一种集成电路基板制造技术

一种集成电路基板，所述基板包括覆铜芯板，通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽，有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能，例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将微变压器集成在集成电路基板内，其特征在于，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板和结合于芯板表面的上覆铜层以及结合于芯板底面的下覆铜层，所述芯板上设置有开口朝上的环形槽，所述开口延伸至所述上覆铜层之外。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路封装技术，特别是一种集成电路基板，所述基板包括覆铜芯板，通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽，有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能，例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将微变压器集成在集成电路基板内。
技术介绍
由于新能源的大力发展，隔离应用要求越来越多和隔离电压越来越高，而半导体隔离技术取代传统光耦技术效率更高，集成度更高，支持更高传输速率,符合行业发展的需求。封装基板正在成为集成电路封装领域一个重要的和发展迅速的行业,有机基板工艺大批量使用在BGA球阵列封装，多芯片封装工艺中。现有技术中的采用微变压器方案，电源功率只有0.5W,效率只有35％。由于电感量不够大，信号传输不得不采用180MHz的调制信号，电路非常复杂，并且电路中的磁路不闭合，漏磁大，EMI电磁干扰空间辐射大。本专利技术人发现，对于采用微变压器方案的半导体隔离技术，由于微变压器方案电感量，耦合系数太低，也增加了传输电路的复杂程度，集成的电源效率差。有的电容式隔离器，用户需要外加变压器。另外，电容式隔离不能内部集成开关的电源，客户使用不方便。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的缺陷或不足，提供一种集成电路基板，所述基板包括覆铜芯板，通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽，有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能，例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将变压器集成在集成电路基板内。本专利技术技术方案如下：一种集成电路基板，其特征在于，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板和结合于芯板表面的上覆铜层以及结合于芯板底面的下覆铜层，所述芯板上设置有开口朝上的环形槽，所述开口延伸至所述上覆铜层之外。所述环形槽为控深铣槽，所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口。所述环形槽中固定有磁环。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔，沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔。所述外过孔和内过孔均采用激光打孔。所述若干外过孔包括初级绕组外过孔和次级绕组外过孔，所述若干内过孔包括初级绕组内过孔和次级绕组内过孔。初级绕组和次级绕组均采用印制线连接过孔的方式形成。所述上覆铜层上压合有半固化片。所述半固化片的压合面朝向所述环形槽的对应处设置有开窗。由印制线连接过孔绕制的磁环变压器内置于所述基板本体的绝缘体内，没有空气爬电距离的路径，能达到5.7千伏特的耐压。本专利技术技术效果如下：本专利技术一种集成电路基板，通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽，有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能，例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将微变压器集成在集成电路基板内。本专利技术具有的特点：通过实施本专利技术，能够在集成电路有机基板本体内采用埋磁技术预制一只或多只磁环，通过激光过孔技术实现变压器，并且电感量和耦合系数都非常高，有利于电源的功率输出和效率。再采用SIP工艺集成Die和分离器件来多种表面处理方式以方便引线键合,倒装芯片或混合类型连接，完成整体功能，如隔离电源，隔离信号传输等电路功能。通过采用印制线及激光精确打过孔方式实现变压器线圈的绕制，代替了人工绕制的困难，特别是直径比较小的磁环变压器，不支持机器绕制，只能人工费时绕制。本专利技术克服了绕制线圈的非一致性，离散性；方便出引脚，SMT焊接机械对位和一致性；人工绕制的变压器还得有底托，并且引脚必须有寄托，还有就是SMT焊接不能吸取(由于磁环中空)。本专利技术节约了成本，与纯铜漆包线绕制，整体节约50％成本。本专利技术由于将微变压器内置于绝缘体内，没有空气爬电距离的路径，在很小的空间内实现了高耐压初次级要达到5.7千伏特的耐压。附图说明图1是实施本专利技术一种集成电路基板的结构示意图。图2是图1的俯视方向示意图。附图标记列示如下：1-芯板；2-上覆铜层；3-下覆铜层；4-第一磁环；5-第二磁环；6-第三磁环；7-第一环形槽；8-第二环形槽；9-第三环形槽；10-第一环初级绕组外过孔；11-第一环初级绕组内过孔；12-第一环次级绕组内过孔；13-第一环次级绕组外过孔；14-第二环初级绕组外过孔；15-第二环初级绕组内过孔；16-第二环次级绕组内过孔；17-第二环次级绕组外过孔；18-第三环初级绕组外过孔；19-第三环初级绕组内过孔；20-第三环次级绕组内过孔；21-第三环次级绕组外过孔。具体实施方式下面结合附图(图1-图2)对本专利技术进行说明。图1是实施本专利技术一种集成电路基板的结构示意图，图1表现的是截面结构。图2是图1的俯视方向示意图。如图1至图2所示，一种集成电路基板，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板1和结合于芯板1表面的上覆铜层2以及结合于芯板1底面的下覆铜层3，所述芯板1上设置有开口朝上的环形槽(例如第一环形槽7；第二环形槽8；第三环形槽9)，所述开口延伸至所述上覆铜层2之外。所述环形槽为控深铣槽(即采用铣削工艺并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口(例如，蚀刻铜箔，将磁芯或者说磁环所处的覆铜芯板靠近电路板内侧的铜箔蚀刻掉)。所述环形槽中固定有磁环(例如，对应各环形槽的第一磁环4，第二磁环5，第三磁环6等)。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔(例如，第一环初级绕组外过孔10，第一环次级绕组外过13，第二环初级绕组外过14，第二环次级绕组外过孔17，第三环初级绕组外过18，第三环次级绕组外过孔21等)，沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔(例如，第一环次级绕组内过孔11，第一环次级绕组内过孔12，第二环初级绕组内过孔15，第二环次级绕组内过16，第三环初级绕组内过孔19，第三环次级绕组内过20等)。所述外过孔和内过孔均采用激光打孔(例如，激光过孔技术实现精确打孔)。所述若干外过孔包括初级绕组外过孔和次级绕组外过孔(例如，第一环初级绕组外过孔10，第一环次级绕组外过13，第二环初级绕组外过14，第二环次级绕组外过孔17，第三环初级绕组外过18，第三环次级绕组外过孔21等)，所述若干内过孔包括初级绕组内过孔和次级绕组内过孔(例如，第一环次级绕组内过孔11，第一环次级绕组内过孔12，第二环初级绕组内过孔15，第二环次级绕组内过16，第三环初级绕组内过孔19，第三环次级绕组内过20等)。初级绕组和次级绕组均采用印制线连接过孔的方式形成(也就是说，本专利技术可以采用印制线及激光精确打过孔方式实现变压器线圈的绕制)。所述上覆铜层上压合有半固化片。所述半固化片的压合面朝向所述环形槽的对应处设置有开窗(半固化片开窗，将磁芯所处于的覆铜芯板层之间的半固化片对应所述磁芯槽开窗，这样可以采用厚度更厚的磁环；压合，叠板时在磁芯槽和所述开窗中放入磁环，然后将覆铜芯板与半固化片压合)。由印制线连接过孔绕制的磁环变压器内置于所述基板本体的绝缘体内，没有空气爬电距离的路径，能达到5.7千伏特的耐压。本专利技术能够带来以下优点：实现了更大功率，更高效率的IC集成电源；以最少的通道实现了双向信号的传输；基板集成封装工艺一次成型，成本更低。在此指明，以上叙述有助于本领域技术人员理解本专利技术创造，但并非限制本专利技术创造的保护范围。任何没有脱离本专利技术创造实质内容的对以上叙述的等同替换、修饰改进和/或删繁从简而进行的实施，均落入本专利技术创造的保护范本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路基板，其特征在于，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板和结合于芯板表面的上覆铜层以及结合于芯板底面的下覆铜层，所述芯板上设置有开口朝上的环形槽，所述开口延伸至所述上覆铜层之外。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路基板，其特征在于，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板和结合于芯板表面的上覆铜层以及结合于芯板底面的下覆铜层，所述芯板上设置有开口朝上的环形槽，所述开口延伸至所述上覆铜层之外。2.根据权利要求1所述的集成电路基板，其特征在于，所述环形槽为控深铣槽，所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口。3.根据权利要求1所述的集成电路基板，其特征在于，所述环形槽中固定有磁环。4.根据权利要求3所述的集成电路基板，其特征在于，沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔，沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔。5.根据权利要求4所述的集成电路基板，其特征在于，所述外过孔和内过孔均采...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志林，谭磊，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11