半导体发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体发光器件，在本发明专利技术的一个实施例中，该半导体发光器件包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；n型电极，其形成在n型半导体层上表面上的与第一区域不同的第二区域上，n型电极与n型半导体层电连接并且配备有n型电极焊盘、第一n型电极指和第二n型电极指；以及p型电极，其形成在p型半导体层上，p型电极与p型半导体层电连接并且配备有p型电极焊盘和p型电极指。当使用本发明专利技术所述的半导体发光器件时，n型电极与p型电极之间的距离是恒定的并且可以最大程度地减小集中在电极的特定区域处的电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体发光器件。
技术介绍
半导体发光器件是能够在对其施加电流时在p型半导体层与n半导体层之间的结合处通过电子-空穴复合而产生各种颜色的光的半导体器件。因为这种半导体发光器件与基于灯丝的发光元件相比具有积极的特性，例如相对较长的寿命、相对较低的功耗、卓越的初始驱动特性、高抗震性等，所以对这种半导体发光器件的需求一直上升。最近，作为能够发出具有短波长的蓝光的半导体器件，第III族氮化物半导体一直比较突出。可以在例如蓝宝石衬底或碳化硅（SiC）衬底之类的特定的生长衬底上形成使用这种第III族氮化物半导体构成发光器件的氮化物单晶。然而，当使用例如蓝宝石衬底等绝缘衬底时，在对齐电极方面存在明显的限制。例如，在根据现有技术的氮化物半导体发光器件的情况下，因为电极通常沿着水平方向对齐，因此可能会产生窄电流。发光器件的操作电压Vf的电平可能会由于这种窄电流而增加，从而降低了电流效率，并且器件会容易受到静电放电的损坏。在这种情况下，为了使电流均匀分布在整个发光表面上，已经开始尝试将n型电极和p型电极分别分为电极焊盘和电极指，然后交替布置。然而，即使在电极焊盘和电极指均匀分布的情况下，电流也可能会集中在电极焊盘的不同部分上。因此，需要一种能够在水平电极结构中明显减少电流集中的方案。
技术实现思路
[技术问题]本公开的示例性实施例可以提供一种半导体发光器件，这种半导体发光器件能够明显减少电流集中在电极的特定区域的现象并且通过改进电极结构降低驱动电压的电平。[技术方案]根据本公开的示例性实施例，一种半导体发光器件可以包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，所述有源层和所述p型半导体层布置在与所述n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；n型电极，所述n型电极布置在所述n型半导体层上的与所述第一区域不同的第二区域中，所述n型电极与所述n型半导体层电连接并且包括n型电极焊盘、第一n型电极指和第二n型电极指；以及p型电极，所述p型电极布置在所述p型半导体层上，所述p型电极与所述p型半导体层电连接并且包括p型电极焊盘和p型电极指。所述n型半导体层、所述有源层和所述p型半导体层可以构成发光结构。所述n型电极焊盘可以布置在当从所述p型半导体层上方观看所述发光结构时提供的发光表面的内部。所述p型电极焊盘可以布置成与所述发光表面的一个边缘相邻。所述第一n型电极指可以具有这样的形状：所述第一n型电极指从所述n型电极焊盘延伸到所述发光表面的与所述p型电极焊盘所在边缘相对的一个边缘，然后所述第一n型电极指在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开。所述第二n型电极指可以具有这样的形状：所述第二n型电极指从所述n型电极焊盘在两个不同方向上延伸，然后在两个方向上延伸的部分分别向着所述p型电极焊盘所在的所述发光表面的边缘弯曲。所述p型电极指可以具有这样的形状：所述p型电极指从所述p型电极焊盘在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过所述n型电极焊盘所在的位置，然后向着所述第一n型电极指的从所述n型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分弯曲。根据本公开的示例性实施例，一种半导体发光器件可以包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，所述有源层和所述p型半导体层布置在与所述n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；n型电极，所述n型电极布置在所述n型半导体层上的与所述第一区域不同的第二区域中，所述n型电极与所述n型半导体层电连接并且包括n型电极焊盘和n型电极指；以及p型电极，所述p型电极布置在所述p型半导体层上，所述p型电极与所述p型半导体层电连接并且包括p型电极焊盘、第一p型电极指和第二p型电极指。所述n型半导体层、所述有源层和所述p型半导体层可以构成发光结构。所述p型电极焊盘可以布置在当从所述p型半导体层上方观看所述发光结构时提供的发光表面的内部。所述n型电极焊盘可以布置成与所述发光表面的一个边缘相邻。所述第一p型电极指可以具有这样的形状：所述第一p型电极指从所述p型电极焊盘延伸到所述发光表面的与所述n型电极焊盘所在边缘相对的一个边缘，然后所述第一p型电极指在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开。所述第二p型电极指可以具有这样的形状：所述第二p型电极指从所述p型电极焊盘在两个不同方向上延伸，然后在两个方向上延伸的部分分别向着所述n型电极焊盘所在的所述发光表面的边缘弯曲。所述n型电极指可以具有这样的形状：所述n型电极指从所述n型电极焊盘在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过所述p型电极焊盘所在的位置，然后向着所述第一p型电极指的从所述p型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分弯曲。所述发光表面可以具有圆形形状或多边形形状。例如，所述发光表面可以具有矩形形状。所述n型电极焊盘和所述p型电极焊盘可以位于穿过所述发光表面中心的概念性直线上。所述n型电极和所述p型电极可以关于穿过所述发光表面中心的概念性直线具有对称性。所述p型电极指的端部可以形成在这样的位置处，该位置与所述第二n型电极指向着所述p型电极焊盘弯曲的位置相对应并且与所述第二n型电极指分开。所述n型电极指的端部可以形成在这样的位置处，该位置与所述第二p型电极指向着所述n型电极焊盘弯曲的位置相对应并且与所述第二p型电极指分开。所述第二n型电极指向着所述p型电极焊盘弯曲的部分可以与所述p型电极指的一部分平行。所述第二p型电极指向着所述n型电极焊盘弯曲的部分可以与所述n型电极指的一部分平行。所述p型电极还可以包括从所述p型电极焊盘向所述n型电极焊盘延伸的第二p型电极指。所述第二p型电极指与所述第二n型电极指可以相互平行，并且从所述第二p型电极指的端部到所述n型电极焊盘的距离可以等于所述第二n型电极指与所述第二p型电极指之间的距离。所述第二p型电极指和所述第一n型电极指的从所述n型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分可以位于同一条概念性直线上。所述n型电极还可以包括从所述n型电极焊盘向所述p型电极焊盘延伸的第二n型电极指。所述第二n型电极指与所述第二p型电极指可以相互平行，并且从所述第二n型电极指的端部到所述p型电极焊盘的距离可以等于所述第二p型电极指与所述第二n型电极指之间的距离。所述第二n型电极指和所述第一p型电极指的从所述p型电极焊盘延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，所述有源层和所述p型半导体层布置在与所述n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；n型电极，所述n型电极布置在所述n型半导体层上的与所述第一区域不同的第二区域中，所述n型电极与所述n型半导体层电连接并且包括n型电极焊盘、第一n型电极指和第二n型电极指；以及p型电极，所述p型电极布置在所述p型半导体层上，所述p型电极与所述p型半导体层电连接并且包括p型电极焊盘和p型电极指，其中，所述n型半导体层、所述有源层和所述p型半导体层构成发光结构，所述n型电极焊盘布置在当从所述p型半导体层上方观看所述发光结构时提供的发光表面的内部，并且所述p型电极焊盘布置成与所述发光表面的一个边缘相邻，所述第一n型电极指具有这样的形状：所述第一n型电极指从所述n型电极焊盘延伸到所述发光表面的与所述p型电极焊盘所在边缘相对的一个边缘，然后所述第一n型电极指在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开，并且所述第二n型电极指具有这样的形状：所述第二n型电极指从所述n型电极焊盘在两个不同方向上延伸，然后在两个方向上延伸的部分分别向着所述p型电极焊盘所在的所述发光表面的边缘弯曲，并且所述p型电极指具有这样的形状：所述p型电极指从所述p型电极焊盘在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过所述n型电极焊盘所在的位置，然后向着所述第一n型电极指的从所述n型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分弯曲。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体发光器件，包括：
n型半导体层；
有源层和p型半导体层，所述有源层和所述p型半导体层布置
在与所述n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；
n型电极，所述n型电极布置在所述n型半导体层上的与所述第
一区域不同的第二区域中，所述n型电极与所述n型半导体层电连接
并且包括n型电极焊盘、第一n型电极指和第二n型电极指；以及
p型电极，所述p型电极布置在所述p型半导体层上，所述p
型电极与所述p型半导体层电连接并且包括p型电极焊盘和p型电极
指，
其中，所述n型半导体层、所述有源层和所述p型半导体层构
成发光结构，所述n型电极焊盘布置在当从所述p型半导体层上方观
看所述发光结构时提供的发光表面的内部，并且所述p型电极焊盘布
置成与所述发光表面的一个边缘相邻，
所述第一n型电极指具有这样的形状：所述第一n型电极指从
所述n型电极焊盘延伸到所述发光表面的与所述p型电极焊盘所在边
缘相对的一个边缘，然后所述第一n型电极指在沿着所述发光表面的
边缘的两个方向上分开，并且所述第二n型电极指具有这样的形状：
所述第二n型电极指从所述n型电极焊盘在两个不同方向上延伸，然
后在两个方向上延伸的部分分别向着所述p型电极焊盘所在的所述
发光表面的边缘弯曲，并且
所述p型电极指具有这样的形状：所述p型电极指从所述p型
电极焊盘在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过所
述n型电极焊盘所在的位置，然后向着所述第一n型电极指的从所述
n型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分弯曲。
2.一种半导体发光器件，包括：
n型半导体层；
有源层和p型半导体层，所述有源层和所述p型半导体层布置
在与所述n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；
n型电极，所述n型电极布置在所述n型半导体层上的与所述第
一区域不同的第二区域中，所述n型电极与所述n型半导体层电连接
并且包括n型电极焊盘和n型电极指；以及
p型电极，所述p型电极布置在所述p型半导体层上，所述p
型电极与所述p型半导体层电连接并且包括p型电极焊盘、第一p
型电极指和第二p型电极指，
其中，所述n型半导体层、所述有源层和所述p型半导体层构
成发光结构，所述p型电极焊盘布置在当从所述p型半导体层上方观
看所述发光结构时提供的发光表面的内部，并且所述n型电极焊盘布
置成与所述发光表面的一个边缘相邻，
所述第一p型电极指具有这样的形状：所述第一p型电极指从
所述p型电极焊盘延伸到所述发光表面的与所述n型电极焊盘所在边
缘相对的一个边缘，然后所述第一p型电极指在沿着所述发光表面的
边缘的两个方向上分开，并且所述第二p型电极指具有这样的形状：
所述第二p型电极指从所述p型电极焊盘在两个不同方向上延伸，然
后在两个方向上延伸的部分分别向着所述n型电极焊盘所在的所述
发光表面的边缘弯曲，并且
所述n型电极指具有这样的形状：所述n型电极指从所述n型
电极焊盘在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过所
述p型电极焊盘所在的位置，然后向着所述第一p型电...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄硕珉，河海秀，金载润，韩在镐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR