System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 保持工作台制造技术_技高网

保持工作台制造技术

技术编号:40804895 阅读:5 留言:0更新日期:2024-03-28 19:29
本发明专利技术提供一种保持工作台,即使在大气中烧结也能够将电阻率降低至期望的值。保持工作台包含保持被加工物的多孔陶瓷的保持部件。保持部件包含氧化物半导体。保持部件的体积电阻率为1×10<supgt;‑8</supgt;Ω·m以上且1×10<supgt;‑6</supgt;Ω·m以下,氧化物半导体的混配率设定为3体积%以上且20体积%以下。氧化物半导体是氧化锡、氧化钛、氧化镍或氧化锌。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及保持被加工物的保持工作台


技术介绍

1、当对保持工作台所保持的被加工物实施加工、检查、清洗等时,存在被加工物带电而将器件静电破坏的问题。

2、因此,提出了使多孔陶瓷含有氧化锆、钴等金属粒子而赋予导电性的保持工作台(例如参照专利文献1)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2011-014783号公报


技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、然而,若使含有金属粒子的多孔陶瓷在大气中烧结,则存在如下的问题:金属粒子发生氧化而使导电性降低,无法将多孔陶瓷的电阻率降低至期望的值。

3、因此,本专利技术的目的在于提供一种即使在大气中烧结也能够将电阻率降低至期望的值的保持工作台。

4、用于解决课题的手段

5、根据本专利技术,提供一种保持工作台,其具备:基台,其具有圆形凹部;以及保持部件,其嵌合于该基台的该圆形凹部中,该保持部件包含多孔陶瓷和氧化物半导体。

6、优选该保持部件的体积电阻率为1×10-8ω·m以上且1×10-6ω·m以下,该氧化物半导体的混配率设定为3体积%以上且20体积%以下。

7、优选该氧化物半导体包含氧化锡、氧化钛、氧化镍或氧化锌中的至少任一种。

8、优选该氧化物半导体包含氧化锡,该氧化锡的混配率设定为3体积%以上且10体积%以下。

9、优选该氧化物半导体包含氧化钛或氧化镍,该氧化钛或该氧化镍的混配率设定为10体积%以上且20体积%以下。

10、专利技术效果

11、本专利技术起到即使在大气中烧结也能够将电阻率降低至期望的值的效果。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种保持工作台,其中,该保持工作台具备:

2.根据权利要求1所述的保持工作台,其中,

3.根据权利要求1所述的保持工作台,其中,

4.根据权利要求3所述的保持工作台,其中,

5.根据权利要求3所述的保持工作台,其中,

【技术特征摘要】

1.一种保持工作台,其中,该保持工作台具备:

2.根据权利要求1所述的保持工作台,其中,

3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:马路良吾
申请(专利权)人:株式会社迪思科
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1