一种在ITO表面制备纯γ-CsPbI3薄膜的方法技术

一种在ITO表面制备纯γ

【技术实现步骤摘要】
一种在ITO表面制备纯
γ
‑
CsPbI3薄膜的方法


[0001]本专利技术涉及钙钛矿薄膜制备
，具体涉及一种在ITO表面制备纯γ
‑
CsPbI3薄膜的方法。

技术介绍

[0002]与有机
‑
无机杂化钙钛矿太阳能电池相比，全无机CsPbI3钙钛矿太阳能电池具有更好的热稳定性及更低的离子迁移性。然而，CsPbI3的黑色α相在室温下稳定性较差，它会自发地转变为非光活性的黄色δ相。相不稳定的本质是铯离子(Cs
+
)的尺寸较小，不适合支撑三维PbI3‑
框架。由离子尺寸失配引起的大晶格应变将使得CsPbI3晶格结构从三维(3D)钙钛矿相转变为一维(1D)非钙钛矿相。因此，改善晶格对称性和调控晶格应变对于解决相不稳定问题非常重要。目前，应用最广泛和最有效的策略是在前驱体中引入挥发性添加剂DMAI。通过已有的研究报道，DMAI的功能体现在降低晶化能垒及减缓快速结晶过程从而获得高质量CsPbI3薄膜，且DMAI的添加可以有效减少能耗(通过大幅降低结晶所需温度)。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在ITO表面制备纯γ
‑ꢀ
CsPbI3薄膜的方法，其特征在于：是以ITO为衬底，先在其表面旋涂SnO2水溶液制备成SnO2薄膜，然后旋涂钙钛矿溶液，再进行退火处理，所述SnO2水溶液中SnO2胶体和去离子水体积比为3~7:1。2.如权利要求1所述的一种在ITO表面制备纯γ
‑ꢀ
CsPbI3薄膜的方法，其特征在于：所述旋涂SnO2水溶液是将100μL SnO2水溶液滴在ITO上，以4000rpm旋涂30s，然后在150℃下退火30min。3.如权利要求1或2所述的一种在ITO表面制备纯γ
‑ꢀ
CsPbI3薄膜的方法，其特征在于：所述退火处理的温度为210℃，退火时间为3~5min。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的一种在ITO表面制备纯γ
‑ꢀ
CsPbI3薄膜的方法，其特征在于：所述钙钛矿旋涂液是将DMAPbI3与CsI按照摩尔比为1:1混合溶于DMF中，配制成0.8M钙钛矿溶液。5.如权利要求4所述的一种在ITO表面制备纯γ
‑ꢀ
CsPbI3薄膜的方法，其特征在于：所述DMAPbI3是将PbI2粉末与DMF混合，在8...

【专利技术属性】
技术研发人员：王生浩，陈实，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：