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半导体器件（5），其包括支撑衬底（60）、置于支撑衬底（60）上的导电层（50）以及置于导电层（50）上的至少一个III族氮化物半导体层（200）。在III族氮化物半导体层（200）之中，导电层邻接III族氮化物半导体层（200c）具有n型...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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