晶粒封装结构及其晶粒载板制造技术

一种晶粒载板，包括载板以及铜箔层。载板具有晶粒承载面，晶粒承载面设有晶粒接合区以及位于晶粒接合区周围的焊垫阵列。焊垫阵列包括多个焊垫，晶粒承载面具有多个第一角落，而邻近第一角落的部分焊垫为接地焊垫。铜箔层覆盖晶粒承载面，且铜箔层的边缘与晶粒承载面的边缘之间有间距。铜箔层具有对应第一角落的多个第二角落以及分别从第二角落延伸出的多个尖端结构，且接地焊垫被铜箔层覆盖。此晶粒载板具有静电防护功能。此外，本实用新型专利技术另提出一种具有此晶粒载板的晶粒封装结构。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种封装结构，尤其涉及一种晶粒封装结构及其晶粒载板。
技术介绍
基于专业分工，现今的电子装置生产过程往往分成多个不同的阶段，不同的阶段是由不同专业的厂房来完成，因此当一个阶段完成后，需要将产品运送至负责下一阶段的厂房。由于这些产品并非终端产品，自身的保护力通常较差，因此在运送过程中容易受损。以晶粒封装为例，将从晶圆切割下来的晶粒(die)安装至晶粒载板后，会将包含有晶粒及晶粒载板的晶粒封装结构运送至其他厂房以进行下一阶段的生产步骤。然而，在运送的过程中，晶粒封装结构容易因静电的关系而损坏。
技术实现思路
本技术提供一种晶粒载板，以提升静电防护的功能。本技术另提供一种晶粒封装结构，以提升静电防护的功能。为达上述优点至少其中之一或其他优点，本技术一实施例提出一种晶粒载板，其包括载板以及铜箔层。载板具有晶粒承载面，晶粒承载面设有晶粒接合区以及位于晶粒接合区周围的焊垫阵列。焊垫阵列包括多个焊垫，晶粒承载面具有多个第一角落，而邻近第一角落的部分焊垫为接地焊垫。铜箔层覆盖晶粒承载面，且铜箔层的边缘与晶粒承载面的边缘之间有间距。铜箔层具有对应第一角落的多个第二角落以及分别从第二角落延伸出的多个尖端结构，且接地焊垫被铜箔层覆盖。在本技术的一实施例中，所述部分焊垫为信号焊垫，而铜箔层暴露出信号焊垫。在本技术的一实施例中，所述晶粒载板还包括多个锡球，连接于信号焊垫。在本技术的一实施例中，所述各第一角落对应两个接地焊垫。在本技术的一实施例中，所述各第二角落呈圆弧状或切角状。在本技术的一实施例中，所述各尖端结构为箭头图案，箭头图案包括三柱体，各柱体具有相对的第一端与第二端，且第一端彼此相连于对应的第二角落。在本技术的一实施例中，所述各柱体的第二端为尖端。在本技术的一实施例中，所述各尖端结构为锥状图案，且锥状图案的远离对应的第二角落的末端为尖端。为达上述优点至少其中之一或其他优点，本技术另一实施例提出一种晶粒封装结构，其包括晶粒以及上述任一实施例的晶粒载板，其中晶粒配置于晶粒载板的晶粒接合区。在本技术的晶粒载板及晶粒封装结构中，由于邻近载板的晶粒承载面的第一角落的焊垫为被铜箔层覆盖的接地焊垫，且铜箔层的第二角落延伸出尖端结构，所以不仅能借由尖端结构进行静电放电，还可借由接地焊垫将静电快速排除。因此，本技术的晶粒载板及晶粒封装结构具有较佳的静电防护功能。上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图1是本技术一实施例的晶粒封装结构的俯视示意图。图2是图1的区域R的具体结构的示意图。图3是本技术另一实施例的晶粒封装结构的局部俯视示意图。图4是本技术另一实施例的晶粒封装结构的局部俯视示意图。图5是本技术另一实施例的晶粒载板的局部俯视示意图。具体实施方式由于晶粒封装结构在运送或保存的时候，最有可能被静电侵入的地方就是晶粒载板的角落，因此本技术提出能在静电侵入的瞬间，快速将静电排放掉的晶粒载板及具有此晶粒载板的晶粒封装结构，以降低静电的伤害。以下将配合图式来详细说明本技术的晶粒载板及晶粒封装结构的具体实施方式。图1是本技术一实施例的晶粒封装结构的俯视示意图，图2是图1的区域R的具体结构的示意图。请参照图1与图2，本实施例的晶粒封装结构200包括晶粒210以及晶粒载板100，其中晶粒载板100包括载板110以及铜箔层120。载板110具有晶粒承载面111，晶粒承载面111设有晶粒接合区112以及位于晶粒接合区112周围的焊垫阵列113，其中晶粒210配置于晶粒接合区112。晶粒承载面111具有多个第一角落114。焊垫阵列113借由载板100的金属导线(图未示)而与晶粒接合区112电性连接，从而电性连接至晶粒210。焊垫阵列113包括多个焊垫，这些焊垫包括多个接地焊垫113a与多个信号焊垫113b，其中邻近各第一角落114的焊垫为接地焊垫113a。在本实施例中，各第一角落114例如是对应两个接地焊垫113a，但本技术并不以此为限。举例来说，当最邻近各第一角落114的焊垫只有一个时，则可至少将最接近第一角落114的该焊垫设置成接地焊垫113a。此外，本技术并不限制接地焊垫113a只能设置在邻近第一角落114的位置，在信号焊垫113b之间也可设置有接地焊垫113a，端视设计需求而定。铜箔层120覆盖晶粒承载面111，且铜箔层120的边缘与晶粒承载面111的边缘之间有间距G。铜箔层120具有对应第一角落114的多个第二角落121以及分别从第二角落121延伸出的多个尖端结构122，且接地焊垫113a被铜箔层120覆盖。此外，铜箔层120例如是暴露出信号焊垫113b。本实施例中，各第二角落121例如是圆弧状，在其他实施例中，第二角落也可为其他不具尖角的形状，例如图3所示的呈切角状的第二角落121a。请再参照图1与图2，各尖端结构122可为箭头图案，箭头图案包括三柱体123，各柱体123具有相对的第一端123a与第二端123b，且这些柱体123的第一端123a例如是彼此相连于对应的第二角落121。各柱体123的第二端123b例如为尖端。在其他实施例中，尖端结构122的柱体123的数量可为一个、两个或多于三个，而本技术的尖端结构的具体形状也不以此为限。如图4所示，尖端结构122a为锥状图案，且锥状图案的远离对应的第二角落121的末端124为尖端。请再参照图1与图2，本实施例的晶粒封装结构200中，由于铜箔层120的第二角落121延伸出有利于尖端放电的尖端结构122，因此在一般的状况下，可利用铜箔层120对静电做放电的动作。此外，由于邻近载板110的晶粒承载面111的第一角落114的焊垫为被铜箔层120覆盖的接地焊垫113a，当有大量的静电发生时，除了可借由上述的方式进行放电外，还可借由接地焊垫113a提供较短的静电排放路径，以将静电快速排放置接地端(GND)。如此，能避免静电流窜到信号焊垫113b，从而防止静电经由信号焊垫113b及金属导线流至晶粒接合区112而造成安装于晶粒接合区112的晶粒210受损。图5是本技术另一实施例的一种晶粒载板的局部俯视示意图。请参照图1与图5，本实施例的晶粒载板100a与上述的晶粒载板100相似，差异处在于本实施例的晶粒载板100a还包括多个锡球130，这些锡球130分别连接于上述多个信号焊垫113b。上述的晶粒封装结构200的晶粒载板100可替换成此晶粒载板100a。在本技术的晶粒载板及晶粒封装结构中，由于邻近载板的晶粒承载面的第一角落的焊垫为被铜箔层覆盖的接地焊垫，且接地焊垫的第二角落延伸出尖端结构，所以能将静电经由尖端结构及铜箔层而导引至接地焊垫，从而将静电排除。因此，本技术的晶粒载板及晶粒封装结构具有较佳的静电防护功能。以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术作任何形式上的限制，虽然本技术已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本技术，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶粒载板，其特征在于，包括：载板，具有晶粒承载面，该晶粒承载面设有晶粒接合区以及位于该晶粒接合区周围的焊垫阵列，该焊垫阵列包括多个焊垫，该晶粒承载面具有多个第一角落，而邻近该些第一角落的部分该些焊垫为接地焊垫；以及铜箔层，覆盖该晶粒承载面，且该铜箔层的边缘与该晶粒承载面的边缘之间有间距，其中该铜箔层具有对应该些第一角落的多个第二角落以及分别从该些第二角落延伸出的多个尖端结构，且该些接地焊垫被该铜箔层覆盖。

【技术特征摘要】
2016.08.04 TW 1052118011.一种晶粒载板，其特征在于，包括：载板，具有晶粒承载面，该晶粒承载面设有晶粒接合区以及位于该晶粒接合区周围的焊垫阵列，该焊垫阵列包括多个焊垫，该晶粒承载面具有多个第一角落，而邻近该些第一角落的部分该些焊垫为接地焊垫；以及铜箔层，覆盖该晶粒承载面，且该铜箔层的边缘与该晶粒承载面的边缘之间有间距，其中该铜箔层具有对应该些第一角落的多个第二角落以及分别从该些第二角落延伸出的多个尖端结构，且该些接地焊垫被该铜箔层覆盖。2.根据权利要求1所述的晶粒载板，其特征在于，部分该些焊垫为信号焊垫，而该铜箔层暴露出该些信号焊垫。3.根据权利要求2所述的晶粒载板，其特征在于，所述晶粒载板还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：张乃舜，陈再生，
申请(专利权)人：上海兆芯集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31