【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种处理基板的方法，该基板具有在其上形成有至少一条分割线的第一表面，和与第一表面相对的第二表面。
技术介绍
1、在诸如晶圆、例如半导体晶圆的基板上，通过在基板的前表面上设置设备区来形成诸如集成电路(intergrated circuits,ics)、大规模集成(large scale integrations,lsis)和发光二极管(light emitting diodes,leds)的设备。该基板可以为由例如碳化硅(sic)、氮化镓(gan)、砷化镓(gaas)、或硅(si)等制成的晶圆。该设备可以为例如用于功率半导体的半导体设备，该功率半导体设计为用于功率节省产品。
2、在半导体设备制造工艺中，将具有设备区的晶圆划分为单独晶粒(individualdies)，该设备区具有通过多个分割线(也称为“街道(streets)”划分的多个设备。该制造工艺通常包括沿分割线切割晶圆的切割步骤，以获得单独晶粒。晶圆可以沿分割线从其前侧或其背侧进行切割。
3、在光学设备制造工艺中，例如由n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层构成的光学设备层形成在单晶基板、诸如蓝宝石基板、碳化硅基板、或氮化镓基板的前侧。光学设备层由分割线划分，以限定单独区域，在该单独区域中分别形成有光学设备、诸如发光二极管(leds)和激光二极管。通过在单晶基板的前侧设置光学设备层，形成了光学设备晶圆。光学设备晶圆沿分割线隔开、例如切割，以分隔在其中形成光学设备的单独区域，从而获得作为芯片或晶粒的单独光学设备。
4、作为分隔
5、为了避免这些问题，已经提出了沿分割线从其背侧切割基板。然而，该方法致使切割装置相对于待切割的分割线的对准相当地更加困难，并相当大地降低了对准精度。对准精度的下降通常必须通过使分割线更宽来补偿，从而增加切割装置的位置公差。然而，这样的分割线的加宽减少可以容纳在基板上的设备的数量，因此影响生产效率并导致基板材料的浪费。对于昂贵的基板材料、诸如sic和gaas，该问题特别显著。
6、如果在基板的背侧存在诸如金属层的背侧层，则上述问题会进一步恶化。通常，这样的背侧层的存在致使从基板背侧检测到分割线，并且因此切割装置的对准甚至更加困难。特别地，背侧层可以阻挡可见光范围和/或红外范围中的光的透射。例如，如果两个单独的相机用于从基板的前侧和背侧同时对基板成像，以便将相对于分割线对准切割装置，精确地使相机彼此同步是非常困难的，通常导致差的对准精度。
7、因此，仍然需要一种处理基板的方法，该方法允许以精确和有效的方式来处理基板。
技术实现思路
1、因此，本专利技术的目的在于提供一种处理基板的方法，该方法允许以精确和有效的方式来处理基板。该目标通过使用第一实施方案的技术特征的基板处理方法、以及通过使用第三实施方案的技术特征的基板处理方法来实现。本专利技术的优选实施方案来自其他实施方案。
2、本专利技术提供一种处理基板的方法，该基板具有在其上形成有至少一个分割线的第一表面，和与该第一表面相对的第二表面。所述方法包括将保护片材附接至所述第一表面，将激光束施用至所述保护片材，以便在所述保护片材中形成多个对准标记，以及通过使用基板材料移除装置，从所述第二表面的侧部沿所述至少一条分割线移除基板材料。所述对准标记用于将基板材料移除装置相对于所述至少一条分割线对准。
3、在本专利技术的方法中，从所述第二表面的侧部沿所述至少一条分割线移除基板材料。因此，可以可靠地避免第一表面的完整性由基板材料移除工艺而损害。特别地，如果具有多个设备的设备区形成在第一表面上，则可以最小化设备质量受基板材料移除影响的风险。可以防止前侧和/或背侧剥落(chipping)、以及产生的芯片或晶粒的晶粒强度退化的问题的发生。
4、进一步地，将激光束施用至所述保护片材，以便在所述保护片材中形成多个对准标记。以这种方式，对准标记可以以有效的方式和高精度而形成。
5、因此形成的对准标记用于将基板材料移除装置相对于所述至少一条分割线对准。因此，基板材料移除装置可以相对于至少一条分割线以增强的对准精度对准，允许以高精确度执行基板材料移除工艺。因此，可以减小至少一条分割线的宽度，能够在第一基板表面上容纳增加数量的元件、例如设备。以这种方式，生产效率显著提高，并且避免了基板材料的浪费。这对于昂贵的基板材料、诸如sic和gaas特别有利。
6、因此，本专利技术的处理方法允许以精确和有效的方式来处理基板。
7、施用至所述保护片材、以便在所述保护片材中形成多个对准标记的激光束可以为脉冲激光束。脉冲激光束可以具有例如在1fs至300ns范围内的脉冲宽度。
8、可以将激光束施用至保护片材，以便在将保护片材附接至第一表面之后，在所述保护片材中形成多个对准标记。以这种方式，可以进一步提高保护片材中的对准标记相对于至少一条分割线的定位精度。
9、可以将激光束从基板的第一表面的侧部施用至保护片材。
10、对准标记的形状和布置不受特别限制。例如，每个或一些对准标记可以为一个或多个点、或者一条或多条线的形式，例如，曲线和/或直线。
11、多条分割线可以形成在基板的第一表面上。该方法可以包括通过使用基板材料移除装置，沿一条或多条、优选所有的分割线移除基板材料。在此情况下，对准标记用于使基板材料移除装置相对于沿其移除基板材料的分割线、或线对准。
12、具有多个设备的设备区可以形成在基板的第一表面上。这些设备可以通过该至少一条分割线来划分。设备区可以包括设备，诸如电子设备，或例如功率半导体设备、特别是节能功率半导体设备的半导体设备等。设备可以包括、或者例如是晶体管，例如诸如sicmosfet的mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor fieldeffect transistor))、或绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,igbt)；或二极管、例如肖特基势垒二极管(schottky barrier diode)。
13、保护片材可以附接至基板的第一表面，以便覆盖形成在设备区中的设备。保护片材可以保护第一基板表面，特别是形成在设备区中的设备，例如防止污染或损害。
14、基板可以例如，由半导体、玻璃、蓝宝石(al2o3)、诸如氧化铝陶瓷的陶瓷、石英、氧化锆、锆钛酸铅(lead zirconate titanate,pzt)、聚碳酸酯、或光学晶体材料等制成。基板可以为晶圆、诸如本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种处理基板(2)的方法，所述基板具有在其上形成有至少一条分割线(12)的第一表面(4)，和与所述第一表面(4)相对的第二表面(6)，其中，所述第二表面(6)上形成有背侧层(14)，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述背侧层(14)为金属层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法还包括将保护片材(30)附接至所述第一表面(4)，其中
4.根据权利要求1或2所述的方法，其还包括将所述激光束(LB)从所述第一表面(4)的所述侧部施用至所述基板(2)，其中，所述基板(2)由对所述激光束(LB)透明的材料制成，并且将所述激光束至少在沿所述至少一条分割线(12)的多个位置处施用至所述基板(2)，从而在所述基板(2)中形成多个修改区域(18)。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述基板材料沿所述至少一条分割线(12)机械地移除。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述基板材料通过沿所述至少一条分割线(12)机械地切割所述基板(2)而机械地移除。
7.根据权利要求1或2所述的方法
8.根据权利要求1或2所述方法，其中，所述基板材料沿所述至少一条分割线(12)通过激光烧蚀而移除。
9.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述基板材料在从所述第二表面(6)朝向所述第一表面(4)的方向上仅沿所述基板(2)的厚度的一部分而移除。
10.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法还包括在沿所述至少一条分割线(12)移除基板材料之后，将外力施用至所述基板(2)，从而沿所述至少一条分割线(12)分割所述基板(2)。
...【技术特征摘要】
1.一种处理基板(2)的方法，所述基板具有在其上形成有至少一条分割线(12)的第一表面(4)，和与所述第一表面(4)相对的第二表面(6)，其中，所述第二表面(6)上形成有背侧层(14)，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述背侧层(14)为金属层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法还包括将保护片材(30)附接至所述第一表面(4)，其中
4.根据权利要求1或2所述的方法，其还包括将所述激光束(lb)从所述第一表面(4)的所述侧部施用至所述基板(2)，其中，所述基板(2)由对所述激光束(lb)透明的材料制成，并且将所述激光束至少在沿所述至少一条分割线(12)的多个位置处施用至所述基板(2)，从而在所述基板(2)中形成多个修改区域(18)。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔·海因兹·普里瓦瑟，扎米米尔·阿吉罗夫，汤平泰吉，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：
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