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本发明申请公开了一种可见光探测器的制备方法，通过在InGaN衬底上采用电子束蒸发镀膜沉积III族元素的金属层，然后以VI族元素的第一粉末为前驱体，采用化学气相沉积使金属层反应生成III
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该专利属于河源市众拓光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河源市众拓光电科技有限公司授权不得商用。

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