发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯技术

本发明专利技术提供一种发光二极管，其在光取出面上具有两个电极，光取出效率高，为高辉度。本发明专利技术涉及的发光二极管（1），是具有含有发光层（10）的发光部（7）的化合物半导体层（2）和透明基板（3）相接合了的发光二极管，其特征在于，在化合物半导体层（2）的主要的光取出面（2a）侧设置有第1电极（4）和第2电极（5），透明基板（3）具有：与化合物半导体层（2）接合的上表面（3A）；面积比上表面（3A）的面积小的底面（3B）；和至少含有从上表面侧朝向底面侧倾斜的倾斜面（3b）的侧面，第1和第2电极（4）、（5）在俯视该发光二极管时配置在将底面（3B）投影了的区域内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯。本申请基于在2010年2月8在日本提出的专利申请2010-025352号要求优先权，将其内容援引于本申请中。
技术介绍
一直以来，作为发出红外、红色、橙色、黄色或黄绿色的可见光的发光二极管(英文简称LED)，已知具备包含磷化铝镓铟(组成式为(AlxGahx)YlrvYP ；0 ^ X ^ 1,0 < Y ^ I),组成式AlxGai_xAs (0彡X彡I)或组成式InxGagAs (0彡X彡I)的发光层的化合物半导体LED。在这样的LED中，具备包含(AlxGag) YIni_YP (0彡X彡1，0 < Y彡I)等的发光层 的发光部，一般形成于相对于从发光层射出的光在光学上不透明、并且机械强度不那么高的砷化镓(GaAs)等的基板材料上。因此，最近曾公开了 为了得到更高辉度、高输出功率的LED，除去GaAs基板材料，然后，接合能够透射发光的GaP基板，在侧面形成倾斜面，构成高辉度化了的发光二极管的技术(例如，参照专利文献广5)。现有技术文献专利文献I :日本特开平6-302857号公报专利文献2 :日本特开2007-1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：锅仓亘，竹内良一，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：
国别省市：