一种可见光探测器的制备方法技术

本发明专利技术申请公开了一种可见光探测器的制备方法，通过在InGaN衬底上采用电子束蒸发镀膜沉积III族元素的金属层，然后以VI族元素的第一粉末为前驱体，采用化学气相沉积使金属层反应生成III

【技术实现步骤摘要】
一种可见光探测器的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是一种可见光探测器的制备方法。

技术介绍

[0002]近年来新型固态照明技术的高速发展，带动了可见光通信技术的进步。可见光通讯是一种基于白光发光二极管技术的无线光通信技术，能同时实现照明和高速数据传输两大功能，并且具有信号密度覆盖高、保密安全性高、抗电磁干扰、频谱范围宽等特点，可以实现高速、稳定、安全的通信传输。作为不受限的空白频谱区，可见光通讯在信号上与传统的无线电波毫不干扰。
[0003]相较于硅基探测器，新型二维探测器具有体积小，易携带、易集成和击穿电场高等优势，促进了可见光探测器的进一步发展。III
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VI族化合物作为新型的二维范德华半导体材料，拥有着高载流子迁移率、热稳定性高、化学稳定性好、禁带宽度随层数可调等特点，可以实现2
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2.7eV的可调禁带宽度，基于III
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VI族化合物理论上可实现460
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620nm波长的可见光探测。然而，由于常规的化学气相沉积技术难以实现大面积III<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可见光探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制备第一衬底层，所述第一衬底层为InGaN衬底；采用电子束蒸发镀膜在所述第一衬底层的一侧沉积金属层，所述金属层选用的金属材料的元素为III族元素；以第一粉末为前驱体，采用化学气相沉积使所述金属层反应生成化合物层，所述化合物层为III
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VI族化合物薄膜，所述第一粉末的材料对应的元素为VI族元素；在所述化合物层远离所述第一衬底层的一侧以及所述第一衬底层制备有所述化合物层的一侧制备电极层，完成所述可见光探测器的制备。2.根据权利要求1所述的一种可见光探测器的制备方法，其特征在于，所述制备第一衬底层，包括：选取硅衬底作为第二衬底层；在所述第二衬底层的一侧制备InGaN缓冲层；在所述InGaN缓冲层远离所述第二衬底层的一侧制备InGaN外延层，完成所述第一衬底层的制备。3.根据权利要求2所述的一种可见光探测器的制备方法，其特征在于，所述在所述第二衬底层的一侧制备InGaN缓冲层，包括：采用780
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850℃的生长温度在所述第二衬底层的一侧制备所述InGaN缓冲层。4.根据权利要求2所述的一种可见光探测器的制备方法，其特征在于，所述在所述InGaN缓冲层远离所述第二衬底层的一侧制备InGaN外延层，包括：采用800
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850℃的生长温度在所述InGaN缓冲层远离所述第二衬底层的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：河源市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：