用于电器件中的载流结构的金属化部及其制造方法技术

本发明专利技术涉及用于电器件中的载流结构的金属化部及其制造方法，该金属化部布置在衬底（S）上，且具有基座、布置在该基座上的上覆层（TL）以及该基座中的布置在下层（BL）与上层（UL）之间的中间层（ML），其中基座包括下层（BL），该下层布置在衬底表面上方或者布置在衬底表面上并且包括Ti或者钛化合物作为主要成分，基座包括上层（UL），该上层布置在下层（BL）上方或者直接布置在下层（BL）上并且包括Cu作为主要成分，上覆层（TL）直接布置在上层上并且包括Al作为主要成分，以及中间层（ML）包括Ag。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请号为201080054640.0、申请日为2010年12月1日、专利技术名称为“具有高电源兼容性和高导电性的金属化部”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及用于载流结构的具有高电源稳定性(Leistungsfestigkeit)和高导电性的金属化部以及用于制造该金属化部的方法。本专利技术尤其是涉及用于利用声波工作的器件的载流结构的金属化部。
技术介绍
利用声波工作的器件的金属化部——从所述金属化部例如构造了压电衬底上的例如汇流排、与汇流排连接的电极指或者反射器结构——特别优选地设计为电源稳定的。体声波（BAW=bulkacousticwave（体声波））或者表面声波（SAW=surfaceacousticwave（表面声波））在固体内或者在固体的表面上传播；其频率处于GHz范围内。将高频电信号转换成声波或者相反地将声波转换成高频电信号的载流（电极）结构因此必须一方面经受电流并且另一方面经受由声波造成的机械变形，而不受到损坏。从美国专利文献US7,605,524B2中已知利用表面声波（SAW）工作的器件的电极结本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于电器件中的载流结构的金属化部（M），‑ 布置在衬底（S）上，‑ 具有基座、布置在该基座上的上覆层（TL）以及该基座中的布置在下层（BL）与上层（UL）之间的中间层（ML），其中‑ 基座包括下层（BL），该下层布置在衬底表面上方或者布置在衬底表面上并且包括Ti或者钛化合物作为主要成分，‑ 基座包括上层（UL），该上层布置在下层（BL）上方或者直接布置在下层（BL）上并且包括Cu作为主要成分，‑ 上覆层（TL）直接布置在上层上并且包括Al作为主要成分，以及‑ 中间层（ML）包括Ag。

【技术特征摘要】
2009.12.02 DE 102009056663.51.用于电器件中的载流结构的金属化部（M），
-布置在衬底（S）上，
-具有基座、布置在该基座上的上覆层（TL）以及该基座中的布置在下层（BL）与上层（UL）之间的中间层（ML），
其中
-基座包括下层（BL），该下层布置在衬底表面上方或者布置在衬底表面上并且包括Ti或者钛化合物作为主要成分，
-基座包括上层（UL），该上层布置在下层（BL）上方或者直接布置在下层（BL）上并且包括Cu作为主要成分，
-上覆层（TL）直接布置在上层上并且包括Al作为主要成分，以及
-中间层（ML）包括Ag。
2.根据权利要求1的金属化部，其中下层（BL）比上层（UL）薄。
3.根据权利要求1或2的金属化部，其中上层（UL）比上覆层（TL）薄。
4.根据权利要求1或2的金属化部，其中中间层（ML）比下层（BL）薄或者比上层（UL）薄。
5.根据权利要求1或2的金属化部，其中下层（BL）具有2nm至20nm之间的厚度，中间层（ML）具有0.5nm至10nm之间的厚度，并且上层（UL）具有1nm至30nm之间的厚度。
6.根据权利要求1或2的金属化部，其中下层（BL）包括TiN。
7.根据权利要求1或2的金属化部，其中中间层（ML）包括Au、Pt或者Pd。
8.根据权利要求1或2的金属化部，其中中间层（ML...

【专利技术属性】
技术研发人员：C比宁格，U克瑙尔，H措特尔，W吕勒，T耶武拉，R尼斯尔，
申请(专利权)人：埃普科斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE