发光元件的制造方法及用该方法制成的发光元件技术

本发明专利技术的目的在于提供一种发光元件的制造方法，在该方法中当采用激光剥离工艺制作发光元件时，在半导体层和支承基板上难以留下固定树脂层的残渣。另外，本发明专利技术的目的还在于提供一种采用本发明专利技术制造方法所制成的可靠性高的发光元件。上述目的能够通过如下方式达成：使用热分解性树脂组合物作为使半导体层固定于支承基板上的固定树脂层，并且在从支承基板上剥离半导体层时，使固定树脂层发生热分解。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光元件的制造方法及用该方法制成的发光元件。本申请基于2010年3月24日向日本国提出的专利申请“特愿2010-067959号”要求优先权，并在此将其内容援引到本申请中。
技术介绍
近年来，由具有半导体层和发光层的化合物半导体层构成的发光元件得到实用化，开始应用于照明装置等的用途上。作为这种发光元件，可以举出蓝色发光元件、紫外发光元件等的III族氮化物半导体。III族氮化物半导体与以往的III-V族化合物半导体相比，从可见光区域至紫外 光区域的广大范围内的发光效率优良，并且在其它半导体特性方面也优良，是有望在今后的LED领域中得到发展的半导体。该III族氮化物半导体是采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在基板上进行制作的，但是，由于晶格一致性的问题，只有蓝宝石玻璃作为基板进行了实用化。以往，以该蓝宝石玻璃作为基板的面向上方式或者倒装片方式的发光元件，由于蓝宝石玻璃非常硬，所以在进行单片化时需要先进的技术，或者，由于蓝宝石玻璃的导热性差，所以有时发生在III族氮化物半导体层中产生的热的扩散性差的问题。鉴于如上所述的问题，已提出有如下工艺将形成于蓝宝石玻璃上的III族氮化物半导体层，以固定层为介固定于支承基材上，并采用激光剥离工艺对蓝宝石玻璃进行剥离(专利文献I)。在采用上述工艺的情况下，当从支承基材上剥离III族氮化物半导体层时，固定层的残渣会残留于III族氮化物半导体层、支承基材上，因此，需要对该残渣进行去除的清洗工序。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2009-54693号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 本专利技术的目的在于提供一种发光元件的制造方法，在该方法中当采用激光剥离工艺制作发光元件时，在III族氮化物半导体层和支承基材上难以留下固定树脂层的残渣。另外，本专利技术的目的还在于提供一种采用本专利技术制造方法所制成的可靠性高的发光元件。解决课题所用的方法本专利技术的上述目的能够通过下列(I) (9)中所记载的技术方案来实现。(I) 一种发光元件的制造方法，其特征在于，其包括在生长用基板上形成具有半导体层和发光层的化合物半导体层的第一工序；于前述化合物半导体层形成电极的第二工序；将在支承基材上形成有热分解性固定树脂层的带有热分解性固定树脂层的支承基材的热分解性固定树脂层和前述化合物半导体层进行贴合的第三工序；从前述生长用基板的与形成有前述化合物半导体层的面相反一侧的面照射激光，将前述生长用基板与前述化合物半导体层进行剥离的第四工序；通过使前述热分解性固定树脂层热分解而将前述化合物半导体层从前述支承基材上剥离的第五工序；以及对所述化合物半导体层进行单片化的第六工序。(2)如(I)所述的发光元件的制造方法，其中，所述半导体层是N型半导体层和P型半导体层。(3)如(I)或(2)所述的发光元件的制造方法，其中，所述生长用基板是蓝宝石玻3 ο(4)如(I)至(3)中任一项所述的发光元件的制造方法，其中，所述第五工序中使热分解性固定树脂层热分解的温度为50 500°C。 (5)如(I)至(4)中任一项所述的发光元件的制造方法，其中，所述热分解性固定树脂层含有至少一种以上选自由聚碳酸酯系树脂、聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚醚系树脂、聚氨酯系树脂、降冰片烯系树脂所构成的组中的热分解性树脂成分。(6)如(I)至(5)中任一项所述的发光元件的制造方法，其中，所述热分解性树脂成分是聚碳酸酯系树脂；(7)如(I)至(6)中任一项所述的发光元件的制造方法，其中，所述热分解性固定树脂层含有光产酸剂；(8)如(5)至(7)中任一项所述的发光元件的制造方法，其中，前述聚碳酸酯系树脂含有至少一种以上选自由碳酸丙烯酯、碳酸亚环己酯(cyclohexylene carbonate)、碳酸丁烯酯、降冰片基碳酸酯(norbonane carbonate)所构成的组中的结构单元；(9) 一种发光元件，其特征在于，其是采用(I)至(8)中任一项所述的制造方法来制成。专利技术效果基于本专利技术能够提供一种发光元件的制造方法，在该方法中当采用激光剥离工艺制作发光元件时，在III族氮化物半导体层和支承基材上难以留下固定树脂层的残渣。另夕卜，基于本专利技术能够提供可靠性高的发光元件。附图说明图I是表示本专利技术发光元件的实施方式之一的示意性纵向剖面图。图2是表示本专利技术发光元件的实施方式之一的示意性纵向剖面图。图3是表示本专利技术发光元件的制造方法的实例之一的示意性纵向剖面图。图4是表示本专利技术发光元件的制造方法的实例之一的示意性纵向剖面图。图5是表示本专利技术发光元件的制造方法的实例之一的示意性纵向剖面图。具体实施例方式下面，基于附图所示的优选实施方式详细说明本专利技术发光元件的制造方法和本专利技术的发光兀件。图I和图2是表示采用本专利技术发光元件的制造方法所制造的发光元件的一个实例的纵剖面图。此外，在下面的说明中，将图I和图2中的上侧称为“上”、下侧称为“下”。图I所示的发光元件100，具有依次由P型半导体层20、发光层30、N型半导体层10进行层叠而成的化合物半导体层1，并在N型半导体层10之下以及在P型半导体层20之下分别形成有N型电极50和P型电极40。图2所示的发光元件200，具有依次由P型半导体层20、发光层30、N型半导体层10进行层叠而成的化合物半导体层1，并在N型半导体层10之上以及在P型半导体层20之下分别形成有N型电极50和P型电极40。对前述N型半导体层10和P型半导体层20没有特别限制，能够使用GaN系单晶、GaP系单晶、GaAs系单晶等公知的半导体材料，但优选在生长用基板(监宝石玻璃基板等)表面上能够容易地进行外延生长的GaN系单晶。作为前述发光层30所用的材料，并没有特别限制，可以举出InsGa1J (O < S< O. 3)等GaN系半导体(GaN类半导体)。另外，发光层30具有由禁带宽度较宽的阻挡层 和禁带宽度较窄的阱层所构成的量子阱层，前述量子阱层可以是单量子阱层(SQW)或者多量子阱层(MQW)。对前述阻挡层的厚度没有特别限制，但优选为5 15nm左右，对阱层的厚度而言，优选为2 IOOnm左右。并且，对发光层30的总厚度没有特别限制，但优选为25 150nm左右。作为前述P型电极40所用的材料，并没有特别限制，但可以举出铜单质、铜-钨合金等，优选为导热性优良的铜单质。另外，前述P型电极40也可以具有种子层和阻挡层，作为前述种子层所用的材料可以举出钛等金属，作为前述阻挡层所用的材料可以举出钽等金属。对前述N型电极50没有特别限制，但能够使用由铬、铝、钛、金等的薄膜进行层叠而成的N型电极，前述N型电极50能够采用公知的溅射法、蒸镀法进行制作。如图I所示的发光元件100,例如，能够通过如下所述地进行制造。《发光元件的制造》下面，使用图3 图5来说明作为第一实施方式的获得发光元件100的发光元件的制造方法。另外，将图3 图5中的上侧称为“上”、下侧称为“下”。<第一实施方式>(A-I)首先，如图(3-a)所示，在生长用基板60上，依次层叠N型半导体层10、发光层30、P型半导体层20，形成化合物半导体层I。此时，基板60与N型半导体层10在晶格常数上存在显著差异，因此优选预先在基板60上形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：楠木淳也，竹内江津，杉山广道，久保山俊治，川田政和，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：
国别省市：