一种太阳电池衬底的剥离方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳电池衬底的剥离方法，上述剥离方法包括以下步骤：S1.提供一太阳电池部件，太阳电池部件包括叠加形成的衬底、牺牲层和外延层；在外延层表面的局部区域设置光刻干膜，并在外延层表面形成柔性金属衬底；去除光刻掩膜，对应的局部区域形成隔离槽；S2.腐蚀去除隔离槽所在区域的外延层；S3.腐蚀去除步骤S2所得部件的牺牲层；得若干太阳电池芯片和衬底。本发明专利技术提出的剥离方法，能够有效提高所得太阳电池芯片的良率并有效缩短太阳电池衬底剥离所需时长。池衬底剥离所需时长。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳电池衬底的剥离方法


[0001]本专利技术涉及太阳电池制备
，尤其是涉及一种太阳电池衬底的剥离方法。

技术介绍

[0002]砷化镓太阳电池具有转化效率高、温度特性好、耐辐照性能强和重量轻等优点。若采用外延层剥离技术，将砷化镓太阳电池从衬底剥离，制成柔性薄膜太阳电池，在保持高转化效率的同时，兼具重量更轻，可弯曲的特点，非常适合贴附于无人机、飞艇、便携式移动电源等的弯曲表面。
[0003]而柔性砷化镓太阳电池制作的核心是衬底剥离方法。现阶段的技术中，量产柔性砷化镓电池为实现砷化镓衬底的重复利用，不采用将砷化镓衬底完全腐蚀掉的方法，而是采用衬底剥离的方法：先在砷化镓衬底上生长外延层(晶圆)；在整个外延层上制备作为正电极的柔性金属衬底；采用溶液腐蚀法(例如可以采用HF溶液)腐蚀牺牲层AlAs，将含有外延层的柔性金属衬底与砷化镓衬底分离开；完成负电极及减反膜的制备后，采用机械或激光切割的方法制成独立的芯片(从晶圆上切割形成小芯片)。上述方法具有以下缺点：
[0004]溶液腐蚀法腐蚀牺牲层AlAs是从晶圆边缘开始侧向腐蚀的，对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池衬底的剥离方法，其特征在于，所述剥离方法包括以下步骤：S1.提供一太阳电池部件，所述太阳电池部件包括叠加形成的衬底、牺牲层和外延层；在所述外延层表面的局部区域设置光刻掩膜，并在所述外延层表面形成柔性金属衬底；去除所述光刻掩膜，所述局部区域形成隔离槽；S2.腐蚀去除所述隔离槽所在区域的外延层；S3.腐蚀去除步骤S2所得部件的牺牲层；得若干太阳电池芯片和所述衬底。2.根据权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，所述隔离槽的宽度为80～120μm。3.根据权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，步骤S1中，在形成所述光刻掩膜之前，还包括在所述外延层表面形成所述柔性金属衬底的种子层。4.根据权利要求3所述的剥离方法，其特征在于，所述种子层为Cu层。5.根据权利要求1所述的剥离方法，其特征在于，步骤S1中，所述太阳电池部件还包括设于所述外延层远离所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖祖峰，丁亮，黄嘉明，黄嘉敬，梁福盛，
申请(专利权)人：中山德华芯片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：