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本发明涉及一种硅晶片的激光加工方法,上述硅晶片的激光加工方法包括激光加工的位置由多条第一切割道中位于边缘的一条第一切割道的一端起始,沿第一切割道激光划片;之后重复激光加工的位置移到与刚划片过的第一切割道相邻的一条第一切割道继续划片的步骤,直...该专利属于大族激光科技产业集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过大族激光科技产业集团股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种硅晶片的激光加工方法,上述硅晶片的激光加工方法包括激光加工的位置由多条第一切割道中位于边缘的一条第一切割道的一端起始,沿第一切割道激光划片;之后重复激光加工的位置移到与刚划片过的第一切割道相邻的一条第一切割道继续划片的步骤,直...