半导体器件及其制造方法技术

半导体器件（5），其包括支撑衬底（60）、置于支撑衬底（60）上的导电层（50）以及置于导电层（50）上的至少一个III族氮化物半导体层（200）。在III族氮化物半导体层（200）之中，导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）具有n型导电类型、至多为1×107cm-2的位错密度和至多为5×1018cm-3的氧浓度。因此，可以提供具有高结晶度的半导体层的n向下型器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，更具体地讲，涉及具有优良特性的垂直型。
技术介绍
包括发光器件和电子器件的垂直型半导体器件具有易于封装且面积效率高的特性。已提出了一种将基底衬底上生长的半导体层接合到不同于基底衬底的支撑衬底的方法，作为制造具有这种特性的垂直型半导体器件的方法。以举例的方式，日本专利特许公开No. 2010-212719 (PTLl)公开了在从基底层上生长的半导体层中去除基底衬底之后，在半导体层的表面(η型半导体层的表面)上形成高低不平的图案，以提高光提取效率。 日本专利特许公开No. 2007_158334(PTL2)公开了在基底衬底上生长半导体层，其间插入有蚀刻停止层，以便在去除蚀刻停止层处的基底衬底之后停止对半导体层的蚀刻，从而减轻对半导体层(η型半导体层)的损害并且改进η侧电极的接触特性。另外，日本专利特许公开No. 2010-232625 (PTL3)公开了将III族氮化物半导体层接合到支撑衬底上，其间插入有缓冲层，并且通过蚀刻去除缓冲层，以便于用激光剥离支撑衬底。引用列表专利文献PTLl :日本专利特许公开 No. 2010-212719PTL2 日本专利特许公开 No.本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：京野孝史，石原邦亮，八乡昭广，吉田乔久，上野昌纪，木山诚，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：