LED芯片制造技术

本实用新型专利技术提出一种LED芯片，包括：衬底，在所述衬底之上依次形成的缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上形成有刻蚀至N型半导体层的台阶；P电极，所述P电极形成在所述P型半导体层上；N电极，所述N电极形成在台阶上并与N型半导体层电连接；其中，所述台阶上形成有延伸至N型半导体层中的第一沟槽，及在所述第一沟槽内的部分区域形成的延伸至衬底的第二沟槽。本实用新型专利技术的LED芯片可以有效减小电流拥堵，使得电流扩散更加均匀，发光效率得到提高，寿命长、稳定性得到增强。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光器件
，特别涉及一种LED芯片。
技术介绍
LED（LightingEmittingDiode，发光二极管）芯片是LED的核心结构，目前，LED芯片大多采用蓝宝石作为衬底，如图1所示，芯片结构包括：(1)、在蓝宝石衬底材料上分别沉积外延层，从下到上依次为缓冲层、N型GaN层，MQW（MultipleQuantumWells，多量子阱）发光层，P型GaN层。（2）、将芯片从P型GaN层刻蚀至N型GaN层，在刻蚀区域上制备N电极即负极。（3）、在P型GaN层上沉积ITO（Indiumtinoxide，氧化铟锡）层，在ITO层上制备P电极即正极，其中，ITO层之上包括二氧化硅钝化层。常规的水平结构的LED芯片含有一个正极和一个负极金属接触层，通入直流电源后能够正常发光。水平结构的LED芯片电流在芯片内部扩散时，由于芯片结构差异和不同层级材料的电阻的差异，会造成芯片电流扩散非常不均匀。电流会选择最容易扩散的方式流通于正负极，换句话说就是朝着电阻小的区域扩散。如2图所示，直线线条模拟了电流的流动趋势，水平结构芯片的电流会聚集在正负电极直线连线上靠近负极的区域，因为直线距离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底，在所述衬底之上依次形成的缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上形成有刻蚀至N型半导体层的台阶；P电极，所述P电极形成在所述P型半导体层上；N电极，所述N电极形成在台阶上并与N型半导体层电连接；其中，所述台阶上形成有延伸至N型半导体层中的第一沟槽，及在所述第一沟槽内的部分区域形成的延伸至衬底的第二沟槽。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底，在所述衬底之上依次形成的缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上形成有刻蚀至N型半导体层的台阶；P电极，所述P电极形成在所述P型半导体层上；N电极，所述N电极形成在台阶上并与N型半导体层电连接；其中，所述台阶上形成有延伸至N型半导体层中的第一沟槽，及在所述第一沟槽内的部分区域形成的延伸至衬底的第二沟槽。2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽为圆弧形状。3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽位于台阶表面与所述发光层的交接处。4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二沟槽的宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员：张杰，彭遥，
申请(专利权)人：惠州比亚迪实业有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44