【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片的加工方法。
技术介绍
1、随着近年来的器件芯片的薄型化和高集成化，三维层叠的半导体晶片的开发不断发展。例如tsv(through-silicon via：硅通孔)晶片通过贯通电极使由两个芯片彼此贴合而实现的双芯片的电极的连接成为可能。
2、这样的晶片在与作为基台的支承晶片(硅、玻璃、陶瓷等)贴合的状态下进行磨削而薄化。通常，晶片的外周缘被倒角，因此当极薄地磨削时，外周缘成为所谓刀刃状，在磨削中容易产生边缘的缺损。由此，存在缺损延长至器件而导致器件的破损的可能性。
3、作为解决刀刃的对策，开发了将晶片的正面侧的外周缘呈环状切削的所谓的边缘修剪技术(参照专利文献1)。另外，还考虑了如下的边缘修剪方法：在将晶片贴合之后，沿着器件的外周缘照射激光束而形成环状的改质层，由此抑制磨削中产生的晶片的边缘缺损向器件伸展(参照专利文献2)。
4、专利文献1：日本特许第4895594号公报
5、专利文献2：日本特开2020-057709号公报
6、然而，专利文献1的方法存在当切削时可能会产生到达器件的崩边而使器件破损的课题，另外，会排出大量的切削屑，因此器件容易被污染物污染。另外，在专利文献2的方法中，在改质层形成于比接合区域靠内侧的位置的情况下，存在磨削时想要去除的外周剩余区域的边角料未剥离而残留的可能性。
技术实现思路
1、由此，本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法，在贴合晶片的磨削工序中，能够抑制器件的破损并且将外
2、根据本专利技术的一个方面，提供晶片的加工方法，该晶片的加工方法具有如下的步骤：等离子体活化处理步骤，为了将第一晶片与第二晶片接合，通过对该第一晶片的一个面和该第二晶片的一个面中的至少任意一个面实施等离子体处理而使实施了该等离子体处理的该面活化；贴合晶片形成步骤，在实施了该等离子体活化处理步骤之后，将该第一晶片的该一个面与该第二晶片的该一个面临时接合而形成贴合晶片；改质层形成步骤，在实施了该贴合晶片形成步骤之后，沿着该第一晶片的比外周缘靠内侧规定的距离的位置呈环状照射透过该第一晶片的波长的激光束，在该第一晶片的内部形成环状的改质层；外周区域去除步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对第一晶片的比形成有该环状的改质层的位置靠外周缘侧的外周区域赋予外力而将该外周区域去除；退火处理步骤，在实施了该外周区域去除步骤之后，通过对该贴合晶片实施退火处理而提高该第一晶片与该第二晶片的接合强度；以及磨削步骤，在实施了该退火处理步骤之后，将该贴合晶片的该第一晶片从另一个面侧进行磨削而薄化至完工厚度。
3、根据本专利技术的另一个方面，提供晶片的加工方法，该晶片的加工方法具有如下的步骤：等离子体活化处理步骤，为了将第一晶片与第二晶片接合，通过对该第一晶片的一个面和该第二晶片的一个面中的至少任意一个面实施等离子体处理而使实施了该等离子体处理的该面活化；贴合晶片形成步骤，在实施了该等离子体活化处理步骤之后，将该第一晶片的该一个面与该第二晶片的该一个面临时接合而形成贴合晶片；改质层形成步骤，在实施了该贴合晶片形成步骤之后，沿着该第一晶片的比外周缘靠内侧规定的距离的位置呈环状照射透过该第一晶片的波长的激光束，在该第一晶片的内部形成环状的改质层和从该改质层伸展并在该第一晶片的一个面侧露出的裂纹；退火处理步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，通过对该贴合晶片实施退火处理而提高该第一晶片与该第二晶片的接合强度；外周区域去除步骤，在实施了该退火处理步骤之后，对第一晶片的比形成有该环状的改质层的位置靠外周缘侧的外周区域赋予外力而将该外周区域去除；以及磨削步骤，在实施了该外周区域去除步骤之后，将该贴合晶片的该第一晶片从另一个面侧进行磨削而薄化至完工厚度。
4、优选在该改质层形成步骤中，形成在该第一晶片的厚度方向上重叠的多个改质层。
5、本申请专利技术在贴合晶片的磨削工序中能够抑制器件的破损并且将外周剩余区域去除。
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【技术特征摘要】
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