【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种图像传感器，更具体地，涉及一种包括光电二极管的图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器将光学图像信号转换为电信号，并且包括电荷耦合器件(ccd)图像传感器、互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器等。
2、这种图像传感器包括多个像素。所述多个像素中的每个包括光电二极管区域和像素电路，在光电二极管区域中接收入射光并且将入射光转换为电信号，像素电路利用在光电二极管区域中生成的电荷输出像素信号。随着图像传感器的集成度的提高，每个像素的尺寸减小。根据在用于实现尺寸减小的像素中的部件的布置和形状而发生图像传输延迟等，导致图像传感器的质量劣化。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种具有改善的图像传输能力的高质量图像传感器。
2、根据示例实施例，图像传感器包括至少一个像素。所述至少一个像素可以包括：光电转换区域，在具有彼此相对的第一表面和第二表面的半导体基底中；浮置扩散区域，在半导体基底中与光电转换区域间隔开；以及垂直传输栅电极，从半导体基底的第一表面延伸到半导体...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括至少一个像素，其中，所述至少一个像素包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，开口与浮置扩散区域和代表光电转换区域中的最大电势值的点之间的直线叠置。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，在平面图中代表最大电势值的点在光电转换区域的中心部分中。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，垂直传输栅电极的环形形状包括圆环形状。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，垂直传输栅电极的环形形状包括矩形环形状。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还
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【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括至少一个像素，其中，所述至少一个像素包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，开口与浮置扩散区域和代表光电转换区域中的最大电势值的点之间的直线叠置。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，在平面图中代表最大电势值的点在光电转换区域的中心部分中。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，垂直传输栅电极的环形形状包括圆环形状。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，垂直传输栅电极的环形形状包括矩形环形状。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，浮置扩散区域沿着垂直传输栅电极的侧壁的一部分延伸，并且
8.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，在平面图中，分离层围绕所述至少一个像素的外围的至少一部分。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，图像传感器包括包含所述至少一个像素的多个像素，并且
11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，图像传感...
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