【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种利用激光的倒装芯片粘结方法及利用此的半导体粘结装置,即,将半导体芯片粘贴到回路基板时,利用激光熔接到基板,更详细地说,利用激光以高温加热已形成于回路基板表面的隆起物(bump)而使其液化之后,将半导体芯片安放在液化隆起物并以一定压力压缩,随着液化隆起物变硬,半导体芯片与回路基板的导体端子相互连接,使用对温度敏感的基板等时,能够最小化接触不良率。
技术介绍
一般地说,倒装芯片粘结方法是将半导体芯片粘贴到回路基板时,不使用金属引线金属丝等另外的连接结构或球栅阵列(BGA)等中间媒介而利用芯片下面的电极图案而直接熔接的方式。这种倒装芯片粘结方法也被称为无引线(leadless)半导体,随着半导体大小的逐渐缩小,有利于小型及轻量化,能够更细微地调整电极之间的距离(节距),因此得到普遍适用。如所述的倒装芯片粘结方法主要使用热压焊方式。根据这种以往的热压焊方式,回路基板的上面形成导电层,并形成球块(bumpball),该球块在半导体芯片下端的温度增高时变成液体,当温度降低时变硬。这时,若加热半导体芯片,则球块会变成液体,向回路基板方向逐渐加压半导体芯片而在回路基板的导电层上安放半导体芯片。并且,随着球块的硬化,半导体芯片与回路基板实现相互熔接。根据这种以往的倒装芯片粘结方法,加热半导体芯片时,需要一定的时间才能达到能够使球块变成液体的温度。若这样长时间加热半导体芯片,会产生半导体芯片被热受损的情况,因一定时间内的生产量受限,无法期待生产能力的提高。并且,对于材质对高温敏感的半导体芯片无法适用。并且,接合精密度上可能会存发生半导体芯片与回路基板的接合 ...
【技术保护点】
一种利用激光的倒装芯片粘结方法,其特征在于,包括:基板准备步骤(S100),准备半导体(10)及用于安放所述半导体(10)的回路基板(20);被膜形成步骤(S200),执行所述基板准备步骤(S100)之后,为了防止所述半导体表面产生污染或缺陷,在半导体(10)表面形成一定厚度的被膜;半导体调整步骤(S300),执行所述被膜形成步骤(S200)之后,将半导体(10)及回路基板(20)安放到半导体粘结装置,调整半导体(10)与回路基板(20)的接合部位;粘结步骤(S400),为了液化形成于所述半导体(10)与所述回路基板(20)之间的多个导电性隆起物(30)末端的粘合胶(40),向已完成所述调整的半导体(10)照射一定时间的激光,完成激光的照射后,随着所述粘合胶(40)的硬化,所述半导体(10)与所述回路基板(20)相互接合;第1清洗步骤(S500),执行所述粘结步骤(S400)之后,消除因所述粘合胶(40)的硬化而残留在所述半导体(10)与所述回路基板(20)相互接合的部位的残留异物;干燥步骤(S600),执行所述第1清洗步骤(S500)之后,消除残留在所述半导体(10)与所述回路基板( ...
【技术特征摘要】
2015.10.23 KR 10-2015-01476711.一种利用激光的倒装芯片粘结方法,其特征在于,包括:基板准备步骤(S100),准备半导体(10)及用于安放所述半导体(10)的回路基板(20);被膜形成步骤(S200),执行所述基板准备步骤(S100)之后,为了防止所述半导体表面产生污染或缺陷,在半导体(10)表面形成一定厚度的被膜;半导体调整步骤(S300),执行所述被膜形成步骤(S200)之后,将半导体(10)及回路基板(20)安放到半导体粘结装置,调整半导体(10)与回路基板(20)的接合部位;粘结步骤(S400),为了液化形成于所述半导体(10)与所述回路基板(20)之间的多个导电性隆起物(30)末端的粘合胶(40),向已完成所述调整的半导体(10)照射一定时间的激光,完成激光的照射后,随着所述粘合胶(40)的硬化,所述半导体(10)与所述回路基板(20)相互接合;第1清洗步骤(S500),执行所述粘结步骤(S400)之后,消除因所述粘合胶(40)的硬化而残留在所述半导体(10)与所述回路基板(20)相互接合的部位的残留异物;干燥步骤(S600),执行所述第1清洗步骤(S500)之后,消除残留在所述半导体(10)与所述回路基板(20)的清洗液。2.根据权利要求1所述的利用激光的倒装芯片粘结方法,其特征在于,在执行所述粘结步骤(S400)之前,还执行:预备加热步骤(S700),以一定温度加热已安放半导体的所述回路基板(20)的下端,从而所述激光照射所述半导体(10)而产生的热能能够均匀地传递到所述半导体(10)的全面,能够同时实现位于所述多个隆起物(30)末端的粘合胶(40)的液化。3.根据权利要求1所述的利用激光的倒装芯片粘结方法,其特征在于,所述粘结步骤(S400),包括:激光照射步骤(S410),向所述半导体(10)照射激光而加热所述半导体(10),照射的激光变换成热能而液化所述粘合胶(40);加压步骤(S420),以一定压力加压所述半导体(10),从而通过所述液化的粘合胶(40)使得所述半导体(10)与所述回路基板(20)相互粘贴;硬化步骤骤(S430),硬化所述粘合胶(40),从而使所述半导体(10)固定到所述回路基板(20)。4.根据权利要求1所述的利用激光的倒装芯片粘结方法,其特征在于,执行所述干燥步骤(S600)之后,还执行:绝缘体涂布步骤(S800),为了防止所述半导体(10)与所述回路基板(20)的电力损失并增加所述半导体(10)与所述回路基板(20)的黏合力,在所述半导体(10)与所述回路基板(20)之间涂抹绝缘体。5.一种半导体粘结装置,其特征在于,包括:支架(100),受地面的支撑;半导体供应部(200),位于所述支架(100)的一侧,具备保管箱(210),在回路基板(S1)层叠安放半导体(S2)的半导体面板(S);移送轨道(300),具备用于安放由所述半导体供应部(200)供应的所述半导体面板(S)的移动托盘(310),以长度方向延长而使所述移动托盘(310)从一侧向另一侧移动;粘结头部(400),向安放于所述移动托盘(310)的所述半导体(S2)照射激光而粘结(bonding)所述半导体(S2)与所述回路基板(S1)而使其相互粘贴;粘结头部移动部(500),位于所述支架(100)的上侧而使所述粘结头部(400)能够向X,Y,Z轴移动,控制所述粘结头部(400)的移动;半导体收容部(600),包括收容箱(610),当完成所述粘结的半导体面板(S)移动到所述移送轨道(300)的另一侧之后,用于保管所述半导体面板(S),当激光照射到所述半导体(S2)时,为了缩短安放的所述半导...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。