一种太阳电池及其制备方法技术

本申请提供一种太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。太阳电池的制备方法包括先在硅片表面形成第一氧化硅层，再在第一氧化硅层表面进行硼的沉积形成硼前驱层，然后采用激光处理栅线区域进行区域掺杂形成硼扩散层，接着将完成激光处理的硅片进行高温氧化处理形成第二氧化硅层。本申请的太阳电池的制备方法通过轻扩散形成硼前驱体，通过叠加激光选择性扩散可有效在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行硼扩重掺杂，在电极之间位置进行硼扩轻掺杂，并能平衡硅片表面的损伤。从而降低扩散层复合，提高光线的短波响应，减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、填充因子都得到较好的改善，提高太阳电池的光电转换效率，并降低发电成本。并降低发电成本。并降低发电成本。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳电池及其制备方法


[0001]本申请涉及太阳电池
，具体而言，涉及一种太阳电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]光伏发电的核心部件是太阳能电池，其目标是不断提升光电转换效率、降低发电成本。Topcon太阳能电池是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(tunnel oxide passivated contact)太阳能电池技术，其电池结构为N型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合。
[0003]Topcon电池正面金属诱导复合是太阳能电池中总复合损失的重要组成部分，通过缩小电池背面的金属接触面积，可有效降低金属化造成的复合损失，但这将导致金属与硅片间的接触电阻变大，影响电池片光电转换效率提升。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种太阳电池及其制备方法，其能够提高太阳电池的光电转换效率。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种太阳电池的制备方法，其包括：先在硅片表面形成第一氧化硅层，再本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，所述太阳电池的制备方法包括：先在硅片表面形成第一氧化硅层，再在所述第一氧化硅层表面进行硼的沉积形成硼前驱层，然后采用激光处理栅线区域进行区域掺杂形成硼扩散层，接着将完成所述激光处理的硅片进行高温氧化处理形成第二氧化硅层。2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在硅片形成第一氧化硅层的步骤包括：向放置有硅片的容器中通入氮气和氧气，并在830℃～840℃下使所述硅片形成所述第一氧化硅层；可选地，氮气的流量为1000sccm～1500sccm；可选地，氧气的流量为800sccm～1200sccm；可选地，所述第一氧化硅层的厚度为0.3nm～0.5nm。3.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第一氧化硅层表面进行硼的沉积形成硼前驱层的步骤包括：向放置有硅片的容器中通入三氯化硼、氮气和氧气，并在840℃～890℃下进行硼的沉积形成所述硼前驱层；可选地，三氯化硼的流量为70sccm～100sccm；可选地，氮气的流量为1800sccm～2200sccm；可选地，氧气的流量为250sccm～300sccm。4.根据权利要求3所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，形成所述硼前驱层后，所述硅片的方块电阻为75Ω～125Ω，ECV结深为0.3μm～0.4μm，硼掺杂最高浓度为1*10
20
N/cm
‑3～2*10
20
N/cm
‑3。5.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，采用激光处理栅线区域进行区域掺杂时，激光区与非激光区反射率差异小于等于1.5％。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凯，
申请(专利权)人：通威太阳能眉山有限公司，
类型：发明
国别省市：