【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器领域,尤其是指一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构。
技术介绍
半导体激光器是一种新型高效的小型光源,具有体积小、电光转换效率高等优点,在材料处理、医疗仪器、航天及军事等领域获得了广泛的应用。对于大功率半导体激光器而言,特别是对于含有量子阱结构有源区的大功率半导体激光器,提高激光器的量子阱电子注入效率是关键。普通量子阱中的两种载流子的复合几率仍有提升空间。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足与缺点,提出一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构,可以降低激光器激射波长线宽,减少电子散失,提高有源区内电子与空穴的辐射复合效率。为实现上述目的,本专利技术所提供的技术方案为:一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构,包括有n-GaAs衬底,在所述n-GaAs衬底上由下至上依次外延生长n-GaAs缓冲层、n-AlxGa1-xAs组分渐变层、n-AlxGa1-xAs下限制层、AlxGa1-xAs下波导层、AlxGa1-xAs下势垒层、量子阱有源层、AlxGa1-xAs上势垒层、AlxGa1-xAs上波导层、p-AlxGa1-xAs上限制层、p-AlxGa1-xAs组分渐变层、p-GaAs顶层;所述AlxGa1-xAs上波导层的厚度小于所述AlxGa1-xAs下波导层的厚度,所述量子阱有源层中包含一个AlxGa1-xAs双势垒阻挡层,所述p-AlxGa1-xAs上限制层、p ...
【技术保护点】
一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构,其特征在于:包括有n‑GaAs衬底,在所述n‑GaAs衬底上由下至上依次外延生长n‑GaAs缓冲层、n‑AlxGa1‑xAs组分渐变层、n‑AlxGa1‑xAs下限制层、AlxGa1‑xAs下波导层、AlxGa1‑xAs下势垒层、量子阱有源层、AlxGa1‑xAs上势垒层、AlxGa1‑xAs上波导层、p‑AlxGa1‑xAs上限制层、p‑AlxGa1‑xAs组分渐变层、p‑GaAs顶层;所述AlxGa1‑xAs上波导层的厚度小于所述AlxGa1‑xAs下波导层的厚度,所述量子阱有源层中包含一个AlxGa1‑xAs双势垒阻挡层,所述p‑AlxGa1‑xAs上限制层、p‑AlxGa1‑xAs组分渐变层、p‑GaAs顶层中的掺杂剂为四溴化碳或者四氯化碳。
【技术特征摘要】
1.一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构,其特征在于:包括有n-GaAs
衬底,在所述n-GaAs衬底上由下至上依次外延生长n-GaAs缓冲层、
n-AlxGa1-xAs组分渐变层、n-AlxGa1-xAs下限制层、AlxGa1-xAs下波导层、
AlxGa1-xAs下势垒层、量子阱有源层、AlxGa1-xAs上势垒层、AlxGa1-xAs上波
导层、p-AlxGa1-xAs上限制层、p-AlxGa1-xAs组分渐变层、p-GaAs顶层;所述
AlxGa1-xAs上波导层的厚度小于所述AlxGa1-xAs下波导层的厚度,所述量子阱
有源层中包含一个AlxGa1-xAs双势垒阻挡层,所述p-AlxGa1-xAs上限制层、
p-AlxGa1-xAs组分渐变层、p-GaAs顶层中的掺杂剂为四溴化碳或者四氯化碳。
2.根据权利要求1所述的一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构,其
特征在于:所述n-AlxGa1-xAs组分渐变层与p-AlxGa1-xAs组分渐变层的...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘旭,张露,吴波,张小宾,杨翠柏,
申请(专利权)人:中山德华芯片技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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