基板处理方法技术

本发明专利技术涉及一种处理基板的方法，基板具有在其上形成有至少一个分割线的第一表面，和与第一表面相对的第二表面。该方法包括将保护片材附接至第一表面，以及将激光束施用至保护片材，以便在保护片材中形成多个对准标记。本发明专利技术还涉及一种处理该基板的方法，基板在其第二表面上具有背侧层。该方法包括将激光束从第一表面的侧部施用至基板。基板由对激光束透明的材料制成，并且在激光束的焦点位于基板内部中、与第一表面相比更靠近第二表面的位置处，将激光束施加至基板，以便在背侧层和/或第二表面的不存在背侧层的区域形成多个对准标记。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种处理基板的方法，该基板具有在其上形成有至少一条分割线的第一表面，和与第一表面相对的第二表面。

技术介绍

1、在诸如晶圆、例如半导体晶圆的基板上，通过在基板的前表面上设置设备区来形成诸如集成电路(intergrated circuits,ics)、大规模集成(large scale integrations,lsis)和发光二极管(light emitting diodes,leds)的设备。该基板可以为由例如碳化硅(sic)、氮化镓(gan)、砷化镓(gaas)、或硅(si)等制成的晶圆。该设备可以为例如用于功率半导体的半导体设备，该功率半导体设计为用于功率节省产品。

2、在半导体设备制造工艺中，将具有设备区的晶圆划分为单独晶粒(individualdies)，该设备区具有通过多个分割线(也称为“街道(streets)”划分的多个设备。该制造工艺通常包括沿分割线切割晶圆的切割步骤，以获得单独晶粒。晶圆可以沿分割线从其前侧或其背侧进行切割。

3、在光学设备制造工艺中，例如由n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层构成的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种处理基板(2)的方法，所述基板具有在其上形成有至少一条分割线(12)的第一表面(4)，和与所述第一表面(4)相对的第二表面(6)，其中，所述第二表面(6)上形成有背侧层(14)，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述背侧层(14)为金属层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法还包括将保护片材(30)附接至所述第一表面(4)，其中

4.根据权利要求1或2所述的方法，其还包括将所述激光束(LB)从所述第一表面(4)的所述侧部施用至所述基板(2)，其中，所述基板(2)由对所述激光束(LB)透明的材料制成，并且将所述激光束至少...

【技术特征摘要】

1.一种处理基板(2)的方法，所述基板具有在其上形成有至少一条分割线(12)的第一表面(4)，和与所述第一表面(4)相对的第二表面(6)，其中，所述第二表面(6)上形成有背侧层(14)，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述背侧层(14)为金属层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法还包括将保护片材(30)附接至所述第一表面(4)，其中

4.根据权利要求1或2所述的方法，其还包括将所述激光束(lb)从所述第一表面(4)的所述侧部施用至所述基板(2)，其中，所述基板(2)由对所述激光束(lb)透明的材料制成，并且将所述激光束至少在沿所述至少一条分割线(12)的多个位置处施用至所述基板(2)，从而在所述基板(2)中形成多个修改区域(18)。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔·海因兹·普里瓦瑟，扎米米尔·阿吉罗夫，汤平泰吉，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：