【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光元件的制造方法及用该方法制成的发光元件。本申请基于2010年3月24日向日本国提出的专利申请“特愿2010-067959号”要求优先权,并在此将其内容援引到本申请中。
技术介绍
近年来,由具有半导体层和发光层的化合物半导体层构成的发光元件得到实用化,开始应用于照明装置等的用途上。作为这种发光元件,可以举出蓝色发光元件、紫外发光元件等的III族氮化物半导体。III族氮化物半导体与以往的III-V族化合物半导体相比,从可见光区域至紫外 光区域的广大范围内的发光效率优良,并且在其它半导体特性方面也优良,是有望在今后的LED领域中得到发展的半导体。该III族氮化物半导体是采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在基板上进行制作的,但是,由于晶格一致性的问题,只有蓝宝石玻璃作为基板进行了实用化。以往,以该蓝宝石玻璃作为基板的面向上方式或者倒装片方式的发光元件,由于蓝宝石玻璃非常硬,所以在进行单片化时需要先进的技术,或者,由于蓝宝石玻璃的导热性差,所以有时发生在III族氮化物半导体层中产生的热的扩散性差的问题。鉴于如上所述的问题,已提出有如下工艺将形成 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:楠木淳也,竹内江津,杉山广道,久保山俊治,川田政和,
申请(专利权)人:住友电木株式会社,
类型:
国别省市:
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