【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及稳压器电路，特别是一种高瞬态响应regulator电路。
技术介绍
1、高压产品往往需要在内部集成一个初始regulator电路来产生一个稳定的低压源vreg(regulator即稳压器)，并将低压电路做在此低压源vreg下。当电源电压vdd变化时，regulator的响应速度将影响低压源vreg的稳定性。当低压源vreg变化过大时，将影响低压电路的性能，甚至导致电路功能出错。
技术实现思路
1、本专利技术针对现有技术中存在的缺陷或不足，提供一种高瞬态响应regulator电路，通过利用电路内部电压的变化来判断电路状态，当电源电压vdd快速升高时能够及时对电流源做补偿，从而实现高瞬态响应。
2、本专利技术的技术解决方案如下：
3、一种高瞬态响应regulator电路，其特征在于，包括输出低压源vreg节点，所述vreg节点分别连接源极跟随器和共源放大器，所述共源放大器连接瞬态响应加速电路，所述瞬态响应加速电路通过对电流源做补偿，使环路响应加快，进而使输出低压源vreg迅速回到正常电压值。
4、所述瞬态响应加速电路由第一电阻和第一nmos管组成。
5、所述源极跟随器由第二电流源i2与第三nmos管组成。
6、所述共源放大器由第一电流源i1与第四nmos管组成。
7、所述vreg节点通过第二电流源i2接地，并分别连接第三nmos管的源极和第四nmos管的栅极，所述第四nmos管的漏极通过节点y分别连接
8、当vdd快速升高导致v1升高，v1升高导致vreg升高，vreg升高导致vx升高，vx升高使得第一nmos管导通产生导通电流i，i通过对电流源做补偿使得vreg降回正常，从而实现高瞬态响应。
9、i＝(vx-vgsn1)/r1，其中vgsn1是第一nmos管的栅源电压，r1是第一电阻，vx＞vthn1，vthn1是第一nmos管的阈值电压。
10、当电路恢复平衡时，vx＝vb-vgsn6，其中vgsn6为第六nmos管的栅源电压，通过设置vb-vgsn6＜vthn1使得在电路达到平衡状态时关闭第一nmos管以降低电路静态功耗。
11、本专利技术的技术效果如下：本专利技术一种高瞬态响应regulator电路，通过设置第一电阻和第一nmos管组成的瞬态响应加速电路，利用电路内部电压的变化作用于所述第一nmos管的栅极，当电源电压vdd快速升高时能够产生第一nmos管的导通电流以及时补充到regulator电路电流源中对电流源做补偿，使环路响应加快，输出低压源vreg迅速回到正常电压值，还能在电路达到平衡状态时关闭第一nmos管以降低电路静态功耗。
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1.一种高瞬态响应Regulator电路，其特征在于，包括输出低压源Vreg节点，所述Vreg节点分别连接源极跟随器和共源放大器，所述共源放大器连接瞬态响应加速电路，所述瞬态响应加速电路通过对电流源做补偿，使环路响应加快，进而使输出低压源Vreg迅速回到正常电压值。
2.根据权利要求1所述的高瞬态响应Regulator电路，其特征在于，所述瞬态响应加速电路由第一电阻和第一NMOS管组成。
3.根据权利要求1所述的高瞬态响应Regulator电路，其特征在于，所述源极跟随器由第二电流源I2与第三NMOS管组成。
4.根据权利要求1所述的高瞬态响应Regulator电路，其特征在于，所述共源放大器由第一电流源I1与第四NMOS管组成。
5.根据权利要求1所述的高瞬态响应Regulator电路，其特征在于，所述Vreg节点通过第二电流源I2接地，并分别连接第三NMOS管的源极和第四NMOS管的栅极，所述第四NMOS管的漏极通过节点Y分别连接第二PMOS管的栅极和第一电流源I1的出端，所述第一电流源I1的入端和第三NMOS管的漏极均连接电源
6.根据权利要求5所述的高瞬态响应Regulator电路，其特征在于，当Vdd快速升高导致V1升高，V1升高导致Vreg升高，Vreg升高导致Vx升高，Vx升高使得第一NMOS管导通产生导通电流I，I通过对电流源做补偿使得Vreg降回正常，从而实现高瞬态响应。
7.根据权利要求6所述的高瞬态响应Regulator电路，其特征在于，I＝(Vx-Vgsn1)/R1，其中Vgsn1是第一NMOS管的栅源电压，R1是第一电阻，Vx＞Vthn1，Vthn1是第一NMOS管的阈值电压。
8.根据权利要求7所述的高瞬态响应Regulator电路，其特征在于，当电路恢复平衡时，Vx＝VB-Vgsn6，其中Vgsn6为第六NMOS管的栅源电压，通过设置VB-Vgsn6＜Vthn1使得在电路达到平衡状态时关闭第一NMOS管以降低电路静态功耗。
...【技术特征摘要】
1.一种高瞬态响应regulator电路，其特征在于，包括输出低压源vreg节点，所述vreg节点分别连接源极跟随器和共源放大器，所述共源放大器连接瞬态响应加速电路，所述瞬态响应加速电路通过对电流源做补偿，使环路响应加快，进而使输出低压源vreg迅速回到正常电压值。
2.根据权利要求1所述的高瞬态响应regulator电路，其特征在于，所述瞬态响应加速电路由第一电阻和第一nmos管组成。
3.根据权利要求1所述的高瞬态响应regulator电路，其特征在于，所述源极跟随器由第二电流源i2与第三nmos管组成。
4.根据权利要求1所述的高瞬态响应regulator电路，其特征在于，所述共源放大器由第一电流源i1与第四nmos管组成。
5.根据权利要求1所述的高瞬态响应regulator电路，其特征在于，所述vreg节点通过第二电流源i2接地，并分别连接第三nmos管的源极和第四nmos管的栅极，所述第四nmos管的漏极通过节点y分别连接第二pmos管的栅极和第一电流源i1的出端，所述第一电流源i1的入端和第三nmos管的漏极均连接电源电压vdd端，所述第二pmos管的源极、所述第三nmos管的栅极和第一pmos管的漏极互连成节点v1，所述第一pmos管的栅极、第五pmos管的漏极和第六nmos管的漏极互连成节点pg，所述第六nmos管的栅极连接偏置电压vb端，所述第五pmos管、第四pmos管和第三pmos管栅极互...
【专利技术属性】
技术研发人员：李纪桐，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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