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本发明公开了一种基于多周期量子阱结构的HEMT器件，包括衬底，衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长量子阱有源层；量子阱有源层包括：势垒层、隔离层、沟道层和缺陷层；量子阱有源层上设置源极、漏极和栅极，栅极位于量子阱有源层的中间，源极和漏极位于量子阱...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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