带具有变化的阱厚度的多量子阱结构的基于III族氮化物的发光二极管结构制造技术

一种基于III族氮化物的发光二极管，包括基于p型III族氮化物的半导体层、与基于p型III族氮化物的半导体层形成P-N结的基于n型III族氮化物的半导体层、以及位于基于n型III族氮化物的半导体层上的基于III族氮化物的有源区域。有源区域包括包含相应阱层的多个顺次层叠的基于III族氮化物的阱。所述多个阱层包括具有第一厚度的第一阱层和具有第二厚度的第二阱层。第二阱层位于P-N结与第一阱层之间，并且第二厚度大于第一厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及微电子器件及用于其的制造方法，并且更具体地，本专利技术涉及可以在诸如发光二极管(LED)之类的III族氮化物半导体器件中使用的结构。
技术介绍
发光二极管(LED)被广泛地使用在消费者应用和商业应用中。LED技术的持续发展已经带来了能够覆盖可见光谱以及超过可见光谱的光谱的非常有效率且机械方面稳健的光源。与固态器件的长使用寿命相结合，这些属性已经实现了多种新的显示应用，并且已经甚至导致了 LED在一般照明应用中使用从而可能代替白炽灯和荧光灯。如对于本领域技术人员众所周知的，发光二极管通常包括有源区域，该有源区域由具有合适的带隙的材料制造，使得电子-空穴的重新组合在电流流过器件时产生了光。特别地，III族氮化物材料系统中的材料如GaN、InGaN, AlGaN, InAlGaN等已经被证明对于以相对高的效率产生蓝光、绿光和紫外光是有用的。基于III族氮化物的LED可以在生长衬底(如碳化硅衬底)上制造，以提供水平器件(在LED的同一侧上具有两个电接触)或竖直器件(在LED的相反侧上具有电接触)。另夕卜，生长衬底可以在制造后保持在LED上，或者被去除(例如，通过蚀刻、研磨、抛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：MJ伯格曼，DC德里斯科尔，A查文，P肯图阿列汉德罗，J伊贝森，
申请(专利权)人：克里公司，
类型：
国别省市：