半导体发光器件制造技术

为了提高光提取效率，公开了一种半导体发光器件，其中，每层由III族氮化物基化合物半导体形成。发光器件包括：蓝宝石衬底(10)，在该蓝宝石衬底(10)的表面上平行于第一方向(x轴)布置多个条状沟槽(11)；在所述蓝宝石衬底的表面(10a)上和沟槽(11)中沿第一方向不连续地形成的电介质(15)。半导体发光器件具有包含在沟槽的侧面上生长并且覆盖所述蓝宝石衬底的表面(10a)和电介质(15)的顶表面(15a)的III族氮化物基化合物半导体的基层；以及在基层上形成的构成发光器件的器件层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种呈现出提高的光提取效率的III族氮化物基化合物半导体发光器件。
技术介绍
III族氮化物基化合物半导体发光器件已经被广泛的应用，并且其特性也被大幅改善。通常，通过在蓝宝石衬底或其他异质衬底上外延生长III族氮化物基化合物半导体来制造III族氮化物基化合物半导体发光器件。在这样的半导体发光器件中，提高光提取效率是重要的课题。为了提高外部光提取效率，专利文件I公开了如下内容在蓝宝石衬底上以条状图案的形式形成具有低于GaN的折射率的、由SiO2等制成的电介质，并且通过气相外延从衬底的暴露的表面生长GaN以覆盖电介质的顶表面。 专利文件2公开了如下内容在a面蓝宝石衬底上，沿平行于m轴的方向以条状图案形成多个沟槽，并且GaN从沟槽的c面侧表面、沿着垂直于该侧表面的c轴方向生长，从而形成具有m面主表面的GaN。因此，在专利文件2中，获得了具有非极性面的主面的GaN。现有技术文件专利文件专利文件I :日本公开特许公报(kokai)No. 2009-54898专利文件2 :日本公开特许公报(kokai)No. 2009-20315
技术实现思路
本专利技术要解决的问题在专利文件I和2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥野浩司，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：
国别省市：