一种功率元件的制造方法及其结构，用以解决现有功率元件需独立封装及焊板的问题。其包括：在一个硅晶圆的正面形成多个间隔排列的半导体元件层；在该硅晶圆的正面挖设多个沟槽以隔开多个半导体元件层；在各沟槽中填充一种第一隔离材料；研磨该硅晶圆的背面...