、wn、tisin或wsin，并且所述第一上栅极线的上表面和所述第二上栅极线的上表面可以具有向上凸起的圆形的轮廓。
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1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述第一栅极沟槽在竖直方向上的深度大于所述第二栅极沟槽在所述竖直方向上的深度。
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述第一上栅极线的所述上表面和所述第二上栅极线的所述上表面是平坦的。
4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中：
5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中：
6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述第一上栅极线的下表面的竖直水平基本等于所述第二上栅极线的下表面的竖直水平。
7.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
8.根据权利要求7所述的集成电路装置，其中，所述第一绝缘覆盖层的所述下表面和所述第二绝缘覆盖层的所述下表面是平坦的。
9.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
10.根据权利要求9所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
11.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：
1
13.根据权利要求11所述的集成电路装置，其中：
14.根据权利要求11所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
15.根据权利要求14所述的集成电路装置，其中，所述第一绝缘覆盖层的所述下表面和所述第二绝缘覆盖层的所述下表面具有向下凹陷的圆形的轮廓。
16.根据权利要求11所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
17.根据权利要求16所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
18.根据权利要求11所述的集成电路装置，其中，所述第一上栅极线和所述第二上栅极线包括与所述第一下栅极线和所述第二下栅极线的材料不同的材料。
19.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：
20.根据权利要求19所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述第一栅极沟槽在竖直方向上的深度大于所述第二栅极沟槽在所述竖直方向上的深度。
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述第一上栅极线的所述上表面和所述第二上栅极线的所述上表面是平坦的。
4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中：
5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中：
6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述第一上栅极线的下表面的竖直水平基本等于所述第二上栅极线的下表面的竖直水平。
7.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
8.根据权利要求7所述的集成电路装置，其中，所述第一绝缘覆盖层的所述下表面和所述第二绝缘覆盖层的所述下表面是平坦的。
9.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
10.根据权利要求9所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
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