封装件结构制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种封装件结构，其包括：管芯、密封剂、通孔、第一介电层、导电线结构、粘附促进层、第二介电层和连接件。密封剂形成在管芯旁边。通孔形成在管芯旁边并且穿透密封剂。第一介电层形成在管芯、密封剂和通孔上面。导电线结构包括位于第一介电层上方的焊盘。粘附促进层覆盖焊盘的顶面的第一部分和侧壁并且位于第一介电层上面。第二介电层覆盖粘附促进层。连接件与焊盘的顶面的第二部分接触。焊盘的顶面的第二部分通过粘附促进层暴露。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及封装件结构。
技术介绍
近年来，由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改进，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的改进来自于最小部件尺寸的持续降低，这允许更多的部件被集成到给定区域内。这些较小的电子组件也需要比以前的封装件占用较少的面积的较小的封装件。半导体的封装件的类型的实例包括扁平封装(QFP)、针栅阵列(PGA)、球栅阵列(BGA)、倒装芯片(FC)、三维集成电路(3DIC)、晶圆级封装(WLP)、和叠层封装(PoP)器件。研磨或抛光步骤是封装件制造工艺中的一个主要步骤。实现对封装件结构的研磨均匀度的更好的控制是产业中关注焦点。
技术实现思路
根据本发专利技术的一些实施例，提供了一种封装件结构，包括：管芯；密封剂，位于所述管芯旁边；通孔，位于所述管芯旁边并且穿透所述密封剂；第一介电层，位于所述管芯、所述密封剂和所述通孔上面；导电线结构，包括位于所述第一介电层上方的焊盘；粘附促进层，位于所述焊盘的顶面的第一部分和所述焊盘的侧壁上面及所述第一介电层上面；第二介电层，位于所述粘附促进层上面；以及连接件，与所述焊盘的顶面的第二部分接触，其中，所述焊盘的顶面的第二部分通过所述粘附促进层暴露。根据本专利技术的另一些实施例，还提供了一种封装件结构，包括：管芯；密封剂，位于所述管芯旁边；通孔，位于所述管芯旁边并且穿透所述密封剂；第一介电层，位于所述管芯、所述通孔和所述密封剂上面；导电线结构，包括位于所述第一介电层上方的焊盘和迹线；粘附促进层，位于所述迹线、所述焊盘的顶面的第一部分和所述焊盘的侧壁上面并且部分地位于所述第一介电层上面；第二介电层，位于所述粘附促进层上面，其中，所述第二介电层和所述粘附促进层具有暴露出所述第一介电层的位于所述焊盘和所述迹线之间的部分的开口；以及连接件，与所述焊盘的顶面的第二部分接触，其中，所述焊盘的顶面的第二部分通过所述粘附促进层暴露。根据本专利技术的又一些实施例，还提供了一种封装件结构，包括：管芯；密封剂，位于所述管芯旁边；通孔，位于所述管芯旁边并且穿透所述密封剂；第一介电层，位于所述管芯、所述通孔和所述密封剂上面；导电线结构，包括位于所述第一介电层上方的焊盘和迹线；粘附促进层，位于所述迹线、所述焊盘的顶面的第一部分和所述焊盘的侧壁上面并且部分地位于所述第一介电层上面，其中，所述粘附促进层的材料与所述第一介电层的材料不同；以及连接件，与所述焊盘的顶面的第二部分接触，其中，所述焊盘的顶面的第二部分通过所述粘附促进层暴露。附图说明图1A和图1B是根据一些实施例的示出形成PoP器件的方法的示意性截面图。图2A至图2D是根据一些实施例的示出制造半导体器件的连接结构的方法的示意性截面图。图3是根据一些实施例的示出制造半导体器件的连接结构的方法的流程图。图4A至图4D是根据可选实施例的示出制造半导体器件的连接结构的方法的示意性截面图。图5是根据可选实施例的示出制造半导体器件的连接结构的方法的流程图。图6A至图6F是根据又一些可选实施例的示出制造半导体器件的连接结构的方法的示意性截面图。图7是根据又一些可选实施例的示出制造半导体器件的连接结构的方法的流程图。图8A至图8B是根据又一些可选实施例的示出制造半导体器件的连接结构的方法的示意性截面图。图9是根据又一些可选实施例的示出制造半导体器件的连接结构的方法的流程图。图10是根据又一些可选实施例的示出半导体器件的连接结构的示意性截面图。图11是根据又一些可选实施例的示出制造半导体器件的连接结构的方法的流程图。图12至图15是根据一些实施例的示出半导体器件的连接结构的示意性顶视图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例并且不旨在限制。例如，在以下描述中，在第一部件上方或上形成第二部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，也可以包括在第一部件和第二部件之间形成附加的部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。此外，本专利技术可以在各个实例中重复参考标号和字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身并不表示所论述多个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...上”、“在...之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对位置术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。图1A至图1B是根据一些实施例的示出形成PoP器件的方法的截面图。参考图1A，提供管芯31。在一些实施例中，管芯31包括衬底20、集成电路器件22、互连结构23、多个焊盘24、第一钝化层26、多个连接件30和第二钝化层28。例如，衬底20包括掺杂或不掺杂的块状硅，或绝缘体上硅(SOI)衬底的有源层。例如，集成电路器件22是晶体管、电容器、电阻器、二极管、光电二极管、熔丝元件和类似的元件。互连结构23形成在集成电路器件22上方以连接不同的集成电路器件22，从而形成功能电路。在互连结构23上方或上形成焊盘24。焊盘24和互连结构23电连接(未示出)以提供至集成电路器件22的外部连接。例如，焊盘24包括铝、铜、镍、上述的组合等。在衬底20和焊盘24上方形成第一钝化层26。第一钝化层26包括聚合物，诸如聚苯并恶唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)、它们的组合等。通过诸如旋涂、层压、沉积等的适当的制备技术形成第一钝化层26。连接件30形成在一些焊盘24上方并且电连接至一些焊盘24。连接件30包括焊料凸块、金凸块、铜凸块、铜柱等。术语“铜柱”指的是铜突出件、铜通孔、厚铜焊盘和/或含铜的突出件。在整个说明书中，术语“铜”旨在包括基本上纯的元素铜，含有不可避免的杂质的铜，和含有少量的诸如钽、铟、锡、锌、锰、铬、钛、锗、锶、铂、镁、铝或锆等元素的铜合金。在第一钝化层26上方和连接件30的旁边形成第二钝化层28。例如，第二钝化层28包括聚合物。聚合物包括聚苯并恶唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)、它们的组合等。第二钝化层28是由诸如旋涂、层压、沉积等的合适的制造技术制造的。在管芯31的背面上方形成粘合层14。粘合层14包括管芯附接膜(DAF)、银膏等。将具有粘合层14的管芯31放置在载体10上方。载体10提供为具有形成在其上的胶层11和介电层12。载体10可以是空白玻璃载体、空白陶瓷载体等。胶层11可由诸如紫外(UV)胶、光热转换(LTHC)胶等的粘合剂形成，但是也可以使用其他类型的粘合剂。在一些实施例中，胶层11在光的热量下可分解，从而将载体10从在其上形成的结构释放。介电层12是形成在胶层11上方。在一些实施例中，介电层12是聚合物层。例如，聚合物包括聚酰亚胺、PBO、BCB、味之素构建膜(ABF)、阻焊膜(SR)等。介电层12是由诸如旋涂、层压、沉积等的合适的制造技术制成的。之后，在载体10上方并且在管芯31旁边或周围本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装件结构，包括：管芯；密封剂，位于所述管芯旁边；通孔，位于所述管芯旁边并且穿透所述密封剂；第一介电层，位于所述管芯、所述密封剂和所述通孔上面；导电线结构，包括位于所述第一介电层上方的焊盘；粘附促进层，位于所述焊盘的顶面的第一部分和所述焊盘的侧壁上面及所述第一介电层上面；第二介电层，位于所述粘附促进层上面；以及连接件，与所述焊盘的顶面的第二部分接触，其中，所述焊盘的顶面的第二部分通过所述粘附促进层暴露。

【技术特征摘要】
2015.06.30 US 14/754,7051.一种封装件结构，包括：管芯；密封剂，位于所述管芯旁边；通孔，位于所述管芯旁边并且穿透所述密封剂；第一介电层，位于所述管芯、所述密封剂和所述通孔上面；导电线结构，包括位于所述第一介电层上方的焊盘；粘附促进层，位于所述焊盘的顶面的第一部分和所述焊盘的侧壁上面及所述第一介电层上面；第二介电层，位于所述粘附促进层上面；以及连接件，与所述焊盘的顶面的第二部分接触，其中，所述焊盘的顶面的第二部分通过所述粘附促进层暴露。2.根据权利要求1所述的封装件结构，其中，所述粘附促进层与所述第二介电层是自对准的。3.根据权利要求1所述的封装件结构，其中，所述第二介电层还部分地覆盖所述焊盘的顶面的第二部分。4.根据权利要求1所述的封装件结构，其中，所述第二介电层部分地暴露位于所述焊盘的顶面的第一部分上方的所述粘附促进层。5.根据权利要求1所述的封装件结构，其中，所述粘附促进层和所述焊盘之间的粘附力大于所述焊盘和所述第二介电层之间的粘附力。6.根据权利要求1所述的封装件结构，其中，所述粘附促进层包括无机介电材料。7.根据权利要求6所述的封装件结构，其中，所述粘附促进层包括氧化物、含氮介电材料或前述的组合。8.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏安治，陈宪伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71